公开(公告)号：KR101752543B1

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020150056279

申请日：2015-04-22

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 위천화 ,  천밍파 ,  뤼웬선 ,  치여우웬치 ,  차이웬칭

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/36 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L25/00 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/37 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203

摘要： 여기서는, 제1 기판의제1 측면상에배치된제1 재분배층(RDL)을갖는제1 다이와, 제2 기판의제1 측면상에배치된제2 RDL을갖는제2 다이를포함하며, 제1 RDL은제2 RDL에접합되어있는패키지가개시된다. 제3 RDL을갖는제3 다이는제3 기판의제1 측면상에배치되며, 제3 다이는제2 다이위에탑재되고, 제2 다이는제1 다이와제3 다이사이에배치된다. 제1 비아들은제2 기판을관통하여연장하고, 제2 기판으로부터전기적으로격리되며, 제1 비아들은각각제1 RDL 또는제2 RDL 내의도전성엘리먼트와접촉한다. 제2 비아들은제3 기판을관통하여연장하고, 제3 기판으로부터전기적으로격리되며, 제2 비아들은각각제3 RDL 내의도전성엘리먼트또는제1 비아들중 하나와접촉한다.

公开(公告)号：KR1020170010814A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：KR1020167035726

申请日：2014-10-10

申请人： 선전 구딕스 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드

发明人： 우,바오촨 ,  롱,웨이

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00 ,  G06K9/00

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G06K9/0002 ,  G06K9/0053 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/071 ,  H01L25/105 ,  H01L25/112 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명에는칩 패키지모듈이개시된다. 이칩 패키지모듈은제1 칩과적어도하나의제2 칩을포함한다. 제1 칩의앞면에근접하는일측에는제1 솔더랜드가설치된다. 적어도하나의제2 칩은제1 칩의뒤측에배치된다. 각제2 칩에는제2 솔더랜드가설치된다. 제1 칩의상기제1 솔더랜드는재배선층을통해상기제2 칩의상기제2 솔더랜드와연결된다. 본발명에있어서의칩 패키지모듈에따르면, 제2 칩을제1 칩의뒤측에설치하고, 재배선층을통해제1 솔더랜드와제2 솔더랜드를접속시키며, 멀티칩의표면에대해재배선을하여지문인식칩정면의솔더랜드의리드선을배면으로인출하여상호연결시킴으로써, 인체가칩 앞면의감지영역에충분히접촉될수 있도록한다. 또한, 멀티칩의재배선기술은칩들사이의상호연결거리를대폭축소시키고칩들사이의통신효율을향상시킬수도있다.

摘要翻译： 本发明公开了一种芯片封装模块，包括：第一芯片，其中第一焊盘设置在与第一芯片的前表面相邻的一侧; 至少第二芯片，其中至少一个第二芯片设置在所述第一芯片的后侧上，每个第二芯片具有第二焊盘，并且其中所述第一芯片的所述第一焊盘连接到所述第二芯片的第二焊盘 通过再分配层。

公开(公告)号：KR1020160066832A

公开(公告)日：2016-06-13

申请号：KR1020140172090

申请日：2014-12-03

申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사

发明人： 백종식 ,  박노선

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2499 ,  H01L2224/25175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L23/48 ,  H01L23/481 ,  Y02E10/50

摘要： 본발명의일 실시예는센서패키지및 그제조방법에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는두께및 제조비용을낮추는데있다. 이를위해본 발명은제1본드패드가형성된제1반도체다이를준비하는단계; 제2본드패드가형성된제2반도체다이를제1반도체다이에접착하는단계; 제1,2반도체다이에제1패시베이션층을형성하되, 제1,2본드패드가외부로노출되도록하는단계; 제1,2본드패드를재배선층으로상호간연결하는단계; 및, 재배선층에도전성범프를접속하는단계로이루어진센서패키지의제조방법및 이에따른센서패키지를개시한다.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及一种传感器封装及其制造方法。 本发明的技术目的在于减少厚度和制造成本。 为了实现该目的，传感器封装的制造方法包括以下步骤：制备形成第一接合焊盘的第一半导体管芯; 将形成第二接合焊盘的第二半导体管芯接合到第一半导体管芯; 在第一和第二半导体管芯上形成第一钝化层，使得第二接合焊盘暴露于外部; 使用再分布层连接第一和第二垫; 并将导电凸块连接到再分配层。

公开(公告)号：KR1020130027628A

公开(公告)日：2013-03-18

申请号：KR1020110062479

申请日：2011-06-27

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 정세영 ,  정태경 ,  조태제 ,  박상식

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： PURPOSE: A laminated semiconductor device is provided to reduce an interval of a rewiring unit formed between laminated semiconductor chips by forming a scribe lane part with a step with a semiconductor chip on one side of the semiconductor chip and forming the rewiring unit on a scribe lane part. CONSTITUTION: A plurality of semiconductor chips(100,200,300) are vertically laminated and are arranged on a substrate(10). A scribe lane part(120,220,320) is formed on one side of the semiconductor chip to have a step with the semiconductor chip. A rewiring part(160,260,360) is formed on the scribe lane part and the semiconductor chip. The rewiring part covers a pad(50) formed on the semiconductor chip. A signal connection member(500) is formed on one side of the semiconductor chip and electrically connects the rewiring part. A bonding layer(250) is formed on the semiconductor chip and the rewiring part to bond another semiconductor chip.

摘要翻译： 目的：提供一种层叠半导体器件，通过在半导体芯片的一侧上形成具有半导体芯片的步骤的划线路部分，并在切割线上形成重新布线单元，来减小层叠半导体芯片之间形成的重新布线单元的间隔 部分。 构成：将多个半导体芯片（100,200,300）垂直层叠并配置在基板（10）上。 在半导体芯片的一侧上形成划线路部分（120,220,320）以与半导体芯片形成台阶。 重划线部分（160,260,360）形成在划线路部分和半导体芯片上。 再布线部分覆盖形成在半导体芯片上的焊盘（50）。 信号连接构件（500）形成在半导体芯片的一侧，并电连接重新布线部分。 在半导体芯片和重新布线部分上形成结合层（250）以将另一半导体芯片接合。

公开(公告)号：KR101096042B1

公开(公告)日：2011-12-19

申请号：KR1020100024272

申请日：2010-03-18

申请人： 에스케이하이닉스 주식회사

发明人： 서민석

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/24 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/13 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： 반도체 패키지 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 반도체 패키지는 계단면을 갖도록 적어도 둘 이상이 스택되고, 각 계단면에 본딩패드가 배치된 반도체 칩들; 상기 각 계단면을 따라 배치되어 각 반도체 칩들의 본딩패드들 상호 간을 전기적으로 연결하는 도전 패턴; 및 상기 계단면들 및 도전 패턴을 제외한 상기 스택된 반도체 칩들의 측면 및 상면에 형성된 절연 부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060063963A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020067004737

申请日：2004-09-08

申请人： 산요덴키가부시키가이샤

发明人： 우스이,료스께 ,  이노우에,야스노리

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/56 ,  H01L25/03

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 4(a)-4(e), a plurality of semiconductor devices (142) and passive devices (144) are fixed to a base (140), then an insulating resin film (123) with conductive film composed of a conductive film (120) and an insulating resin film (122) is pressed against the base (140) so that the semiconductor devices (142) and the passive devices (144) are pushed into the insulating resin film (122), and the base (140) and the insulating resin film (123) are contact- bonded under vacuum or a reduced pressure. Following that, the base (140) is separated from the insulating resin film (122), and a via (121) is formed and the conductive film (120) is patterned. Consequently, there can be obtained a structure (125) wherein one side of each semiconductor device (142) and passive device (144) is sealed with the insulating resin film (122) while the other side of each device is exposed.

摘要翻译： 如图4（a）-4（e）所示，多个半导体器件（142）和无源器件（144）被固定到基底（140）上，然后是绝缘树脂膜（123），导电膜由导电膜 120），并且绝缘树脂膜（122）被压靠在基座（140）上，使得半导体器件（142）和无源器件（144）被推入绝缘树脂膜（122）中，并且基座（140） 和绝缘树脂膜（123）在真空或减压下接触接合。 然后，将基底（140）与绝缘树脂膜（122）分离，形成通路（121），对导电膜（120）进行图案化。 因此，可以获得其中每个半导体器件（142）的一侧和无源器件（144）被绝缘树脂膜（122）密封，同时每个器件的另一侧被暴露的结构（125）。

公开(公告)号：KR1020170093140A

公开(公告)日：2017-08-14

申请号：KR1020177015398

申请日：2015-11-03

申请人： 멜렉시스 테크놀로지스 엔브이 ,  엑스-셀레프린트 리미티드

发明人： 쇼트크리스티안 ,  메이틀매튜 ,  보워크리스토퍼

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L25/00 ,  H01L43/04

CPC分类号： G01R33/07 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/077 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L43/04 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92137 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50

摘要： 자기장센서및 이를제작하기위한방법자기장을측정하기위한반도체칩(100). 상기반도체칩은자기감지요소(110), 및전자회로(120)를포함한다. 상기자기감지요소(110)는전자회로(120) 상에장착된다. 자기감지요소는전자회로와전기적으로연결된다. 전자회로는제1 기법및/또는제1 물질로제작되며자기감지요소는상기제1 기법/물질과상이한제2 기법및/또는제2 물질로제작된다.

摘要翻译： 磁场传感器和用于测量磁场，一种用于制造它的半导体芯片100。 半导体芯片包括一个磁敏元件（110），以及电子电路120。 磁敏元件110安装在电子电路120上。 磁敏元件被电连接到电子电路。 所述电子电路由第一方法和/或所述第一材料由第一方法从第二技术和/或第二材料/材料不同的磁检测元件的。

公开(公告)号：KR101676047B1

公开(公告)日：2016-11-14

申请号：KR1020110020890

申请日：2011-03-09

申请人： 가부시키가이샤 제이디바이스

发明人： 마루타니,히사카즈 ,  이와미,야스나리 ,  치카이,도모시게 ,  다카하시,도모코 ,  야마가타,오사무 ,  미츠기,신고 ,  친,소코

IPC分类号： H01L23/16 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/561 ,  H01L23/16 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/04 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/21 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/22 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은, 반도체소자상에형성되는배선의접속성의제품수율을향상하고, 지지판에반도체소자를마운트할 때에고정밀도가요구되지않는반도체장치및 그제조방법을제공한다. 반도체장치에대해, 지지판과지지판상에재치되고, 복수의제1 전극이형성된회로소자면을갖는반도체소자와반도체소자의회로소자면을피복하고, 복수의제1 전극을노출하는복수의제1 개구를갖는제1 절연층과, 지지판의상부와제1 절연층이형성된반도체소자의측부를피복하는제2 절연층과, 제1 절연층및 제2 절연층의상부에접하여형성되고, 복수의제1 전극과전기적으로접속되는배선층을구비하는것을특징으로한다. 본발명과관련되는반도체장치의제조방법에의하면, 열적스트레스에의한지지판의휘어짐을경감하여배선의접속성의제품수율을향상시키고, 개구형성시에요구되는고도의반도체소자의마운트정밀도가불필요해지는반도체장치를제조할수 있다.

摘要翻译： 本发明提高形成于半导体元件上的城堡连接布线的制造成品率，在支撑板安装半导体元件时提供了一种半导体器件及其制造高精度度不需要的方法。 1。一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件，其搭载于支撑板及支撑板上，覆盖形成有多个第一电极的电路元件面和半导体元件电路元件面的半导体元件， 第二绝缘层，覆盖所述支撑板的上部和所述半导体元件的形成有所述第一绝缘层的一侧;以及第二绝缘层，形成为与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的上部接触， 并且电连接到第一电极的布线层。 根据用于根据本发明的半导体装置的制造方法，它通过改善布线的连接城堡制造成品率降低的热应力对支撑板的弯曲和半导体变为不必要地打开形成时所需要的高度的半导体装置的安装精度 设备可以被制造。

公开(公告)号：KR101642338B1

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020130160321

申请日：2013-12-20

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 로이,미히르케이. ,  마누샤로우,매튜제이.

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/5386 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/25 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1712 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2541 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： DCA(Direct Chip Attach)를통해마이크로전자다이와마더보드사이의고밀도및 저밀도상호접속둘 다를허용하는실시예들이설명된다. 일부실시예에서, 마이크로전자다이에는, 하나의에지를따라위치한작은범프피치를갖는고밀도상호접속이있고, 다이의다른영역들에위치한더 큰범프피치를갖는저밀도접속영역이있다. 다이사이의고밀도상호접속영역들은, 실리콘과같이, 그안에제조된고밀도상호접속을지지할수 있는재료로만들어진상호접속브리지를사용하여상호접속된다. 밀도가더 낮은접속영역들은 DCA를사용하여상호접속된다이를보드에직접부착하는데 사용된다. 고밀도상호접속은, 회로보드상에서훨씬더 큰간격을허용하면서, 상호접속브리지로다이를상호접속할때 현재의 C4(Controlled Collapsed Chip Connection) 간격을이용할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160048300A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：KR1020140144419

申请日：2014-10-23

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 권용환

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L25/065 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은팬 아웃웨이퍼레벨패키지의제조방법및 그에의해형성된팬아웃웨이퍼레벨패키지를개시한다. 그의제조방법은, 더미기판을제공하는단계와, 상기더미기판상에제 1 반도체칩을제공하는단계와, 상기제 1 반도체칩 및상기더미기판상에몰드기판을형성하는단계와, 상기더미기판을제거하여상기제 1 반도체칩을노출하는단계와, 노출된상기제 1 반도체칩 상에제 2 반도체칩을제공하는단계를포함한다.

摘要翻译： 根据本发明，公开了一种用于制造扇出晶片级封装的方法和由其形成的扇出晶片级封装。 制造扇出晶片级封装的方法包括以下步骤：提供虚设衬底; 在所述虚拟衬底上提供第一半导体芯片; 在第一半导体芯片和虚设基板上形成模具基板; 去除所述虚拟衬底以暴露所述第一半导体芯片; 以及在所述暴露的第一半导体芯片上提供第二半导体芯片。 因此，制造扇出晶片级封装的方法可以实现最小厚度和尺寸的多芯片。