公开(公告)号：JP6368921B2

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：JP2015540375

申请日：2014-09-26

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 手島 久雄

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/528 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05113 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP6321297B2

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：JP2017525235

申请日：2016-06-14

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田 隆 ,  小田 大造 ,  榛原 照男 ,  大石 良 ,  齋藤 和之 ,  宇野 智裕

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  B32B15/00 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

公开(公告)号：JPWO2016203899A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：JP2016533746

申请日：2016-05-19

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  隆 山田 ,  大造 小田 ,  大造 小田 ,  榛原　照男 ,  照男 榛原 ,  良 大石 ,  良 大石 ,  齋藤　和之 ,  和之 齋藤 ,  宇野　智裕 ,  智裕 宇野

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  H01B5/02

CPC分类号： H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01083

摘要： Cu合金芯材とその表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、高温におけるボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比(=最大耐力/0.2%耐力):1.1〜1.6の両立を図る。ワイヤ中に高温環境下における接続信頼性を付与する元素を含むことによって高温におけるボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が15度以下である結晶方位 の方位比率を30%以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を0.9〜1.5μmとすることにより、耐力比を1.6以下とする。

公开(公告)号：JPWO2015118612A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：JP2014523135

申请日：2014-02-04

申请人： 千住金属工業株式会社

发明人： 浩由 川▲崎▼ ,  浩由 川▲崎▼ ,  六本木　貴弘 ,  貴弘 六本木 ,  相馬　大輔 ,  大輔 相馬 ,  佐藤　勇 ,  勇 佐藤

IPC分类号： C22B9/02 ,  B22F1/00 ,  B22F9/00 ,  B22F9/06 ,  C22B15/14 ,  C22B23/06 ,  H05K3/34

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F9/082 ,  B22F9/14 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K2201/42 ,  C22C9/00 ,  C22C19/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/041 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  B22F2202/13 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025

摘要： 放射されるα線量を抑えた金属球を製造する。純金属に含まれる不純物の中で、除去対象とした不純物の気圧に応じた沸点より高い沸点を有し、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、純度が99.9%以上99.995%以下であり、PbまたはBiのいずれかの含有量、あるいは、PbおよびBiの合計の含有量が1ppm以上である純金属を、除去対象とした不純物の沸点より高く、純金属の融点より高く、かつ、純金属の沸点より低い温度で加熱して、純金属を溶融させる工程と、溶融した純金属を球状に造球する工程を含む。

公开(公告)号：JPWO2015114770A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：JP2014523872

申请日：2014-01-30

申请人： 千住金属工業株式会社 ,  四国化成工業株式会社

发明人： 浩由 川▲崎▼ ,  浩由 川▲崎▼ ,  友朗 西野 ,  友朗 西野 ,  六本木　貴弘 ,  貴弘 六本木 ,  相馬　大輔 ,  大輔 相馬 ,  佐藤　勇 ,  勇 佐藤 ,  勇司 川又 ,  勇司 川又 ,  浩彦 平尾 ,  浩彦 平尾 ,  淳 田阪 ,  淳 田阪

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  C22C9/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K35/3601 ,  B22F1/0062 ,  B23K35/36 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11821 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11824 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/134 ,  H01L2224/13455 ,  H01L2224/13457 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10234 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/0103

摘要： ソフトエラーの発生を抑制しつつ、Cuボールの電極上への実装時のアライメント性を確保する。OSP処理Cuボール11は、Cuボール1と、このCuボール1の表面を被覆するイミダゾール化合物を含有する有機被膜2とを備える。Cuボール1は、純度が99.9%以上99.995%以下であり、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、PbまたはBiの含有量もしくはPbおよびBiの両者を併せた含有量の合計量が1ppm以上であり、真球度が0.95以上であり、α線量が0.0200cph/cm2以下である。

公开(公告)号：JPWO2015029511A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015534025

申请日：2014-05-21

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 浩 小林 ,  洋平 大本 ,  真之介 曽田 ,  昌樹 田屋

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051

摘要： 本発明は、高熱伝達であり、かつ、工作性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。本発明は、絶縁基板13と、絶縁基板上に設けられた半導体チップ11と、絶縁基板裏面に、接合材23を介して接合された冷却部材12とを備える。絶縁基板は、絶縁板(6)と、絶縁板両面に設けられた導板5および導板7とを備える。冷却部材は、アルミニウムで構成される熱応力吸収部材1と熱伝導金属部材2とが一体となった複合部材である。熱応力吸収部材は、絶縁基板裏面と接合する側に配置され、熱応力吸収部材の降伏応力が、接合材の降伏応力より小さい。

摘要翻译： 本发明是一种高的热传递，并且提供优异的半导体装置和它们的加工性的制造方法。 本发明包括的绝缘基板13，设置在绝缘基板，在绝缘基板背面上的半导体芯片11，并且其经由接合材料23接合的冷却构件12。 绝缘基板包括绝缘板（6），和一个导电板5和导电板7在绝缘板两侧上设置。 冷却构件包括铝应力吸收部件1和导热金属构件2构成热是通过集成而形成的复合构件。 热应力吸收构件被设置在一侧被接合到绝缘基板背面的热应力吸收构件的屈服应力比接合材料的屈服应力越小。

公开(公告)号：JPWO2014203425A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2015522470

申请日：2013-12-13

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 浩次 山▲崎▼

IPC分类号： B23K35/28 ,  C22C18/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： B23K35/282 ,  B23K35/28 ,  C22C18/00 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099

摘要： 実用的な融点の範囲が300〜350℃であるZn系鉛フリーはんだを得ること。0.05〜0.2wt%のCrと、0.25〜1.0wt%のAlと、0.5〜2.0wt%のSbと、1.0〜5.8wt%のGeと、5〜10wt%のGaとを含んでなるZn系鉛フリーはんだ。または、0.05〜0.2wt%のCrと、0.25〜1.0wt%のAlと、0.5〜2.0wt%のSbと、1.0〜5.8wt%のGeと、10〜20wt%のInとを含んでなるZn系鉛フリーはんだ。

摘要翻译： 熔点的实际范围，得到Zn系的无铅焊料为300〜350℃.. 和Cr的0.05〜0.2重量％及Al的0.25〜1.0重量％，和Sb的0.5〜2.0重量％，和基于Ge，锌铅1.0〜5.8Wt％含Ga的5至10％（重量） 无铅焊料。 或Cr的0.05〜0.2重量％及Al的0.25〜1.0重量％，和Sb的0.5〜2.0重量％，和Ge 1.0〜5.8Wt％，包括的10-20％（重量）的Zn在 系统无铅焊料。

公开(公告)号：JPWO2014203348A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2013540152

申请日：2013-06-19

申请人： 千住金属工業株式会社

发明人： 浩由 川崎 ,  知彦 橋本 ,  篤史 池田 ,  貴弘 六本木 ,  大輔 相馬 ,  勇 佐藤 ,  勇司 川又

IPC分类号： B22F1/02 ,  B22F1/00 ,  B23K1/00 ,  B23K3/06 ,  B23K35/26 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00

CPC分类号： H01L24/13 ,  B22F1/025 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C22C43/00 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13411 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3457 ,  H05K2203/041 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0103

摘要： ソフトエラーを抑制して接続不良を低減できるCu核ボールを提供する。Cuボールの表面に形成したはんだめっき被膜は、Snはんだめっき被膜またはSnを主成分とする鉛フリーはんだ合金からなり、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、該Cuボールの純度は99.9%以上99.995%以下であり、Pbおよび/またはBiの含有量の合計量が1ppm以上、真球度が0.95以上であり、得られたCu核ボールのα線量は0.0200cph/cm2以下である。【選択図】図1

摘要翻译： 提供铜核球，可以通过抑制软错误减少连接故障。 形成在Cu焊球的表面上的焊料镀敷膜是由主要包含Sn焊料镀膜或Sn基无铅焊料合金，和U的含量为5ppb的或更小，钍的含量不超过5ppb的更多， 在Cu球的纯度不那么99.995％99.9％的铅的含量的总量和/或Bi是1PPM或所得的铜核球0.0200的更多，0.95或更多球形剂量α CPH / cm2的是小于或等于。 点域1

公开(公告)号：JPWO2014181883A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2015515915

申请日：2014-05-09

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 和優 木戸 ,  隆 齋藤 ,  恭平 福田 ,  慎司 多田 ,  文彦 百瀬 ,  芳孝 西村

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K1/00

CPC分类号： H01L24/29 ,  B23K1/00 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/012 ,  B23K1/19 ,  B23K1/203 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/56 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L23/051 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2932 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/013

摘要： はんだ接合層は、マトリクスに分散した第1結晶部(21)同士の結晶粒界に微細粒状の複数の第2結晶部(22)が析出した構造を有する。第1結晶部(21)は、錫とアンチモンとを所定の割合で含む複数のSn結晶粒である。第2結晶部(22)は、Sn原子に対してAg原子を所定の割合で含む第1部分、または、Sn原子に対してCu原子を所定の割合で含む第2部分、もしくはその両方で構成される。また、はんだ接合層は、Sn原子に対してSb原子を所定の割合で含む結晶粒である第3結晶部(23)を有しても良い。これにより、低融点でのはんだ接合を可能とし、実質的に均一な金属組織を有し、信頼性の高いはんだ接合層を形成することができる。

摘要翻译： 焊料接合层具有第一晶体部分（21）分散在基体（22）中沉淀结构之间的多个细粒状的第二晶体部分晶界。 第一晶体部分（21）是由多个含有锡和锑中的预定比率的Sn晶粒。 第二晶体部分（22）具有含有以预定比例的Ag原子相对于Sn原子或以规定的比例含有铜原子的第二部分相对于Sn原子的第一部分或由两者的， 是的。 此外，焊料结合层，所述第三可具有结晶部（23）是含有Sb的原子在相对于Sn原子的预定比率的晶粒。 因此，允许在低的熔点的焊料接头，它具有基本上均匀的金属结构，它能够形成可靠的钎焊接合部的层。

公开(公告)号：JP6085677B2

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：JP2015523427

申请日：2012-07-26

申请人： エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

发明人： マークス ヴィンプリンガー

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/043 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102