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公开(公告)号:JPWO2012063642A1
公开(公告)日:2014-05-12
申请号:JP2012503160
申请日:2011-10-26
Applicant: コニカミノルタ株式会社
IPC: H01L41/18 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/135 , B41J2/14 , B41J2/16 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/316 , H01L41/39
CPC classification number: H01L41/1876 , B41J2/1646 , C04B35/491 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/768 , C23C14/088 , C23C14/35 , G01J5/34 , H01L41/0805 , H01L41/316 , H03H3/00 , H03H3/02 , H03H9/02031 , Y10T428/265
Abstract: 基板の上に所定厚みの強誘電体の薄膜を結晶性良く成膜して高い圧電特性を発揮する強誘電体薄膜、この強誘電体薄膜の製造方法、および、この強誘電体薄膜を備える圧電素子の製造方法を得るために、基板上にペロブスカイト構造の誘電体材料を成膜する際に、PZTに所定量の添加物を配合し、この配合濃度を薄膜の厚み方向に変化させた強誘電体薄膜、この強誘電体薄膜の製造方法、および、この強誘電体薄膜を備える圧電素子の製造方法とした。
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公开(公告)号:JP5453451B2
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:JP2011540986
申请日:2009-12-18
Applicant: サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド
Inventor: ジュリアン・ピー・フォアケイド , オリヴィエ・チッティ
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/457 , C04B2235/32 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/77 , C04B2235/95
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公开(公告)号:JP5446262B2
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:JP2008523735
申请日:2007-07-05
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F17/00
CPC classification number: H01F17/0013 , B32B18/00 , C04B35/265 , C04B2235/3208 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3274 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/72 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , C04B2237/704 , H01F3/14 , H01F41/046
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公开(公告)号:JPWO2012043208A1
公开(公告)日:2014-02-06
申请号:JP2012536326
申请日:2011-09-12
Applicant: 株式会社村田製作所
Inventor: 祥一郎 鈴木 , 祥一郎 鈴木 , 将典 中村 , 将典 中村 , 伴野 晃一 , 晃一 伴野 , 泰介 神崎 , 泰介 神崎 , 彰宏 塩田 , 彰宏 塩田 , 大塚 正博 , 正博 大塚
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/30 , C01G25/006 , C01G29/006 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/62685 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3248 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/6562 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/00 , H01G4/1227
Abstract: 低温焼成が可能であり、かつ良好な誘電特性を示す誘電体セラミック、およびそれを用いた積層セラミック電子部品を提供する。(Ba1-x-yCaxSry)m(Ti1-zZrz)O3(ただし、1.005≦m≦1.2、0≦x+y≦0.2、0≦z≦0.2)を主成分とし、Biを含む誘電体セラミックであって、前記主成分100モル部に対する前記Biの含有量が1.0モル部以上40モル部以下であることを特徴とする。
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公开(公告)号:JP5410982B2
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:JP2009539179
申请日:2007-11-22
Applicant: コリア インスティチュート オブ セラミック エンジニアリング アンド テクノロジー
CPC classification number: C04B35/01 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/656 , C04B2235/767 , C04B2235/80 , H05K1/0306
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公开(公告)号:JP5407330B2
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:JP2008502761
申请日:2007-02-26
Applicant: コニカミノルタ株式会社
IPC: C04B35/00 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/187 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/3286 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/768 , C04B2235/80
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公开(公告)号:JP5355148B2
公开(公告)日:2013-11-27
申请号:JP2009047136
申请日:2009-02-27
Applicant: キヤノン株式会社 , 国立大学法人山梨大学 , 国立大学法人京都大学 , 国立大学法人東京工業大学 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 学校法人東京理科大学
IPC: C04B35/462 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22 , H01L41/257 , H01L41/39
CPC classification number: H01L41/187 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G29/00 , C01P2002/34 , C01P2002/76 , C01P2004/20 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/42 , C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B35/499 , C04B35/547 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3255 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298
Abstract: Provided is a piezoelectric material including a lead-free perovskite-type composite oxide which is excellent in piezoelectric characteristics and temperature characteristics and is represented by the general formula (1): xABO3-yA′BO3-zA″B′O3 in which A is a Bi element; A′ is a rare earth element including La; B is at least one element selected from Ti, Zn, Sn and Zr; A″ is at least one element selected from Ba, Sr and Ca; B′ is at least one element selected from divalent, trivalent, pentavalent, tetravalent, and hexavalent elements; and x is a value of 0.10 or more and 0.95 or less, y is a value of 0 or more and 0.5 or less, and z is a value of 0 or more and 0.7 or less, provided that x+y+z=1.
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公开(公告)号:JP5332807B2
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:JP2009082029
申请日:2009-03-30
Applicant: Tdk株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/02 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC classification number: H01B3/12 , C04B35/20 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , C04B2235/408 , C04B2235/656 , H01G4/1227
Abstract: To provide a dielectric ceramic composition which is free from variation in breakdown voltage, and has excellent electric properties. The dielectric ceramic composition according to the present invention includes: as a main component, a component represented by a composition formula {±(xBaO·yNd 2 O 3 ·zTiO 2 )+²(2MgO·SiO 2 )}, wherein x, y, and z representing a molar ratio of the BaO, Nd 2 O 3 , and TiO 2 are each in a specific molar ratio range, and ± and ² representing a volume ratio of each component in the main component are each in a specific volume ratio range; and as minor components with respect to the main component, zinc oxide, boron oxide, a glass having a softening point at a specific temperature or less, and silver, wherein a, b, c, and d representing a mass ratio of each of the minor components based on the main component are each in a specific mass ratio range.
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公开(公告)号:JPWO2012026397A1
公开(公告)日:2013-10-28
申请号:JP2012530646
申请日:2011-08-19
Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構 , 株式会社村田製作所
Inventor: 鈴木 達 , 達 鈴木 , 打越 哲郎 , 哲郎 打越 , 目 義雄 , 義雄 目 , 恭也 三輪 , 恭也 三輪 , 慎一郎 川田 , 慎一郎 川田 , 木村 雅彦 , 雅彦 木村
IPC: H01L41/39 , C04B35/462 , H01L41/187 , H01L41/333 , H01L41/43
CPC classification number: C04B35/475 , B28B1/30 , B28B5/027 , C04B35/465 , C04B35/495 , C04B2235/3208 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6027 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/787 , H01L41/1878 , H01L41/333 , H01L41/43 , Y10T428/2982
Abstract: 【課題】圧電セラミック粒子の結晶軸の3軸全てが配向している電気特性の優れた圧電セラミックスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】板状セラミック粒子を含むセラミックスラリーを、磁場中でスリップキャスト成形またはシート成形してなる圧電セラミックスである。この圧電セラミックスの所定の断面におけるX線回折(XRD)パターンに基づいて、Lotgering(ロットゲーリング)法により算出した第1軸(例えばc軸)の配向度は0.30以上である。そして、第1軸の配向度が最大値を示す断面を基準面とし、この基準面に対して直交する断面におけるX線回折パターンに基づいて、Lotgering法により算出した第2軸(例えばa軸)の配向度は0.20以上である。第2軸の配向度は、基準面に対して直交する断面のうち、第2軸の配向度が最大値となるような断面における値である。【選択図】無し
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公开(公告)号:JP5294441B2
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:JP2006235529
申请日:2006-08-31
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12 , H05K3/46
CPC classification number: H05K1/162 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01G4/1227 , H01G4/30 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16268 , H05K1/0306 , H05K3/4688 , H05K2201/0187
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