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    半導体装置用ボンディングワイヤ
    2.
    发明专利
    半導体装置用ボンディングワイヤ 有权
    用于半导体器件的接合线

    公开(公告)号：JP5985127B1

    公开(公告)日：2016-09-06

    申请号：JP2016533746

    申请日：2016-05-19

    申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

    发明人： 山田 隆 ,  小田 大造 ,  榛原 照男 ,  大石 良 ,  齋藤 和之 ,  宇野 智裕

    IPC分类号： H01L21/60

    CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572

    摘要： Cu合金芯材とその表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、高温におけるボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比(=最大耐力/0.2%耐力):1.1〜1.6の両立を図る。 ワイヤ中に高温環境下における接続信頼性を付与する元素を含むことによって高温におけるボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が15度以下である結晶方位 の方位比率を30%以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を0.9〜1.5μmとすることにより、耐力比を1.6以下とする。

    摘要翻译： 在接合线具有形成在其表面上的Cu合金芯材和Pd涂层的半导体器件中，在高温下，强度比（=最大强度0.2％屈服应力）的球窝接头的改进接合可靠性：1.1 实现双方的1.6。 通过包括赋予的连接可靠性在高温环境中的元件，相对于在一个方向上的芯材料的横截面的多个晶体取向垂直于接合线的线轴线改善线期间在高温下球窝接头的接合可靠性 在所测量的结果是，金属丝的纵向方向的晶体取向的，相对于晶体取向的方向和取向比导线纵向的角度差<100> 15度或小于30％时，在垂直于接合线的线轴线方向 在0.9〜1.5Myuemu的芯材的横截面的平均晶粒直径，强度比为1.6或更小。

    半導体装置用ボンディングワイヤ
    5.
    发明专利
    半導体装置用ボンディングワイヤ 有权
    用于半导体器件的接合线

    公开(公告)号：JP6002337B1

    公开(公告)日：2016-10-05

    申请号：JP2015560454

    申请日：2015-09-17

    申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

    发明人： 小田 大造 ,  江藤 基稀 ,  齋藤 和之 ,  榛原 照男 ,  大石 良 ,  山田 隆 ,  宇野 智裕

    IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  H01L21/60

    CPC分类号： C22C9/00 ,  B32B15/00 ,  C22C9/06 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48824

    摘要： 表面にPd被覆層を有するCuボンディングワイヤにおいて、高温高湿環境でのボール接合部の接合信頼性を改善し、車載用デバイスに好適なボンディングワイヤを提供する。Cu合金芯材と、前記Cu合金芯材の表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ボンディングワイヤがGa、Geを合計で0.011〜1.2質量%含む。これにより、高温高湿環境下でのボール接合部の接合寿命を向上し、接合信頼性を改善することができる。Pd被覆層の厚さが0.015〜0.150μmであると好ましい。ボンディングワイヤがさらにNi、Ir、Ptの1種以上をそれぞれ0.011〜1.2質量%含有すると、175℃以上の高温環境でのボール接合部信頼性を向上できる。また、Pd被覆層の表面にさらにAuとPdを含む合金表皮層を形成するとウェッジ接合性が改善する。

    摘要翻译： 在Cu中接合线在表面上具有一个钯涂层，以改善在高温和高湿度环境中的球窝接头的接合可靠性，以提供合适的接合线的车载设备。 Cu合金芯材，在接合线的半导体装置和形成在Cu合金芯材的表面上的钯涂层，粘接线包括0.011至1.2％（重量）镓，锗，在总。 这使得能够提高球窝接头的接合在生命的高温和高湿度的环境中，以提高接合可靠性。 Pd涂层层优选为0.015〜0.150Myuemu的厚度。 接合线进一步镍，铱，当每个的一个或多个的Pt的含有0.011〜1.2重量％的，能够改善在175℃或更高的高温环境下的球窝接头的可靠性。 此外，还楔接性提高，以形成含Au和Pd，Pd涂层层的表面上的合金表层。

    半導体装置用ボンディングワイヤ
    9.
    发明专利
    半導体装置用ボンディングワイヤ 有权
    用于半导体器件的接合线

    公开(公告)号：JP5912008B1

    公开(公告)日：2016-04-27

    申请号：JP2015552702

    申请日：2015-07-22

    申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

    发明人： 山田 隆 ,  小田 大造 ,  榛原 照男 ,  大石 良 ,  齋藤 和之 ,  宇野 智裕

    IPC分类号： H01L21/60

    CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664

    摘要： Cu合金芯材とその表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、175℃〜200℃のHTSでのボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比(=最大耐力/0.2%耐力):1.1〜1.6の両立を図る。 ワイヤ中にNi、Zn、Rh、In、Ir、Ptの1種以上を総計で0.03〜2質量%含有することによってHTSでのボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が15度以下である結晶方位 の方位比率を50%以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を0.9〜1.3μmとすることにより、耐力比を1.6以下とする。

    摘要翻译： 在接合线具有形成在其表面上的Cu合金芯材和Pd涂布层的半导体器件，在HTS球窝接头175℃的接合可靠性至200℃℃，则屈服强度比（=最大强度/ 0.2％屈服强度）：同时实现1.1〜1.6。 中的Ni线，锌，铑，在，Ir和由总共含有一个或多个铂，线轴的进一步接合线的0.03〜2质量％改善HTS球窝接头的接合可靠性 测量在垂直方向相对于所述芯材的横截面的晶体取向，线长度方向的晶体取向的结果，晶体取向的取向比<100>角度差小于15度到导线长度方向 到50％以上，由0.9〜1.3μm的在一个方向上垂直于接合线的线轴芯材料的横截面的平均晶粒直径，强度比为1.6或更小。