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公开(公告)号：CN102610566A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210017248.X
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/6836
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法及制造装置。根据一实施例，公开了半导体装置的制造方法。该方法包含：(a)在形成有半导体元件的半导体晶片的元件形成面形成切断沟的步骤；(b)在上述半导体晶片的元件形成面贴附保护带的步骤；(c)研削上述半导体晶片的背面，使上述半导体晶片薄化，并将上述半导体晶片分割为形成有半导体元件的多个半导体芯片的步骤；(d)在上述半导体晶片的背面形成粘接剂层的步骤；(e)通过加热在上述半导体晶片的背面形成的上述粘接剂层使其熔融或软化并向上述粘接剂层吹出高压空气，将上述粘接剂层按每个上述半导体芯片分离切断的步骤；以及(f)剥离上述保护带的步骤。
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公开(公告)号：CN1738039A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510103818.7
申请日：2005-08-12
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 友野章
CPC classification number: H01L24/16 , H01L21/563 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/75743 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/30105 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2201/10977 , H05K2201/10992 , Y02P70/613 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/00 , H01L2924/01083 , H01L2224/13111 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665
Abstract: 一种半导体器件，包括倒装芯片焊接到电路衬底的半导体元件。利用具有焊剂功能的密封树脂，倒装芯片焊接所述半导体元件和所述电路衬底。所述半导体元件包括通过第一低熔点焊料层在第一电极焊盘上形成的焊料凸点。所述电路衬底包括对应于所述第一电极焊盘的第二电极焊盘，并且在所述第二电极焊盘上形成第二低熔点焊料层。所述焊料凸点通过所述第一和所述第二低熔点焊料层焊接到所述第一和所述第二电极焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990100A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510101170.3
申请日：2015-03-06
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 友野章
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明的实施方式提供一种一面抑制半导体衬底的破损一面将半导体衬底与支持衬底分离的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法是形成包括半导体衬底、第1接着剂层、第2接着剂层、及支持衬底的接着体者，且以第1接着剂层的周缘部露出的方式去除支持衬底的一部分与第2接着剂层的一部分，自支持衬底的与第2接着剂层的接着面的相反面沿厚度方向去除支持衬底的一部分，至少在支持衬底的一部分形成沿支持衬底的第1方向延伸的脆弱部，沿在支持衬底的平面上与第1方向交叉的第2方向剥离支持衬底。
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公开(公告)号：CN1574305A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048157.8
申请日：2004-06-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/12 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05572 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01067 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/01014 , H01L2924/01083 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/13109 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/05664 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166
Abstract: 提供一种半导体装置及其组装方法，把在半导体芯片和基板的连接中使用的焊锡材料因回流而产生的热应力限制在最小限度，在密封树脂中不产生空隙，可以防止半导体芯片元件面的破坏，特别可以防止配置在焊锡材料之上的低电容率绝缘膜的破损。该半导体装置包括：具有第1主面和与第1主面相对的第2主面的芯片装载基板(1)；配置在第2主面上的多个基板侧内部电极焊盘(2)；与基板侧内部电极焊盘(2)连接的第1焊锡球(3)；与第1焊锡球(3)连接的熔点高的第2焊锡球(4)；与第2焊锡球(4)连接的半导体芯片(6)；被封入第1焊锡球(3)以及第2焊锡球(4)的周围的密封树脂(7)。
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公开(公告)号：CN102610566B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210017248.X
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/6836
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法及制造装置。根据一实施例，公开了半导体装置的制造方法。该方法包含：(a)在形成有半导体元件的半导体晶片的元件形成面形成切断沟的步骤；(b)在上述半导体晶片的元件形成面贴附保护带的步骤；(c)研削上述半导体晶片的背面，使上述半导体晶片薄化，并将上述半导体晶片分割为形成有半导体元件的多个半导体芯片的步骤；(d)在上述半导体晶片的背面形成粘接剂层的步骤；(e)通过加热在上述半导体晶片的背面形成的上述粘接剂层使其熔融或软化并向上述粘接剂层吹出高压空气，将上述粘接剂层按每个上述半导体芯片分离切断的步骤；以及(f)剥离上述保护带的步骤。
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公开(公告)号：CN100399558C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510103818.7
申请日：2005-08-12
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 友野章
CPC classification number: H01L24/16 , H01L21/563 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/75743 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/30105 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2201/10977 , H05K2201/10992 , Y02P70/613 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/00 , H01L2924/01083 , H01L2224/13111 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665
Abstract: 一种半导体器件，包括倒装芯片焊接到电路衬底的半导体元件。利用具有焊剂功能的密封树脂，倒装芯片焊接所述半导体元件和所述电路衬底。所述半导体元件包括通过第一低熔点焊料层在第一电极焊盘上形成的焊料凸点。所述电路衬底包括对应于所述第一电极焊盘的第二电极焊盘，并且在所述第二电极焊盘上形成第二低熔点焊料层。所述焊料凸点通过所述第一和所述第二低熔点焊料层焊接到所述第一和所述第二电极焊盘。
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公开(公告)号：CN1331218C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410048157.8
申请日：2004-06-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/12 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05572 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01067 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/01014 , H01L2924/01083 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/13109 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/05664 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166
Abstract: 提供一种半导体装置及其组装方法，把在半导体芯片和基板的连接中使用的焊锡材料因回流而产生的热应力限制在最小限度，在密封树脂中不产生空隙，可以防止半导体芯片元件面的破坏，特别可以防止配置在焊锡材料之上的低电容率绝缘膜的破损。该半导体装置包括：具有第1主面和与第1主面相对的第2主面的芯片装载基板(1)；配置在第2主面上的多个基板侧内部电极焊盘(2)；与基板侧内部电极焊盘(2)连接的第1焊锡球(3)；与第1焊锡球(3)连接的熔点高的第2焊锡球(4)；与第2焊锡球(4)连接的半导体芯片(6)；被封入第1焊锡球(3)以及第2焊锡球(4)的周围的密封树脂(7)。
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