Abstract:
A via structure (210) is disclosed to pass electronic signals from a first conductive pathway formed on a first outermost substrate of a multi-layer PCB to a second conductive pathway formed on a second outermost substrate of the multi-layer PCB. The via structure allows the electronic signals to pass from the first outermost substrate through one or more inner substrates to the second outermost substrate. The one or more inner substrates include one or more closed geometric structures (224.1,224.2) to enclose the via structure.
Abstract:
An electrical conductive covering structure of an illuminating device (8) includes a substrate (81) and a plurality of light-emitting elements (82). The electrical conductive covering structure includes an electrical conductive circuit (10), an electrical connector (20), a transparent body (30), and a lamp cover (40). The electrical conductive circuit (10) is arranged on a surface of the substrate (81) and electrically connected to the light-emitting elements (82). The electrical connector (20) is fixed to the substrate (81) and electrically connected to the electrical conductive circuit (10). The transparent body (30) is over-molded outside the electrical conductive circuit (10) and the electrical connector (20). The lamp cover (40) is over-molded outside the electrical connector (20) and the transparent body (30). With this structure, the influence of humidity and moisture on the illuminating device (8) can be minimized, thereby increasing its anti-oxidant property and lifetime.
Abstract:
Disclosed is a method to decrease warpage of a multi-layer substrate, comprises a first metal layer and a second metal layer. First area of the first metal layer is larger than second area of the second metal layer. In the same layer of the second metal layer, a redundant metal layer can be set to make a redundant metal layer area plus the second area considerably equivalent to the first area. Alternatively, a redundant space can be set in the first metal layer to achieve the same result. When the multi-layer substrate comprises a first dielectric layer with an opening and a second dielectric layer, a redundant opening positioned corresponding to the opening can be set in the second dielectric layer. The present invention employs a method of balancing the multi-layer substrate stress, i.e. to homogenize the multi-layer structure composed of different metal layers and dielectric layers to decrease warpage thereof.
Abstract:
Ein Zündgerät für eine Hochdruckgasentladungslampe soll für eine automatische Fertigung optimiert werden. Eine Leiterplatte des Zündgeräts soll einfach und mit geringem Aufwand mit elektrischen und/oder elektronischen SMD's (Surface Mounted Devices) bestückt werden können. Hierfür wird vorgeschlagen, dass das Stanzgitter mit Ausnahme der Kontaktflächen mit nicht leitendem Kunststoff umspritzt ist, wobei eine Größe der Kontaktflächen auf die anzubindenden Bauteile und auf Anschlüsse des Zündtransformators abgestimmt ist.
Abstract:
Beschrieben wird ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Herstellung eines leitfähigen strukturierten Polymerfilms, die über eine Elektrode (12) mit vorgegebenen strukturierten Bereichen erhöhter Leitfähigkeit sowie über eine Aufbringeinrichtung (10) zum Kontaktieren der Elektrode mit einem Elektrolyten (11) verfügt. Der Elektrolyt (11) weist wenigstens ein niedermolekulares Monomer auf und wird in der Aufbringeinrichtung (10) derart mit der Elektrode (12) in Kontakt gebracht, dass oberhalb der leitfähigen Bereiche eine leitfähige Polymerschicht mit der vorgegebenen Struktur gebildet wird. Die beschriebene technische Lösung zeichnet sich dadurch aus, dass eine Messeinrichtung (17) zum Messen der Konzentration der niedermolekularen Verbindung vorgesehen ist.
Abstract:
Erfindungsgemäß ist ein Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einem Substrat, gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte: a. einen Polymerisationsprozess, wobei mindestens eine Strukturelektrode verwendet wird, deren Oberfläche einen ersten Bereich einer vorgebbaren Struktur (Elektrodenkontaktbereich) und einen übrigen, zweiten Bereich (Elektrodenkomplementärbereich) aufweist, wobei der Elektrodenkontaktbereich mit einem ersten Spannungspotential verbindbar ist, wenigstens ein Teil des Elektrodenkontaktbereiches in Kontakt mit einem, vorzugsweise flüssigen, ersten Elektrolyten gebracht wird, wobei in den ersten Elektrolyten polymerisier- und/oder vernetzbare Verbindungen eingebracht sind, und über die Strukturelektrode ein erster Stromfluss durch den ersten Elektrolyten erzeugt wird, wobei auf den mit dem ersten Elektrolyten in Kontakt gebrachten Elektrodenkontaktbereich ein leitfähiger Polymerfilm der vorgegebenen Struktur gebildet wird (Polymerstruktur), b. einen Galvanikprozess, wobei wenigstens ein Teil der Polymerstruktur in Kontakt mit einem, vorzugsweise flüssigen, zweiten Elektrolyten gebracht wird, wobei in den zweiten Elektrolyten ein metallischer Stoff eingebracht ist, wobei über die Polymerstruktur ein zweiter Stromfluss durch den zweiten Elektrolyten erzeugt wird, wobei auf den mit dem zweiten Elektrolyten in Kontakt gebrachten Bereich der Polymerstruktur ein leitfähiger Metallfilm der vorgegebenen Struktur gebildet und/oder abgeschieden wird (Metallstruktur), c. einen Transfer der Metallstruktur auf das Substrat, wobei wenigstens ein Teil der Metallstruktur auf das Substrat aufgebracht wird, und/oder einen Transfer der Polymerstruktur auf das Substrat, wobei wenigstens ein Teil der Polymerstruktur auf das Substrat aufgebracht wird.
Abstract:
A mounting region (S) having a rectangular shape is provided at an approximately center of one surface of an insulating layer (1). A plurality of conductive traces (2) are formed so as to outwardly extend from the inside of the mounting region. A cover insulating layer (4) is formed so as to cover the plurality of conductive traces in a periphery of the mounting region. An electronic component (5) is mounted on the insulating layer so as to overlap with the mounting region. A metal layer (3) is provided on the other surface of the insulating layer. Openings (3b,3d) having a rectangular shape are formed in the metal layer along a pair of longer sides and a pair of shorter sides of the mounting region. The openings are opposite to part of terminals of the plurality of conductive traces, respectively, with the insulating layer sandwiched therebewteen.
Abstract:
A mounting region (S) is provided at an approximately center of one surface of an insulating layer (1). A conductive trace (2) is formed so as to outwardly extend from inside of the mounting region. A cover insulating layer (4) is formed in a periphery of the mounting region so as to cover the conductive trace. A terminal (21) of the conductive trace is arranged in the mounting region, and a bump (5a) of an electronic component (5) is bonded to the terminal. A metal layer (3) made of copper, for example, is provided on the other surface of the insulating layer. A pair of slits is formed in the metal layer such that a region being opposite to the electronic component is sandwiched therebetween. Each slit is formed so as not to divide the metal layer into a plurality of regions.