公开(公告)号：CN102157524A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110091015.X

申请日：2007-11-07

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 松冈大辅

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2924/14

摘要： 半导体集成电路(5)在其中央部设置内部电路(4)，并沿着半导体集成电路的4边，排列设置与外部进行信号输入输出用的I/O电路(1、2)及焊盘(3)。I/O电路(2)是设有1个焊盘的1级用I/O电路，I/O电路(1)是在朝向内部电路的方向以锯齿状设有两个焊盘的2级用I/O电路，作为全体设置两种I/O，所设置的焊盘的个数与必要的焊盘数相等。1级用I/O电路(2)与2级用I/O电路(1)具有给其供电的电源布线，这些电源布线为在I/O电路(1、2)的排列方向上前进的环状，在1级用与2级用I/O电路(1、2)间转接电源布线的电源布线转接区域(A)，设置在半导体集成电路的4个角部(C)。从而即使在焊盘数较多的半导体集成电路中，也能有效削减其面积。

公开(公告)号：CN101764112A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910253762.1

申请日：2009-12-17

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 园原英雄

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种半导体集成电路。根据本发明的示例性实施例的半导体集成电路包括被提供在半导体芯片中的I/O缓冲器、单层焊盘、以及多层焊盘。单层焊盘形成在I/O缓冲器的上方。多层焊盘与单层焊盘分离地形成在I/O缓冲器的上方。单层焊盘是专用于焊接的焊盘，并且多层焊盘是对其执行探针探测和焊接的焊盘。

公开(公告)号：CN1976032A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610162907.3

申请日：2006-11-29

申请人： 株式会社瑞萨科技

发明人： 林崇弘 ,  丰岛俊辅 ,  坂本和夫 ,  森野直纯 ,  田中一雄

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/49844 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/092 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06143 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06163 ,  H01L2224/49105 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够减小半导体器件的平面尺寸的技术。输入/输出电路形成在半导体衬底上方，接地布线和电源布线通过输入/输出电路上方，且用于键合焊盘的导电层形成在其上方。输入/输出电路由用作保护元件的nMISFET形成区域和pMISFET形成区域中的MISFET元件、电阻元件形成区域中的电阻元件以及二极管元件形成区域中的二极管元件形成。连接到保护元件并置于接地布线和电源布线下方的布线在nMISFET形成区域和pMISFET形成区域之间以及在接地布线和电源布线之间的引出区域中引出，以连接到导电层。

公开(公告)号：CN1191628C

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN98117399.3

申请日：1998-08-27

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 高森一雄

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

摘要： 制备在半导体芯片(51)上的集成电路(IC)通过焊盘阵列(50)电连接到封装的引线(54)；焊盘阵列包括暴露在第一局部收缩开口(51e/51f)的长焊盘(50a)和暴露在第二局部收缩开口(51d)并与长焊盘交替的的短焊盘(50b)，第一局部收缩开口的宽部分与相邻的第二局部收缩开口的宽部分偏置，以便制造出小于40微米的细距排列的长焊盘和短焊盘。

公开(公告)号：CN107591424A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710554665.0

申请日：2017-07-10

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金炳容 ,  黄晸護 ,  李锺赫

IPC分类号： H01L27/32 ,  H05K1/11

CPC分类号： H05K1/111 ,  H01L24/00 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/09227 ,  H05K2201/09409 ,  H05K2201/09418 ,  H05K2201/10128 ,  Y02P70/611

摘要： 显示装置包括显示基板和第一焊盘部，其中：显示基板包括显示图像的显示区和设置在显示区的周边的焊盘区；以及第一焊盘部设置在焊盘区中，第一焊盘部包括沿着第一方向上的第一曲线布置的多个第一线焊盘端子。

公开(公告)号：CN1568543B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN02820325.9

申请日：2002-10-11

申请人： 新光电气工业株式会社

发明人： 小林壮 ,  村松茂次 ,  风间拓也

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有电极端子(14)的半导体元件，所述电极端子(14)具有在半导体芯片电极的表面上平行排列的矩形平面形状且具有通过覆盖表面电极的电绝缘层表面上的过孔与所述电极端子(14)电连接的引线布图(16)，所述半导体元件的特征在于：在电绝缘层的表面上形成的过孔焊盘(20)的平面排列是通过交替偏向所述电极端子(14)的纵向的一侧或另一侧形成，以及所述引线布图(16)与所述过孔焊盘(20)连接。即使电极端子之间间距微小，本发明能够很容易地形成引线布图。

公开(公告)号：CN102110666A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010555054.6

申请日：2010-11-23

申请人： 威盛电子股份有限公司

发明人： 赖威志 ,  姜凡

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06163 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种集成电路封装及实体层介面排列，该集成电路封装包括一集成电路芯片、一封装载板及多个将集成电路芯片连接至封装载板的导电凸块。集成电路芯片包括一基底及一配置在基底的一有源面上的集成电路层。有源面具有一核心区及一围绕着核心区的信号区。集成电路层包括一第一实体层介面。第一实体层介面包括多个第一凸块垫及多个分别电性连接至这些第一凸块垫的内部垫。这些第一内部垫多排地排列于信号区。

公开(公告)号：CN1976032B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200610162907.3

申请日：2006-11-29

申请人： 株式会社瑞萨科技

发明人： 林崇弘 ,  丰岛俊辅 ,  坂本和夫 ,  森野直纯 ,  田中一雄

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/49844 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/092 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06143 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06163 ,  H01L2224/49105 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够减小半导体器件的平面尺寸的技术。输入/输出电路形成在半导体衬底上方，接地布线和电源布线通过输入/输出电路上方，且用于键合焊盘的导电层形成在其上方。输入/输出电路由用作保护元件的nMISFET形成区域和pMISFET形成区域中的MISFET元件、电阻元件形成区域中的电阻元件以及二极管元件形成区域中的二极管元件形成。连接到保护元件并置于接地布线和电源布线下方的布线在nMISFET形成区域和pMISFET形成区域之间以及在接地布线和电源布线之间的引出区域中引出，以连接到导电层。

公开(公告)号：CN1135268A

公开(公告)日：1996-11-06

申请号：CN94194179.5

申请日：1994-11-16

申请人： 佛姆法克特股份有限公司

发明人： 伊戈尔·Y·汉德罗斯 ,  加埃唐·L·马蒂厄

IPC分类号： H01R9/00 ,  H01R29/00 ,  H01R23/70 ,  B23K31/02 ,  H05K3/30

CPC分类号： H05K7/1069 ,  B23K2101/40 ,  G01R1/0466 ,  G01R1/0483 ,  G01R1/06711 ,  G01R1/06716 ,  G01R1/06761 ,  G01R1/07314 ,  G01R1/07342 ,  G01R1/07357 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2884 ,  G01R31/2886 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/6715 ,  H01L22/20 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/72 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01R12/52 ,  H05K1/141 ,  H05K3/308 ,  H05K3/326 ,  H05K3/3421 ,  H05K3/3426 ,  H05K3/368 ,  H05K3/4015 ,  H05K3/4092 ,  H05K2201/0397 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/1031 ,  H05K2201/10318 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10719 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2201/10757 ,  H05K2201/10878 ,  H05K2201/10909 ,  H05K2201/10946 ,  Y02P70/611 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49149 ,  Y10T29/49162 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T29/49217 ,  Y10T29/49224 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/81205

摘要： 一种互联接触结构组件包括一电子元件，该电子元件有一表面和在该表面可触及的一导电接触。接触结构包括一具有第一和第二端的内柔性细长元件，第一端在所述导电接触端的表面形成第一紧密结合点而无需用另外的连接材料。一导电壳体由至少一层包封柔性细长元件的导电的材料组成，同时在紧邻第一紧密结合点的至少一部分导电接触端形成第二紧密结合点。

公开(公告)号：CN104684244B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201410710038.8

申请日：2014-11-28

申请人： 揖斐电株式会社

发明人： 清水敬介 ,  中村雄一 ,  山口刚

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/00

CPC分类号： H05K1/183 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06152 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/14152 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15313 ,  H05K1/181 ,  H05K1/185 ,  H05K3/30 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/10674 ,  Y10T29/4913

摘要： 电子部件内置基板、电子部件内置基板的制造方法。提供可靠性高的电子部件内置基板的制造方法。在第2树脂绝缘层(550F)上的第2导体布线层(558F)上覆盖有第3树脂绝缘层(650Fa)的状态下进行腔室(651)的去钻污处理，因此，在第2树脂绝缘层(550F)和第2导体布线层(558F)之间不会产生间隙，该第2导体布线层(558F)的可靠性不会下降。