公开(公告)号：JP4868482B2

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：JP2001505050

申请日：2000-06-16

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： シルプ アンドレア ,  ベック トーマス ,  ベッカー フォルカー ,  レルマー フランツ

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C30B33/12 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01J37/32174 ,  C30B33/12 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086

公开(公告)号：JP4866243B2

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：JP2006538298

申请日：2004-10-28

Applicant: ラム リサーチ コーポレーション

Inventor： ウイリアムズ，ノーマン ,  パトリック，ロジャー ,  リチャードソン，ブレット

IPC: H01L21/3065 ,  B23K9/02 ,  C23C16/505 ,  C23F1/00 ,  H01J7/24 ,  H01L20060101 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 ,  H05B31/26 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32935 ,  H03H7/40

公开(公告)号：JP4861329B2

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：JP2007534578

申请日：2005-08-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  ティアン、カイズ・ホン ,  神原弘光 ,  西塚哲也 ,  野澤俊久

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

公开(公告)号：JP4850385B2

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：JP2002552818

申请日：2000-12-25

Applicant: 三菱商事プラスチック株式会社 ,  株式会社ユーテック

Inventor： 小林　　巧 ,  浜　　研一 ,  智幸 荒木 ,  鹿毛　　剛

IPC: C23C16/509 ,  B65D23/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  H01J37/32532 ,  Y10S427/106

公开(公告)号：JP2011529273A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：JP2011520089

申请日：2009-07-13

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： ケネス エス コリンズ ,  ジェニファー ワイ サン ,  メイファ シェン ,  アンドリュー ヌグエン ,  ダグラス エー ジュニア ブッフバーガー ,  シャヒド ラウフ ,  カーティク ラマスワミィ ,  トステン ビー リル ,  広二 塙

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6833

Abstract: In an electrostatic chuck, RF bias power is separately applied to a workpiece and to a process kit collar surrounding the workpiece. At least one variable impedance element governed by a system controller adjusts the apportionment of RF bias power between the workpiece and the process kit collar, allowing dynamic adjustment of the plasma sheath electric field at the extreme edge of the workpiece, for optimum electric field uniformity under varying plasma conditions, for example.

公开(公告)号：JP2011222960A

公开(公告)日：2011-11-04

申请号：JP2011000515

申请日：2011-01-05

Applicant: Hitachi Kokusai Electric Inc ,  株式会社日立国際電気

Inventor： TOYODA KAZUYUKI ,  KASAHARA OSAMU ,  HIROSE YOSHIRO ,  TAKADERA HIROYUKI ,  KAMIMURA HIROYOSHI

IPC: H01L21/31 ,  B65G49/07 ,  C23C16/507 ,  H01L21/318 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32761 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20221 ,  H01L21/0228

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processor, along with a method of manufacturing a semiconductor device, capable of improving throughput while performing elaborate substrate treatment.SOLUTION: The substrate processor includes a substrate support part provided in a processing chamber for supporting a substrate, a substrate support part shifting mechanism for shifting the substrate support part, a gas supply part for supplying gas to the processing chamber, an exhaust part for exhausting the gas in the processing chamber, and a plasma generating part provided to face the substrate support part.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种基板处理器以及制造半导体器件的方法，其能够在进行精细的基板处理时提高生产量。 解决方案：基板处理器包括设置在用于支撑基板的处理室中的基板支撑部，用于移动基板支撑部的基板支撑部移动机构，用于向处理室供给气体的气体供给部，排气 用于排出处理室中的气体的部分，以及设置成面对基板支撑部的等离子体产生部。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011216550A

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：JP2010081063

申请日：2010-03-31

Applicant: Sekisui Chem Co Ltd ,  積水化学工業株式会社

Inventor： KUNUGI SHUNSUKE ,  MAYUMI SATOSHI

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6776 ,  H01L29/66765

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten a process cycle time by efficiently etching a channel part etc., of a semiconductor device.SOLUTION: An object 9 to be processed is continuously conveyed along a conveyance path 11 wherein the pressure is close to atmospheric pressure. An etchant is supplied from a supply nozzle 21 to the object 9 to be processed at an upstream-side position on the conveyance path 11 and a metal film 97 is wet etched. Successively, an etching gas containing a fluorine-based reaction component and an oxidative reaction component is brought into contact with a surface of the object 9 to be processed in a processing space 19 on a downstream side on the conveyance path 11 and a semiconductor film 94 is dry etched. The fluorine-based reaction component is generated with atmospheric-pressure plasma. In accordance with a conveying speed of the object 9 to be processed, the etching rate is set so that an etching depth in a period wherein the object 9 to be processed passes through the processing space 19 is substantially equal to a thickness of a film part 96 doped with an impurity.

Abstract translation: 要解决的问题：通过有效地蚀刻半导体器件的沟道部分等来缩短处理周期时间。解决方案：被处理物体9沿着输送路径11连续地输送，其中压力接近大气压。 从供给喷嘴21向输送路径11的上游侧位置处理的被处理体9供给蚀刻剂，并对金属膜97进行湿蚀刻。 接着，将含有氟系反应成分和氧化反应成分的蚀刻气体与输送路径11的下游侧的处理空间19中的被处理物9的表面和半导体膜94接触 被干蚀刻。 氟系反应成分是用大气压等离子体生成的。 根据待处理物体9的输送速度，蚀刻速率被设定为使得待处理物体9经过处理空间19的时间段内的蚀刻深度基本上等于膜部分的厚度 96掺杂杂质。

公开(公告)号：JP4794449B2

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：JP2006532543

申请日：2004-04-29

Applicant: ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation

Inventor： スリニバサン・ムクンド ,  フィッシャー・アンドレアス ,  ローウェンハルト・ピーター

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165

公开(公告)号：JP4768905B2

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：JP2000250481

申请日：2000-08-22

Applicant: アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド

Inventor： カレン・エル・シーワード ,  ジョン・エス・ハーグリーブス ,  ダニエル・ビー・ロイトマン ,  ホーマー・アントニアディス

IPC: H05B33/04 ,  B32B7/02 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5315

公开(公告)号：JP4732475B2

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：JP2008070713

申请日：2008-03-19

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 薫 前川 ,  光太郎 宮谷 ,  保男 小林

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116