使用穿通电极制备堆叠封装的方法

    公开(公告)号:CN101499464B

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN200910003382.2

    申请日:2009-01-22

    IPC分类号: H01L25/04 H01L21/60 H01L21/56

    摘要: 本发明提供一种制备晶片级堆叠封装的方法,包括步骤:背面研磨包括多个第一半导体芯片的晶片的下表面;将支承构件附着到被背面研磨的晶片的下表面;将一个或更多单独的第二半导体芯片堆叠到被背面研磨的晶片的各第一半导体芯片上;形成第一穿通电极以电连接所堆叠的第一半导体芯片和第二半导体芯片;将第三半导体芯片附着到所堆叠的第二半导体芯片中的最上面的芯片,该第三半导体芯片具有电连接到第一穿通电极的第二穿通电极和连接到该第二穿通电极的重配置线;将外部连接端子连接到该第三半导体芯片的重配置线;以及切割其上堆叠第二和第三半导体芯片的晶片级的第一半导体芯片以用于芯片级半导体封装。