公开(公告)号：JPWO2015129486A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：JP2016505149

申请日：2015-02-13

申请人： 日産化学工業株式会社

发明人： 徳昌 藤谷 ,  徳昌 藤谷 ,  坂本　力丸 ,  力丸 坂本

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08F212/06 ,  C08F220/06 ,  C08F220/12 ,  C08F220/34 ,  C08F220/54 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08F212/12 ,  C08F220/06 ,  C09D125/16 ,  C09D133/02 ,  G03F7/091 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0271

摘要： 【課題】レジストとインターミキシングすることなく、特にEUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUVやDUVを遮断してEUVのみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能な、半導体装置の製造工程におけるリソグラフィープロセスに用いるレジスト上層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1)及び式(2)で表される単位構造を含み、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により測定される重量平均分子量が500乃至2,000である重合体(P)と、溶剤として炭素原子数8乃至16のエーテル化合物とを含むレジスト上層膜形成組成物。【化1】【選択図】なし

公开(公告)号：JPWO2015122296A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：JP2015562782

申请日：2015-01-30

申请人： 日産化学工業株式会社

发明人： 真紀子 梅嵜 ,  真紀子 梅嵜 ,  涼 柄澤 ,  涼 柄澤 ,  修平 志垣 ,  修平 志垣 ,  龍太 水落 ,  龍太 水落

IPC分类号： G03F7/11

CPC分类号： C09D133/12 ,  C08F220/14 ,  C08L33/14 ,  C08L101/00 ,  C08L101/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0276 ,  C08F212/14

摘要： 【課題】エッチング工程によっても除去されない不要な残渣を生ずる原因となる、被膜の周辺部に生ずる縁だまりの低減された被膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】炭素数3乃至5のパーフルオロアルキル部分構造を有するポリマー及びオリゴマーを含む界面活性剤を含む、リソグラフィー工程に使用する膜形成組成物。パーフルオロアルキル部分構造の炭素数は4が良い。上記パーフルオロアルキル部分構造が更にアルキル部分構造を含んでいても良く、上記ポリマー及びオリゴマーは(メタ)アクリレートポリマー及びオリゴマーが良い。上記界面活性剤の含有量が膜形成組成物の全固形分の0.0001乃至1.5質量%である。膜形成組成物は更に塗膜樹脂を含み、該樹脂はノボラック樹脂、縮合エポキシ系樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ポリエーテル系樹脂又はケイ素含有樹脂等である。形成された膜はレジスト下層膜又はレジスト上層膜として利用できる。【選択図】なし

公开(公告)号：JPWO2015093323A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2015553483

申请日：2014-12-05

申请人： 日産化学工業株式会社

发明人： 康志 境田 ,  康志 境田 ,  龍太 水落 ,  龍太 水落 ,  坂本　力丸 ,  力丸 坂本

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08F220/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/11 ,  C09D133/06 ,  C09D133/066 ,  C09D133/14 ,  G03F7/2059 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088

摘要： 【課題】下地基板や電子線によって及ぼされる悪影響を低減して、ストレート形状の良好なレジストパターンを形成する電子線リソグラフィー用レジスト下層膜を提供する。【解決手段】ラクトン環を有する単位構造とヒドロキシ基を有する単位構造とを含むポリマーを含む電子線レジスト下層膜形成組成物である。ポリマーがラクトン(メタ)アクリレート、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、及びフェニル(メタ)アクリレート又はベンジル(メタ)アクリレートを含むモノマー混合物を共重合して得られるポリマーである。電子線レジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し加熱し電子線レジスト下層膜を形成し、その上に電子線レジストを被覆し、この電子線レジスト下層膜と電子線レジストを被覆した基板に電子線を照射し、現像し、ドライエッチングにより基板上に画像を転写して集積回路素子を形成する半導体装置の製造方法である。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017055047A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2015179535

申请日：2015-09-11

申请人： 株式会社東芝

发明人： 笠原 佑介 ,  金井 秀樹

IPC分类号： H01L21/027 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/3065

CPC分类号： G03F7/40 ,  B81C1/00031 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/002 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/11 ,  G03F7/165 ,  G03F7/2016 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  B81C2201/0149

摘要： 【課題】的確なパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。 【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、下地膜13上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして用いて下地膜をエッチングして下地膜に凹部15を形成する工程と、レジストパターンをスリミングする工程と、下地膜のスリミングされたレジストパターン14aで覆われていない領域上に第1のポリマー及び第2のポリマーに対して親和性を有する中性化膜17を形成する工程と、スリミングされたレジストパターン上及び中性化膜上に、第1のポリマー及び第2のポリマーを含むブロックコポリマー膜を形成する工程と、ブロックコポリマー膜に対してミクロ相分離を行い、第1のポリマーで形成された第1の部分21と第2のポリマーで形成された第2の部分22とが配置されたミクロ相分離パターン23を形成する工程とを備える。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP6094947B2

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：JP2013536113

申请日：2012-09-04

申请人： 三菱瓦斯化学株式会社

发明人： 東原 豪 ,  内山 直哉 ,  越後 雅敏

IPC分类号： C08G85/00 ,  C08G10/00 ,  C08G8/02 ,  C08G14/00 ,  C08L61/00 ,  C08L87/00 ,  C08L65/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  C08G61/10

CPC分类号： G03F7/094 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  G03F7/0041 ,  G03F7/11 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/592 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

公开(公告)号：JPWO2014156374A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：JP2015508171

申请日：2014-02-18

申请人： Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

发明人： 恭志 中川 ,  恭志 中川 ,  酒井　達也 ,  達也 酒井 ,  俊輔 栗田 ,  俊輔 栗田 ,  慧 出井 ,  慧 出井 ,  和憲 高梨 ,  和憲 高梨 ,  嘉夫 滝本 ,  嘉夫 滝本 ,  元成　正之 ,  正之 元成

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/3081 ,  C07F5/00 ,  C07F5/003 ,  C07F5/06 ,  C07F7/28 ,  C07F9/00 ,  C07F11/00 ,  C07F13/00 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325

摘要： 本発明は、複数の金属原子と、架橋配位子と、ヒドロキシ酸エステル、β−ジケトン、β−ケトエステル及びβ−ジカルボン酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物に由来する配位子(b)とを有し、上記架橋配位子が、式(1)で表される化合物に由来する架橋配位子(a)を含み、上記架橋配位子(a)の架橋配位子全体に対する含有率が50モル%以上である錯体を含有する多層レジストプロセス用無機膜形成組成物である。式(1)中、R1は、n価の有機基である。Xは、−OH、−COOH、−NCO又は−NHR2である。nは、2〜4の整数である。

摘要翻译： 本发明包括多个金属原子的，和桥连配体，羟基酸酯，β-二酮，由至少一种化合物衍生的配体选自β-酮酯和β-二羧酸酯组成的组中 （b）和所说的桥连配体包括从由下式表示的化合物的桥连配体（1）（a）中，桥接桥连配体的配体（a）中 内容整个为多层无机膜形成组合物含有抗蚀剂过程复杂是至少50摩尔％。 其中（1）中，R 1为n价有机基团。 X是-OH，-COOH，一个-NCO或-NHR2。 n为2〜4的整数。

公开(公告)号：JP2017037326A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：JP2016196420

申请日：2016-10-04

申请人： DIC株式会社

发明人： 今田 知之

IPC分类号： C08G8/20 ,  G03F7/11

CPC分类号： C07C39/16 ,  C08G8/00 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

摘要： 【課題】ドライエッチング耐性及び耐熱性に優れ、アルカリ溶解性の制御が容易なレジスト下層膜形成用感光性組成物、及びレジスト下層膜を提供する。 【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物及び下記一般式(2)で表される化合物からなる群より選択される1種以上のフェノール系3核体化合物(A)とアルデヒド類(B)とを、酸触媒下で反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂を含有するレジスト下層膜形成用感光性組成物。 [式中、R 1 、R 2 及びR 3 はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素原子数1〜8のアルキル基を表し、R 4 は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。] 【選択図】なし

摘要翻译： 良好的耐干蚀刻性和耐热性，碱溶解性的控制提供了容易的抗蚀剂下层膜形成用感光性组合物，和抗蚀剂下层膜。 下式（1）由下述通式表示的化合物（2）的一个或从由3个核化合物（A）和醛类表示的化合物组成的组中选择多个酚 （B）和形成含有通过在酸催化剂的存在下反应而得到的酚醛清漆型酚醛树脂的感光性组合物的抗蚀剂下层膜。 其中，R1，R2，和R3分别独立地表示任选具有可以具有取代基的碳原子数1〜8的烷基，R 4是氢原子，烷基任选具有取代基 它可以具有一组或取代基表示的芳基。 ]系统技术领域

公开(公告)号：JP6075724B2

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：JP2012219657

申请日：2012-10-01

申请人： アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ

发明人： 山 本 和 磨 ,  石 井 雅 弘 ,  關 藤 高 志 ,  柳 田 浩 志 ,  中 杉 茂 正 ,  能 谷 剛

IPC分类号： C08F12/22 ,  C08F20/10 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/168 ,  C08F12/24 ,  C08F20/30 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C09D129/02 ,  C09D133/14 ,  C09D137/00 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0338

公开(公告)号：JP6070694B2

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：JP2014508237

申请日：2013-03-29

申请人： JSR株式会社

发明人： 佐藤 光央 ,  峯岸 信也

IPC分类号： G03F7/11

CPC分类号： C08F20/10 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

公开(公告)号：JPWO2014115755A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：JP2014558589

申请日：2014-01-22

申请人： 株式会社ニコン

发明人： 工 岸梅 ,  工 岸梅 ,  瀧　優介 ,  優介 瀧

IPC分类号： C23C14/06 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/2041 ,  C04B35/52 ,  G03F7/11 ,  G03F7/70341 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T442/10

摘要： 基材の表面に施される機能性被膜は、Tiドープされたテトラヘドラルアモルファスカーボンの膜(ta−C:Ti膜)を含む。

摘要翻译： 功能性涂层被施加到所述衬底的所述表面，钛掺杂的四面体无定形碳薄膜：包括（TA-C Ti膜）。