公开(公告)号：JP5393728B2

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：JP2011124895

申请日：2011-06-03

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 伸介 神戸 ,  厚信 河本

IPC分类号： H02M7/48 ,  H02M1/00 ,  H02M1/34

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/0619 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M2001/344 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes: a parallel connection structure 1 between a first node and a second node; a first snubber device and a second snubber device having a clamp level that is the same as or higher than the output voltage of a power source section. One terminal of the first snubber device is connected through the first node to one end of the parallel connection structure, the opposite terminal of the first snubber device is connected through a third node to one terminal of the second snubber device, and the opposite terminal of the second snubber device is connected through the second node to the opposite end of the parallel connection structure. Electric power is fed back to the power source section through the second and third nodes.

摘要翻译： 半导体器件包括：在第一节点和第二节点之间的并行连接结构1; 第一缓冲装置和第二缓冲装置，其具有与电源部分的输出电压相同或更高的钳位电平。 第一缓冲装置的一个端子通过第一节点连接到并联连接结构的一端，第一缓冲装置的相对端通过第三节点连接到第二缓冲装置的一个端子， 第二缓冲装置通过第二节点连接到并联连接结构的相对端。 电力通过第二和第三节点反馈到电源部分。

公开(公告)号：JP5423377B2

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：JP2009284098

申请日：2009-12-15

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 伸介 神戸 ,  幸央 安田 ,  厚信 河本

IPC分类号： F02P3/055

CPC分类号： F02P3/0442 ,  F02D2041/2048 ,  F02D2041/2051 ,  F02P3/0554

公开(公告)号：JP5157247B2

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：JP2007130957

申请日：2007-05-16

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 幸央 安田 ,  厚信 河本 ,  伸介 神戸

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L27/0259 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H02M7/003 ,  Y10T307/944 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A power semiconductor device includes a conductive board and a switching element mounted on the conductive board and electrically connected thereto. The power semiconductor device also includes an integrated circuit mounted on the conductive board at a distance from the switching element and electrically connected thereto. The switching element turns ON/OFF a connection between first and second main electrodes in response to a control signal inputted to a control electrode. The integrated circuit includes a control circuit which controls ON/OFF the switching element and a back side voltage detection element which detects a voltage of the back side of the integrated circuit.

公开(公告)号：JP5423378B2

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：JP2009284099

申请日：2009-12-15

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 伸介 神戸 ,  一廣 西村 ,  一樹 山田

IPC分类号： F02P3/055 ,  F02P3/05 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： F23Q3/004

公开(公告)号：JP5280410B2

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：JP2010140192

申请日：2010-06-21

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 伸介 神戸

IPC分类号： H03K17/16 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H02M1/34 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/866 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/08148 ,  Y02B70/1483 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device of the present invention includes a switching transistor, and a recovery diode and a snubber device which are mounted on a single conductive substrate (frame) on which the switching transistor is also mounted. The snubber device includes a SiC-MOSFET connected between an output terminal C and a reference terminal E of the switching transistor, a Zener diode formed between a gate terminal G and a drain terminal D of the SiC-MOSFET, and a resistor formed between the gate terminal G and a source terminal S of the SiC-MOSFET. The reference terminal E of the switching transistor, the source terminal S of the SiC-MOSFET, and an anode terminal of the recovery diode are commonly connected.

公开(公告)号：JP4912444B2

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：JP2009185420

申请日：2009-08-10

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 伸介 神戸

IPC分类号： H03K17/08 ,  F02P3/055 ,  H03K17/56

公开(公告)号：JP4410429B2

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：JP2001077727

申请日：2001-03-19

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 隆夫 川畑 ,  敏 森 ,  伸介 神戸

IPC分类号： H02M7/48 ,  H02M7/5387

公开(公告)号：JPWO2017033304A1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：JP2017536129

申请日：2015-08-26

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 山本　剛司 ,  剛司 山本 ,  河本　厚信 ,  厚信 河本 ,  伸介 神戸 ,  伸介 神戸

IPC分类号： H03K17/08 ,  F02P3/055 ,  H03K17/56

CPC分类号： F02P3/055 ,  H03K17/00 ,  H03K17/08

摘要： 半導体スイッチング素子の制御回路は、制御端子、主電極端子および電流センス端子を備え、前記主電極端子または前記電流センス端子にダイオードが接続された半導体スイッチング素子を制御する。この制御回路は、過熱検知回路と、電流検知回路と、遮断回路とを備える。過熱検知回路は、前記ダイオードの出力に基づいて検知した温度が予め定めた設定温度以上であるときに過熱検知信号を発する。電流検知回路は、前記電流センス端子の出力値が予め定めた設定電流値以上であるときに電流検知信号を発する。遮断回路は、前記過熱検知回路からの前記過熱検知信号と前記電流検知回路からの前記電流検知信号の両方が入力された場合に前記半導体スイッチング素子をオフとする。

公开(公告)号：JPWO2015198435A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：JP2016528930

申请日：2014-06-26

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 伸介 神戸 ,  伸介 神戸 ,  河本　厚信 ,  厚信 河本 ,  山本　剛司 ,  剛司 山本

IPC分类号： H01L29/78 ,  F02P3/04 ,  H01L21/329 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/866

CPC分类号： H01L24/05 ,  F02P3/0552 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/40 ,  H01L29/402 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本発明は、面内における電流分布の偏りを解消することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明による半導体装置は、半導体基板(9)上に複数のトランジスタのセルが配置されたトランジスタセル領域(37)を有する半導体装置(1)であって、半導体基板(9)上にトランジスタセル領域(37)を避けて配置され、かつ各セルの一方電流電極と電気的に接続された電極パッド(2)を備え、トランジスタセル領域(37)は、電極パッド(2)からの距離に依存して電流駆動能力が異なる複数の領域(6,7,8)からなることを特徴とする。

公开(公告)号：JPWO2014162507A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：JP2015509760

申请日：2013-04-02

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 山本　剛司 ,  剛司 山本 ,  伸介 神戸 ,  伸介 神戸

IPC分类号： H03K17/08 ,  F02P3/04 ,  F02P3/055 ,  H03K17/56 ,  H03K17/695

CPC分类号： H03K17/687 ,  F02P3/055 ,  F02P3/08 ,  F02P3/096 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/168

摘要： 本発明は、保護機能を有し、かつ小型化および低コスト化を実現可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明の半導体装置は、スイッチング素子(Q1)とドライブ回路(11)と制御回路(30)とを備える。制御回路(30)は、ドライブ回路(11)から出力されるハイレベルの駆動制御信号が出力されると、スイッチング素子(Q1)の駆動を停止し、電荷蓄積用コンデンサ(C1)に充電を行う。制御回路(30)は、ドライブ回路(11)からローレベルの駆動制御信号が出力されると、電荷蓄積用コンデンサ(C1)に蓄積された電荷を用いて、スイッチング素子(Q1)を駆動する。

摘要翻译： 本发明具有保护功能，并且其一个目的是提供一种能够实现小型化和成本降低的半导体装置。 本发明的半导体装置包括开关元件（Q1）的驱动电路（11）和一个控制电路（30）。 控制电路（30），从驱动电路高电平输出的驱动控制信号（11）被输出，以停止开关元件（Q1）的驱动，所述电荷存储电容器充电（C1） 。 控制电路（30），从驱动电路（11）的低电平的驱动控制信号被输出时，使用在电荷累积的电荷蓄积电容器（C1），用于驱动开关元件（Q1）。