公开(公告)号：CN102646663B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210033632.9

申请日：2012-02-15

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 梁胜宅

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明公开了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：本体，具有第一表面和背对第一表面的第二表面，并且在第一表面中形成有沟槽。第一连接部可将本体的第一表面的一部分电连接到第二表面的一部分。第二连接部可将沟槽的底部的一部分电连接到本体的第二表面的一部分。下器件可设置在本体的沟槽中并且具有第三连接部，该第三连接部电连接第二连接部。上器件可设置在本体和下器件上，并且具有第四连接部，该第四连接部电连接第一连接部和第三连接部。

公开(公告)号：CN101533812B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN200810185288.9

申请日：2008-12-24

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 徐敏硕 ,  梁胜宅 ,  李升铉 ,  金钟薰

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及具有侧壁的半导体封装及其制造方法。一种半导体封装包括：半导体芯片，该半导体芯片具有上表面、与上表面相连的侧表面以及形成于上表面上的结合焊盘。形成第一绝缘层图案以覆盖半导体芯片的上表面和侧表面并暴露结合焊盘。再分布线路设置于第一绝缘层图案上并包括第一再分布线路部分和第二再分布线路部分。第一再分布线路部分具有与结合焊盘相连并对应于半导体芯片的上表面的端部，第二再分布线路部分从第一再分布线路部分延伸到半导体芯片的侧表面之外。第二绝缘层图案形成于半导体芯片上方并暴露部分第一再分布线路部分和第二再分布线路部分。

公开(公告)号：CN101877338A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010169233.6

申请日：2010-04-28

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 孙晧荣 ,  崔俊基 ,  梁胜宅

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552

摘要： 一种能够有效堆叠的半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：半导体芯片、绝缘层和贯通电极。半导体芯片具有：第一表面和第二表面、在半导体芯片中的电路部、与电路部电连接的内部电路图案、穿过内部电路图案并穿过第一和第二表面的通孔。绝缘层在半导体芯片的通孔上并具有暴露出内部电路图案的开口，所述内部电路图案通过通孔暴露出。贯通电极在通孔中并与通过绝缘层的开口暴露出的内部电路图案电耦合。

公开(公告)号：CN102646663A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210033632.9

申请日：2012-02-15

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 梁胜宅

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明公开了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：本体，具有第一表面和背对第一表面的第二表面，并且在第一表面中形成有沟槽。第一连接部可将本体的第一表面的一部分电连接到第二表面的一部分。第二连接部可将沟槽的底部的一部分电连接到本体的第二表面的一部分。下器件可设置在本体的沟槽中并且具有第三连接部，该第三连接部电连接第二连接部。上器件可设置在本体和下器件上，并且具有第四连接部，该第四连接部电连接第一连接部和第三连接部。

公开(公告)号：CN101330025B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710140731.6

申请日：2007-08-09

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 韩权焕 ,  朴昌濬 ,  徐敏硕 ,  金圣哲 ,  金圣敏 ,  梁胜宅 ,  李升铉 ,  金钟薰 ,  李荷娜

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

摘要： 一种用于封装的半导体芯片的制造方法，包括：在半导体芯片的焊盘外部的一部分中形成槽，在该半导体芯片上表面上具有焊盘；在该槽的侧壁上形成绝缘层；在半导体芯片上形成金属层以填充形成有绝缘层的该槽；刻蚀金属层以同时形成用来填充该槽的穿透硅通道和用来连接穿透硅通道和焊盘的分配层；以及去除半导体芯片的背表面使得穿透硅通道的下表面突出于半导体芯片。本发明还涉及一种半导体封装的制造方法。

公开(公告)号：CN100517699C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710088404.0

申请日：2007-03-22

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 李荷娜 ,  梁胜宅

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： 一种层叠封装，包括：基板，具有位于其上表面的连接焊垫和位于其下表面的球焊盘；至少两个半导体芯片，通过插入间隔物而层叠于所述基板上，且在对应于所述连接焊垫的位置定义有用于电连接的通孔；电连接构件，用于将所述层叠半导体芯片和所述基板相互电连接；一对热沉，形成为接触所述层叠半导体芯片的侧表面并沿垂直于所述基板的方向延伸；以及外部连接端子，附着到位于所述基板的下表面上的所述球焊盘。

公开(公告)号：CN101330025A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200710140731.6

申请日：2007-08-09

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 韩权焕 ,  朴昌濬 ,  徐敏硕 ,  金圣哲 ,  金圣敏 ,  梁胜宅 ,  李升铉 ,  金钟薰 ,  李荷娜

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

摘要： 一种用于封装的半导体芯片的制造方法，包括：在半导体芯片的焊盘外部的一部分中形成槽，在该半导体芯片上表面上具有焊盘；在该槽的侧壁上形成绝缘层；在半导体芯片上形成金属层以填充形成有绝缘层的该槽；刻蚀金属层以同时形成用来填充该槽的穿透硅通道和用来连接穿透硅通道和焊盘的分配层；以及去除半导体芯片的背表面使得穿透硅通道的下表面突出于半导体芯片。本发明还涉及一种半导体封装的制造方法。

公开(公告)号：CN101097906A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710088404.0

申请日：2007-03-22

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 李荷娜 ,  梁胜宅

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： 一种层叠封装，包括：基板，具有位于其上表面的连接焊垫和位于其下表面的球焊盘；至少两个半导体芯片，通过插入间隔物而层叠于所述基板上，且在对应于所述连接焊垫的位置定义有用于电连接的通孔；电连接构件，用于将所述层叠半导体芯片和所述基板相互电连接；一对热沉，形成为接触所述层叠半导体芯片的侧表面并沿垂直于所述基板的方向延伸；以及外部连接端子，附着到位于所述基板的下表面上的所述球焊盘。

公开(公告)号：CN101877338B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201010169233.6

申请日：2010-04-28

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 孙晧荣 ,  崔俊基 ,  梁胜宅

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552

摘要： 一种能够有效堆叠的半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：半导体芯片、绝缘层和贯通电极。半导体芯片具有：第一表面和第二表面、在半导体芯片中的电路部、与电路部电连接的内部电路图案、穿过内部电路图案并穿过第一和第二表面的通孔。绝缘层在半导体芯片的通孔上并具有暴露出内部电路图案的开口，所述内部电路图案通过通孔暴露出。贯通电极在通孔中并与通过绝缘层的开口暴露出的内部电路图案电耦合。

公开(公告)号：CN102709271A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210210493.2

申请日：2008-12-31

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 金钟薰 ,  徐敏硕 ,  梁胜宅 ,  李升铉 ,  姜泰敏

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

摘要： 本发明公开了一种具有减小尺寸的堆叠晶片水平封装。堆叠晶片水平封装包括具有第一结合垫的第一半导体芯片和具有第二结合垫的第二半导体芯片。半导体芯片的结合垫二者面向相同方向。第二半导体芯片布置成与第一半导体芯片平行。第三半导体芯片布置于用作支撑基板的第一和第二半导体芯片上方。第三半导体芯片具有在附着时在第一和第二半导体芯片之间露出的第三结合垫。最后，重新分配结构电连接到第一、第二和第三结合垫。