公开(公告)号：JP2017524267A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：JP2017521045

申请日：2015-07-02

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド ,  トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： チャン ワン， ,  チャン ワン， ,  イーフォン ウー， ,  イーフォン ウー， ,  ジェームズ ホニー， ,  ジェームズ ホニー，

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/00 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M1/08 ,  H02M7/48

CPC分类号： H03K17/162 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3025 ,  H03K17/04106 ,  H03K17/102 ,  H03K17/122 ,  H03K17/16 ,  H03K17/165 ,  H03K2017/6875 ,  H01L2224/45099

摘要： 回路が、少なくとも第1のリードを備えた電子構成要素パッケージ、電子構成要素パッケージ内のIII‐N装置、ゲードドライバ、及びフェライトビーズを含む。III‐N装置は、ドレイン、ゲート、及びソースを備え、ソースは第1のリードに接続されている。ゲートドライバは、第1の端子及び第2の端子を備え、第1の端子は第1のリードに接続されている。フェライトビーズは、III‐Nトランジスタのゲートとゲードドライバの第2の端子との間に接続されている。スイッチングするときに、回路のゲートループの寄生インダクタンスの有害な効果が、フェライトビーズによって緩和される。【選択図】図2

公开(公告)号：JP2016515307A

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：JP2016501433

申请日：2014-03-12

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド ,  トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： ケー． ラル，ラケシュ ,  ケー． ラル，ラケシュ

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/535 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： III-Nエンハンスメントモードトランジスタは、導電性チャネルを含むIII-N構造と、ソースコンタクト及びドレインコンタクトと、ソースコンタクトとドレインコンタクトとの間にあるゲート電極とを含む。絶縁層はIII-N構造の上にあり、陥凹部がトランジスタのゲート領域にある絶縁層を貫いて形成され、ゲート電極が少なくとも部分的に陥凹部内にある。トランジスタは更に、ゲート電極とドレインコンタクトとの間にある一部分を有するフィールドプレートを含み、フィールドプレートはソースコンタクトに電気的に接続される。ゲート電極は、陥凹部の外にあってドレインコンタクトに向かって延在する延長部分を含む。導電性チャネルとゲート電極の延長部分との間の距離は、導電性チャネルと、ゲート電極とドレインコンタクトとの間にあるフィールドプレートの一部分との間の距離よりも広い。【選択図】図5A

摘要翻译： III-N增强型晶体管包括一III-N结构，包括一个导电沟道，源极和漏极触点以及位于所述源和漏接触之间的栅电极。 绝缘层是在III-N的结构，所述凹部是通过在晶体管的栅极区域的绝缘层形成，栅电极是至少部分地凹陷部。 此外晶体管包括具有部分即栅极电极和漏极触点之间的场板，所述场板电连接到源极接触。 栅极电极包括朝向所述漏极接触延伸的延伸部是所述凹部的外侧。 导电通道的延伸部和所述栅电极之间的距离包括导电通道，比场板，其是在栅电极和漏极接触之间的部分之间的距离宽。 点域5A

公开(公告)号：JP2015512148A

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：JP2014555787

申请日：2013-02-01

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド ,  トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： ケラー，スタシア ,  エル． スウェンソン，ブライアン ,  エル． スウェンソン，ブライアン ,  フィヒテンバウム，ニコラス

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L21/02507 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 本発明の実施形態は、異種基板を有するIII−Nデバイスに適合するバッファ構造を含む。バッファ構造は、第1のアルミニウム組成を有する第1のバッファ層と、第1のバッファ層上に形成され、第2のアルミニウム組成を有する第2のバッファ層とを備える。バッファ構造は、更に、第2の界面において第2のバッファ層上に形成され、第3のアルミニウム組成を有する第3のバッファ層を備える。第1のアルミニウム組成は、第1のバッファ層内で界面に向かって減少し、第2のアルミニウム組成は、第2のバッファ層に亘って、界面における第1のアルミニウム組成より高い。【選択図】図1

摘要翻译： 本发明的实施例包括一个缓冲结构符合III-N器件具有在异质衬底。 缓冲结构包括具有第一缓冲层的第一缓冲层上形成第一铝组合物，和具有第二铝组成的第二缓冲层。 缓冲结构可进一步提供一个第二接口的第二缓冲层上形成包括具有第三铝组合物的第三缓冲层。 第一铝组合物朝着与第一缓冲层，所述第二铝组合物，在所述第二缓冲层，比在界面处的第一铝组合物更高的界面下降。 点域1

公开(公告)号：JP2017521869A

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：JP2017502637

申请日：2015-07-20

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド ,  トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： ウー，モー ,  ケー． ラル，ラケシュ ,  ケー． ラル，ラケシュ ,  ベン−ヤーコブ，イラン ,  ミシュラ，ウメシュ ,  ジョセフ ニューフェルド，カール ,  ジョセフ ニューフェルド，カール

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02241 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

摘要： III−Nデバイスを形成する方法は、基板上にIII−Nチャネル層を形成することと、前記チャネル層上にIII−Nバリア層を形成することと、前記バリア層上に絶縁層を形成することと、前記デバイスの第1の部分にトレンチを形成することと含む。前記トレンチを形成することは、前記デバイスの第1の部分において、前記絶縁層と、前記バリア層の一部とを除去することであって、前記デバイスの第1の部分における前記バリア層の残留部分は、前記チャネル層の上面から、所定の厚さ範囲内にある厚さを有することと、酸素を含むガス雰囲気内で前記III−Nデバイスを高温でアニーリングして、前記デバイスの第1の部分における前記バリア層の残留部分を酸化させることと、前記デバイスの第1の部分の前記バリア層の酸化された残留部分を除去することとを含む。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2015509665A

公开(公告)日：2015-03-30

申请号：JP2014558857

申请日：2013-02-22

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド ,  トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： ウー，イフェン

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L21/338 ,  H01L25/18 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/552 ,  H01L23/642 ,  H01L25/074 ,  H01L25/117 ,  H01L25/16 ,  H01L25/165 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/164 ,  H03K2217/0045 ,  H05K1/0218 ,  H05K1/0263 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10545 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 第1のパッケージに入れられ、第1のパッケージの第1の導電性部分の上に実装される第1のトランジスタと、第2のパッケージに入れられ、第2のパッケージの第2の導電性部分の上に実装される第2のトランジスタとを含む、電子部品が記載される。部品は更に、第1の金属層と第2の金属層との間に絶縁層を備える基板を含む。第1のパッケージは、第1の導電性部分が第1の金属層に電気的に接続された状態で、基板の一つの面上にあり、第2のパッケージは、第2の導電性部分が第2の金属層に電気的に接続された状態で、基板の別の面上にある。第1の導電性部分の第1のエリアの少なくとも50%が第2の導電性部分の第2のエリアに対向した状態で、第1のパッケージが第2のパッケージに対向する。【選択図】図6

摘要翻译： 在第一包放置，所述第一晶体管被安装在所述第一包装的第一导电部分，放置在一个第二封装，所述第二包的所述第二导电部 并且被描述，其被安装在电子元件的第二晶体管。 部件还包括包含第一金属层和第二金属层之间的绝缘层的衬底。 第一包，与第一导电部分电连接到所述第一金属层，位于该基材，所述第二包，所述第二导电部分的一个表面 以被电连接到所述第二金属层的状态下，位于该基材的另一表面上。 具有至少50％与所述第一导电部分的所述第一区域的第二导电部的所述第二区域，所述第一包是相对所述第二包。 点域6

公开(公告)号：JP2015047068A

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：JP2014219833

申请日：2014-10-29

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド ,  Transphorm Inc ,  トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： JAMES HONEA ,  WU YIFENG

IPC分类号： H02M7/48 ,  H02M7/5387

CPC分类号： H03K17/08142 ,  H03K17/162 ,  H03K17/223 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871

摘要： 【課題】ブリッジ回路を構成する部品において環流ダイオードや寄生ダイオードに流れる電流を阻止する素子など部品点数が多くなっている。【解決手段】第1の動作モードにおいて、少なくとも一方向に実質的な電圧を阻止し、第2の動作モードにおいて、チャネルを介して一方向に実質的な電流を流し、第3の動作モードにおいて、チャネルを介して反対方向に実質的な電流を流すチャネルを有する少なくとも1つのトランジスタ81〜86を備えるハーフブリッジを開示する。ハーフブリッジは、このようなトランジスタを含む2つの回路を有することができる。【選択図】図4

摘要翻译： 要解决的问题为了解决构成桥接电路的部件的问题，例如用于阻止流入回流二极管的电流的元件和寄生二极管等元件的数量增加。解决方案：至少包括至少一个半桥 每个晶体管81-86具有能够在第一操作模式中至少在一个方向上阻挡实质电压的通道，允许大量电流在第二操作模式中沿着一个方向流过通道，并允许大量电流流动 在第三操作模式中通过通道的相反方向被公开。 半桥可以有两个具有这种晶体管的电路。

公开(公告)号：JP2016521450A

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：JP2016502470

申请日：2014-03-14

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド ,  トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： ケラー，スタシア ,  エル． スウェンソン，ブライアン ,  エル． スウェンソン，ブライアン ,  フィシュテンバウム，ニコラス

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： 半導体デバイスを製造する方法は、反応器内にIII-N半導体層を形成すること、及び、炭化水素前駆体を反応器内に注入し、これによりIII-N半導体層を炭素ドープしてIII-N半導体層を絶縁性又は半絶縁性とすることを含み得る。半導体デバイスは、基板、及びこの基板上の炭素ドープされた絶縁性又は半絶縁性を有するIII-N半導体層を含み得る。III-N半導体層中の炭素ドープ濃度は、5×1018cm-3よりも大きく、また、III-N半導体層中の転位密度は、2×109cm-2未満である。【選択図】図2

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：在反应器中形成的III-N半导体层，并且，注射烃前体引入反应器中，从而与碳掺杂的III-N半导体层III- 所述N个半导体层可以包括绝缘或半绝缘。 该半导体器件可以包括衬底，并且具有在基板上的掺杂碳的绝缘或半绝缘的III-N半导体层。 所述半导体层的III-N碳掺杂浓度大于5×1018厘米-3，也所述III-N半导体层的位错密度小于2×109厘米-2。 .The

公开(公告)号：JP2016511544A

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：JP2015558134

申请日：2014-02-13

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド ,  トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： チョウドリー，スラバンティ ,  ミシュラ，ウメシュ ,  ドラ，ユヴァラジ

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/28593 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： III−N半導体HEMT素子は、III−N材料構造上に電極画定層を含む。電極画定層は、ドレインに近接する第1の側壁と、ソースに近接する第2の側壁とを有する凹部を有し、各側壁は、複数の段を含む。III−N材料構造から遠い凹部の一部の幅は、III−N材料構造に近接する凹部の一部の幅より広い。凹部に設けられた電極は、第1の側壁を覆う拡張部分を含む。電極画定層の一部は、拡張部分とIII−N材料構造との間にある。第1の側壁は、III−N材料構造の表面に対して第1の有効角を形成し、第2の側壁は、III−N材料構造の表面に対して第2の有効角を形成し、第2の有効角は、第1の有効角より大きい。【選択図】図17

摘要翻译： III-N半导体HEMT器件包括在III-N材料结构，其限定层的电极。 电极限定层具有邻近于漏极的第一侧壁，具有源相邻的一个第二侧壁凹陷，每个侧壁包括多个级。 从III-N材料结构中的凹部为止的宽度的部分比邻近所述III-N材料结构中的凹部的宽度的部分宽。 在该凹部设置的电极包括覆盖所述第一侧壁的延伸部分。 所述电极限定层的一部分是所述延伸部和所述III-N材料结构之间。 所述第一侧壁，所述第一形成有效的角度相对于所述III-N材料结构的表面，第二侧壁形成第二有效角度相对于所述III-N材料结构的表面， 第二有效角度大于所述第一有效角度大。 .The 17

公开(公告)号：JP2015526900A

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：JP2015523186

申请日：2013-07-16

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド ,  トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： ウー，イフェン ,  ミシュラ，ウメシュ ,  チョウドフリー，スラバンティ

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L27/0883 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778 ,  H03K17/687

摘要： 電子部品は、高電圧デプレッションモードトランジスタ及び低電圧エンハンスメントモードトランジスタを含む。高電圧デプレッションモードトランジスタのソース電極は、低電圧エンハンスメントモードトランジスタのドレイン電極に電気的に接続され、高電圧デプレッションモードトランジスタのゲート電極は、低電圧エンハンスメントモードトランジスタのソース電極に電気的に接続される。エンハンスメントモードトランジスタのオン抵抗は、デプレッションモードトランジスタのオン抵抗より小さく、エンハンスメントモードトランジスタの最大電流レベルは、デプレッションモードトランジスタの最大電流レベルより低い。【選択図】図3

摘要翻译： 电子元件包括高电压耗尽型晶体管和低电压增强型晶体管。 高电压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低电压增强型晶体管的漏极电极，高电压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述低电压增强型晶体管的源电极 。 所述增强型晶体管的导通电阻小于所述导通电阻的耗尽型晶体管的，所述增强型晶体管的最大电流电平小于所述耗尽型晶体管的最大电流电平。 点域

公开(公告)号：JP2015506102A

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：JP2014545966

申请日：2012-12-03

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド ,  トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： ウー，イーフェン ,  へ イェイ，ソン ,  へ イェイ，ソン

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/338 ,  H01L25/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/552 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/80 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/072 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48249 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/161 ,  H03K17/162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

摘要： 電子モジュール及びモジュールを製造する方法及び動作させる方法を開示する。モジュールは、コンデンサ、第1のスイッチングデバイス及び第2のスイッチングデバイスを含む。電子モジュールは、DBC基板等の基板を更に含み、DBC基板は、第1の金属層と第2の金属層との間の絶縁層を含み、互いに積層されたDBC基板の複数の層を含んでいてもよい。第1の金属層は、第1の部分と第2の部分を含み、これらは、2つの部分の間の第1の金属層を介して形成されたトレンチによって、互いに分離される。第1及び第2のスイッチングデバイスは、第1の金属層の上にあり、コンデンサの第1の端子は、第1の金属層の第1の部分に電気的に接続され、コンデンサの第2の端子は、第1の金属層の第2の部分に電気的に接続され、コンデンサは、トレンチ上を横断するように形成されている。【選択図】図12

摘要翻译： 它公开了一种方法和操作生产电子模块和其它模块的方法。 模块包括一个电容器，一个第一开关装置和第二开关装置。 所述电子模块进一步包括一个DBC基板的基板等，DBC基板包括第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，其包括堆叠在一起的多个DBC基板的层 它可以有。 所述第一金属层包括第一部分和第二部分，其中，通过经由之间的金属层形成的两个部分组成的第一沟槽中，从彼此分离。 第一和第二开关装置，位于所述第一金属层上，所述电容器的所述第一端子电连接到所述第一金属层的第一部分，第二电容器 端子电连接到第一金属层的第二部分，形成一个电容器以便越过沟槽。 .The 12