半導体装置
    5.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体器件

    公开(公告)号:JP2016019112A

    公开(公告)日:2016-02-01

    申请号:JP2014140040

    申请日:2014-07-07

    发明人: 池田 健太郎

    摘要: 【課題】リカバリー特性が向上した半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1のソース、第1のドレイン、共通ゲート端子に接続される第1のゲート、ボディダイオードを有するノーマリーオフトランジスタと、第1のドレインに接続される第2のソース、第2のドレイン、第2のゲートを有するノーマリーオントランジスタと、共通ゲート端子と第2のゲートの間に設けられるコンデンサと、コンデンサと第2のゲートの間に接続される第1のアノードと、第1のソースに接続される第1のカソードを有する第1のダイオードと、第1のソースに接続される第2のアノードと、第2のドレインに接続される第2のカソードを有する第2のダイオードと、を備える。 【選択図】図1

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种具有改善的恢复特性的半导体器件。解决方案:实施例的半导体器件包括:常截止晶体管,第一源极,第一漏极,连接到公共栅极端子的第一栅极和主体 二极管; 具有连接到第一漏极的第二源极,第二漏极和第二栅极的常通晶体管; 设置在公共栅极端子和第二栅极之间的电容器; 第一二极管,其具有连接到所述电容器和所述第二栅极之间的第一阳极,以及连接到所述第一源极的第一阴极; 以及第二二极管,其具有连接到第一源的第二阳极和连接到第二漏极的第二阴极。选择的图示:图1