公开(公告)号：CN111033703B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN201980003873.9

申请日：2019-02-14

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 日根清裕 ,  北浦秀敏 ,  古泽彰男

IPC: H01L21/52 ,  B22F7/08 ,  B82Y10/00 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00

Abstract: 使用了一种安装结构体，其包含：半导体元件，其具有元件电极；金属构件；以及烧结体，其将上述半导体元件和上述金属构件接合，上述烧结体包含：第一金属、以及在上述第一金属中固溶的第二金属，上述第二金属是在上述第一金属中的扩散系数大于上述第一金属的自扩散系数的金属，相对于上述烧结体中的上述第一金属以及上述第二金属的质量合计的上述第二金属的含有率是上述第二金属向上述第一金属的固溶极限以下。

公开(公告)号：CN106348287B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201610373450.4

申请日：2016-05-31

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 西木直巳 ,  西川和宏 ,  北浦秀敏 ,  田中笃志 ,  中谷公明

IPC: C01B32/205

CPC classification number: C01B31/04 ,  C01B32/20 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/32

Abstract: 本发明提供不使用导热糊剂而接触电阻小的石墨片及其制造方法。本发明使用一种石墨片，该石墨片的表面粗糙度(Ra)为10μm以上且不足40μm，在上述石墨片的表面内的任意80mm的距离之间，距离80mm内的表面凹凸的变化率为0.01％以上且0.135％以下。另外，本发明使用一种石墨片的制造方法，其是将高分子膜在不活泼气体中进行热处理的石墨片的制造方法，对上述高分子膜进行的热处理在上述不活泼气体的气氛中温度为2400℃以上且3200℃以下，并且在温度为2000℃以上的条件下施以10kg/cm2以上且100kg/cm2以下的加压。

公开(公告)号：CN105682374A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510725892.6

申请日：2015-10-29

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 日根清裕 ,  古泽彰男 ,  森将人 ,  中村太一 ,  北浦秀敏

IPC: H05K3/34

CPC classification number: H01L24/17 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01B1/02 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0135 ,  H01L2924/014 ,  H05K3/3457 ,  H05K2201/10734

Abstract: 本发明的安装结构体具备：具有BGA电极的BGA；具有电路基板电极的电路基板；配置在电路基板电极上、与BGA电极连接的钎焊接合部。钎焊接合部包含：含有率为0.6质量％以上且1.2质量％以下的Cu；含有率为3.0质量％以上且4.0质量％以下的Ag；含有率为0质量％以上且1.0质量％以下的Bi；In；Sn。In的含有率的范围根据Cu的含有率而有所不同。

公开(公告)号：CN108857136A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810412732.X

申请日：2018-05-02

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 酒井一树 ,  古泽彰男 ,  北浦秀敏 ,  日根清裕

IPC: B23K35/26

Abstract: 一种焊料合金，其中，Sb的含有率为3wt％以上且30wt％以下，Te的含有率为0.01wt％以上且1.5wt％以下，Au的含有率为0.005wt％以上且1wt％以下，所述焊料合金包含Ag和Cu中的至少一者，Ag和Cu中的至少一者的含有率为0.1wt％以上且20wt％以下，并且Ag与Cu的含有率之和为0.1wt％以上且20wt％以下，余量为Sn。

公开(公告)号：CN107235727A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710164495.5

申请日：2017-03-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 田中笃志 ,  西木直巳 ,  北浦秀敏 ,  中谷公明

IPC: C04B35/524 ,  C04B35/622 ,  H05K7/20

CPC classification number: C09K5/14 ,  C01B32/20 ,  C01B32/205 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/90 ,  C04B35/522 ,  C04B35/524 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/9607 ,  H05K7/2039

Abstract: 本发明提供能够用于狭小空间用的热传送材的、具有可挠曲部的石墨。使用包含传送热的传送部、和具有挠性的可挠曲部的石墨。另外，提供上述传送部的空隙率为1％以上且30％以下、且上述可挠曲部的空隙率大于30％且为50％以下的石墨。进一步，提供一种石墨的制造方法，其包括：对至少1个原料膜进行热处理，得到至少1个碳质膜的工序、准备包含上述至少1个碳质膜的单层结构体或多层结构体的准备工序、和在不活泼气氛中对上述单层结构体或多层结构体的至少一部分进行加热加压的工序。

公开(公告)号：CN103258802B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201310041563.0

申请日：2013-02-01

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 西川和宏 ,  西木直巳 ,  北浦秀敏 ,  中谷公明 ,  田中笃志

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H05K7/20509 ,  F28F13/003 ,  F28F21/02 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/373 ,  H01L33/641 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨结构体及使用该石墨结构体的电子器件，该石墨结构体是将高热传导性材料的15μm以下的石墨板(1)层叠而成的石墨结构体。贯通所述石墨板(1)的层叠体的表面和背面的贯通孔(2)的内周面由厚度为10~200nm的Ti层(3)覆盖，并且在所述贯通孔(2)的内侧形成有连通孔(4)。根据该结构，能够维持石墨的高热导电率并实现薄型化和高可靠性。

公开(公告)号：CN103958611B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280056764.1

申请日：2012-11-12

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 田中笃志 ,  西木直巳 ,  西川和宏 ,  北浦秀敏 ,  中谷公明 ,  岛中胜史 ,  畦地秋义

IPC: C08L101/00 ,  C08J5/18 ,  C08K3/04 ,  C08K7/00 ,  C09K5/08

CPC classification number: C09K5/14 ,  C08J5/18 ,  C08J2323/16 ,  C08K7/00 ,  C08K2201/001 ,  H05K9/0007 ,  H05K9/0083

Abstract: 本发明涉及一种各向异性导热组合物，其含有鳞片状石墨粒子、和使所述鳞片状石墨粒子分散的树脂成分，在鳞片状石墨粒子中，当设定基底面上的最大径为a、与所述基底面正交的厚度为c时，a/c以平均值计为30以上，鳞片状石墨粒子的含量多于40质量％且为90质量％以下。该各向异性导热组合物含有具有特有的形状的鳞片状石墨粒子，因此，在片材化时，能够高效地形成各向异性导热路径。所以，能够提供适合作为使热从高温部扩散到低温部的导热路径的片材状的成型品。

公开(公告)号：CN102422403B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201080021256.0

申请日：2010-07-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 北浦秀敏 ,  古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27472 ,  H01L2224/2901 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的半导体元器件(100)包括：半导体元件(101)；以及接合层(102)，该接合层(102)形成于半导体元件(101)的一个面上，由Bi为主要成分的接合材料构成，在接合层(102)的与半导体元件(101)相接的面的相反一侧的面上形成有凸部(103)。使用该半导体元器件(100)，使其与被配置成与接合层(102)彼此相对的电极(201)接合，从而能够抑制空隙的产生。

公开(公告)号：CN108155161B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201711258638.5

申请日：2017-12-04

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 北浦秀敏 ,  坂口茂树

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明的接合材料包含0.1wt％以上且5wt％以下能够与锡和碳形成化合物的至少一种元素，剩余部分包含Sn作为主成分。

公开(公告)号：CN115693208A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210873236.0

申请日：2022-07-21

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 藤村元彦 ,  小仓洋 ,  川北嘉洋 ,  北浦秀敏

IPC: H01R12/71 ,  H01R13/04 ,  H01R13/11 ,  H01R24/00 ,  H05K1/14 ,  H05K1/18 ,  H02M1/00 ,  G01R19/00 ,  G01R27/02

Abstract: 本发明提供一种电力变换装置，具备：多个电路基板(第一部件、第二部件)；至少一个嵌合构件，所述嵌合构件是将被连接于多个电路基板中的任一方并且具有大致平板形状的插入部的阳型嵌合构件与被连接于多个电路基板中的另一方并且具有相互相向地配置的第一挟持部和第二挟持部的阴型嵌合构件以由第一挟持部和第二挟持部挟持插入部的方式嵌合来将多个电路基板电连接的构件；差分放大器(电压测量部)，其测量嵌合构件的两端的电压；运算器(电阻值估计部)，其基于所测量出的电压，来估计嵌合构件的电阻值；以及电力变换电路控制器(通知部)，其以所估计出的电阻值超过电阻阈值为条件而进行通知。