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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1400657A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02127066.X
申请日：2002-07-26
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/36 , H01L21/301 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/33 , H01L21/565 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/05624 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83815 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/10158 , H01L2924/10253 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡－基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。
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公开(公告)号：CN1267990C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN02127066.X
申请日：2002-07-26
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/36 , H01L21/301 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/33 , H01L21/565 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/05624 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83815 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/10158 , H01L2924/10253 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡-基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。
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公开(公告)号：CN1574393A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047239.0
申请日：2004-05-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/78 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/7802 , H01L29/7813
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括形成pn柱，由此pn柱设计为在一部分半导体衬底内具有条形形状，并且在要形成具有相同结构的多个半导体器件的区域上的衬底表面上，pn柱具有p导电类型和n导电类型的重复图形，在设置有重复图形的区域中形成具有相同结构的多个半导体器件的其余组成部件，而pn柱作为每个半导体器件的组成部件的一部分，以及在形成有相同结构的多个半导体器件的区域中将各半导体器件切割成单个半导体器件芯片。
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公开(公告)号：CN1267970C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN02155731.4
申请日：2002-12-09
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/02035 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/66348
Abstract: 利用以下步骤制造一种具有较低接通电阻的半导体器件。首先，形成晶片，该晶片包括一个半导体层以及一个位于半导体层上的半导体元件层。随后，从设有半导体层的侧面均匀地磨削晶片，以达到预定的厚度。接着，从设有半导体层的侧面蚀刻晶片，以达到预定的厚度，同时，掩蔽晶片的周边，使其与蚀刻剂隔离，以在周边处形成一个边缘。通过位于周边处的边缘加强晶片，因此即使晶片较大，也能够在通过蚀刻使晶片变薄之后的后续步骤中防止晶片破裂或翘曲。
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公开(公告)号：CN1426093A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02155731.4
申请日：2002-12-09
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/02035 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/66348
Abstract: 利用以下步骤制造一种具有较低接通电阻的半导体器件。首先，形成晶片，该晶片包括一个半导体层以及一个位于半导体层上的半导体元件层。随后，从设有半导体层的侧面均匀地磨削晶片，以达到预定的厚度。接着，从设有半导体层的侧面蚀刻晶片，以达到预定的厚度，同时，掩蔽晶片的周边，使其与蚀刻剂隔离，以在周边处形成一个边缘。通过位于周边处的边缘加强晶片，因此即使晶片较大，也能够在通过蚀刻使晶片变薄之后的后续步骤中防止晶片破裂或翘曲。
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