公开(公告)号：EP3270539A1

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：EP17180190.5

申请日：2017-07-07

申请人： IMEC vzw ,  Katholieke Universiteit Leuven

发明人： BURY, Erik ,  FRANCO, Jacopo ,  HELLINGS, Geert ,  DEGRAEVE, Robin ,  KACZER, Benjamin

IPC分类号： H04L9/32 ,  H04L9/08 ,  G09C1/00

CPC分类号： H03K19/003 ,  G09C1/00 ,  H01L21/326 ,  H01L23/528 ,  H01L23/573 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/088 ,  H03K17/002 ,  H04L9/0861 ,  H04L9/0866 ,  H04L9/0894 ,  H04L9/14 ,  H04L9/3278

摘要： Present invention relates to a device (100), and related systems and methods, for implementing a physically unclonable function. The device comprises at least one electronic structure (101,102) comprising a dielectric (105). A conductive path is formed at a random position through the dielectric due to an electrical breakdown of the dielectric (105), or the electronic structure is adapted for generating an electrical breakdown of the dielectric such that said conductive path is formed through the dielectric (105) at a random position. The at least one electronic structure is furthermore adapted for determining a distinct value of a set comprising at least two predetermined values, wherein this distinct value is determined by the position of the conductive path through the dielectric (105).

摘要翻译： 本发明涉及用于实现物理不可克隆功能的设备（100）以及相关系统和方法。 该装置包括至少一个包括电介质（105）的电子结构（101,102）。 由于电介质（105）的电击穿，导电路径形成在通过电介质的随机位置处，或者电子结构适于产生电介质的电击穿，使得所述导电路径穿过电介质（105 ）在随机位置。 所述至少一个电子结构还适于确定包括至少两个预定值的组的不同值，其中该不同值由通过电介质（105）的导电路径的位置确定。

公开(公告)号：EP3227916A2

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：EP15866028.2

申请日：2015-12-01

申请人： Endura Technologies LLC

发明人： DOSLUOGLU, Taner

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/092 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/17177 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1427 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/3436

摘要： A scalable switching regulator architecture may include an integrated inductor. The integrated inductor may include vias or pillars in a multi-layer substrate, with selected vias coupled at one end by a redistribution layer of the multi-layer substrate and, variously, coupled at another end by a metal layer of a silicon integrated circuit chip or by a further redistribution layer of the multi-layer substrate. The vias may be coupled to the silicon integrated circuit chip by micro-balls, with the vias and micro-balls arranged in arrays.

摘要翻译： 可扩展的开关稳压器架构可以包括集成电感器。 集成电感器可以包括多层基板中的通孔或柱，其中选择的通孔在一端由多层基板的再分布层耦合，并且在另一端不同地通过硅集成电路芯片的金属层 或者通过多层衬底的另一重新分布层。 通孔可以通过微球耦合到硅集成电路芯片，其中通孔和微球布置成阵列。

公开(公告)号：EP2915257A4

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：EP12887826

申请日：2012-12-14

申请人： VERISITI INC

发明人： THACKER III WILLIAM ELI ,  TENCZAR ROBERT FRANCIS ,  HOKE MICHAEL CLINTON

IPC分类号： H03K19/20 ,  H01L23/00 ,  H01L27/02 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L27/0922 ,  H01L21/82 ,  H01L23/573 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/06 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  H03K19/20 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2997608A1

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：EP14736539.9

申请日：2014-06-09

申请人： Luxvue Technology Corporation

发明人： BIBL, Andreas ,  GRIGGS, Charles R.

IPC分类号： H01L33/44

CPC分类号： H01L25/167 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/165 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

摘要： Light emitting devices and methods of integrating micro LED devices into light emitting device are described. In an embodiment a light emitting device includes a reflective bank structure within a bank layer, and a conductive line atop the bank layer and elevated above the reflective bank structure. A micro LED device is within the reflective bank structure and a passivation layer is over the bank layer and laterally around the micro LED device within the reflective bank structure. A portion of the micro LED device and a conductive line atop the bank layer protrude above a top surface of the passivation layer.

摘要翻译： 描述了将微型LED器件集成到发光器件中的发光器件和方法。 在一个实施例中，发光器件包括在堤层内的反射堤坝结构，以及位于堤层顶部并在反射堤岸结构上方升高的导电线。 微型LED器件在反射堤结构内，钝化层位于堤层之上，并且侧向围绕反射堤坝结构内的微型LED器件。 微型LED器件的一部分和在堤层顶部的导电线突出于钝化层的顶表面之上。

公开(公告)号：EP1649493B1

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：EP04777801.4

申请日：2004-07-08

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： BEDNAR, Thomas, R. ,  GOULD, Scott, W. ,  LACKEY, David, E. ,  STOUT, Douglas, W. ,  ZUCHOWSKI, Paul, S.

IPC分类号： G06F17/50 ,  H02J3/38 ,  G06F1/26 ,  G11C5/14 ,  H01L23/528 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L23/5286 ,  G11C5/14 ,  H01L27/0203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2839583A4

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：EP13778241

申请日：2013-04-17

申请人： SILANNA GROUP PTY LTD

发明人： MOGHE YASHODHAN VIJAY ,  TERRY ANDREW

IPC分类号： H03M1/02 ,  B82Y25/00 ,  H01F19/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H03K17/16 ,  H03M1/08 ,  H03M1/12 ,  H03M1/66 ,  H04B1/40 ,  H04J3/04

CPC分类号： H03K17/161 ,  H01F19/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/538 ,  H01L27/0203 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H03M1/0827 ,  H03M1/12 ,  H03M1/66 ,  H04J3/047 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2765604A4

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：EP13840111

申请日：2013-08-09

申请人： SHENZHEN SUNMOON MICROELECTRONICS CO LTD

发明人： LI ZHAOHUA

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H02M1/36 ,  H03K17/22

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/085 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/808 ,  H02M1/36 ,  H03K17/22

公开(公告)号：EP2738806A2

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：EP13194661.8

申请日：2013-11-27

申请人： Enpirion, Inc.

发明人： Lotfi, Ashraf W. ,  Demski, Jeffrey ,  Feygenson, Anatoly ,  Lopata, Douglas Dean ,  Norton, Jay ,  Weld, John D.

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/64

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/522 ,  H01L23/642 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and method of forming the same including, in one embodiment, a semiconductor die (1905) formed with a plurality of laterally diffused metal oxide semiconductor ("LDMOS") cells. The semiconductor device also includes a redistribution layer (1940) electrically coupled to the plurality of LDMOS cells and a plurality of metallic pillars (1945) distributed over and electrically coupled to the redistribution layer.

摘要翻译： 一种半导体器件及其形成包括，在一个实施例中，半导体的（1905）晚期反弹多个形成的方法扩散金属氧化物半导体（“LDMOS”）细胞。 因此，该半导体器件包括：电耦合到LDMOS细胞的多元性和分布在并且电耦合到再分布层的金属柱（1945）的多个A再分配层（1940）。

公开(公告)号：EP2200078A1

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：EP07829443.6

申请日：2007-10-09

申请人： Fujitsu Limited

发明人： SOSOGI, Yasuhide

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC分类号： G11C5/063 ,  G11C5/025 ,  G11C2029/1206 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11807 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor integrated circuit device includes plural circuit units each having plural logic circuits; and plural power terminals supplying power source from outside to the semiconductor integrated circuit device, in which the plural circuit units each having plural logic circuits have common packaging design with each other, and lengths in a vertical direction and a lateral direction of the circuit units each having plural logic circuits are equal to an even multiple of a distance between the power terminals adjacent to each other.

摘要翻译： 半导体集成电路器件包括多个电路单元，每个电路单元具有多个逻辑电路 以及从外部向半导体集成电路装置供应电源的多个电源端子，其中每个具有多个逻辑电路的多个电路单元具有彼此共同的封装设计，并且每个电路单元的垂直方向和横向方向上的长度各自 具有多个逻辑电路的电源的电压等于彼此相邻的电源端子之间的距离的偶数倍。

公开(公告)号：EP2147461A1

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：EP08737899.8

申请日：2008-04-17

申请人： NXP B.V.

发明人： HUERTA, Almudena ,  VAN DUUREN, Michiel Jos ,  AKIL, Nader ,  GOLUBOVIC, Dusan ,  BOUTCHICH, Mohamed

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G11C16/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

摘要： A memory cell (300, 500), the memory cell (300, 500) comprising a substrate (301), a nanowire (302) extending along a vertical trench formed in the substrate (301), a control gate (303) surrounding the nanowire (302), and a charge storage structure (320, 501) formed between the control gate (303) and the nanowire (302).

摘要翻译： 一种存储单元，包括：基板上的存储单元，沿基板形成的垂直沟槽延伸的纳米线，控制栅极周围的纳米线，和电荷存储结构中的控制栅和纳米线之间形成的。