半導體裝置及其製法
    23.
    发明专利
    半導體裝置及其製法 有权
    半导体设备及其制法

    公开(公告)号:TW544747B

    公开(公告)日:2003-08-01

    申请号:TW091114583

    申请日:2002-07-02

    发明人: 吳集銓 楊格權

    IPC分类号: H01L

    摘要: 一種半導體裝置及其製法,係包含一晶片承載件,其上黏接有至少一晶片,該晶片具有一作用表面及一非作用表面,該作用表面上形成有多數電源銲墊及接地銲墊,且連接各電源銲墊或各接地銲墊之電路分別匯集到晶片上而形成一電源區及一接地區,其中,該晶片之非作用表面上對應於該電源區及接地區之位置上形成有複數個貫穿晶片且與該電源區及接地區連通之晶片貫孔,以藉敷設於貫孔孔壁上之導電層將該電源區及接地區電性連接至晶片非作用表面上;在晶片內部形成可供導電之貫孔可以縮短電路路徑,使位於晶片作用表面的每一電源銲墊及接地銲墊各能透過該電源區及接地區、晶片貫孔而等電至基板,故能減少電感干擾、串音等問題,而有助於提高封裝產品的電性品質。

    简体摘要: 一种半导体设备及其制法,系包含一芯片承载件,其上黏接有至少一芯片,该芯片具有一作用表面及一非作用表面,该作用表面上形成有多数电源焊垫及接地焊垫,且连接各电源焊垫或各接地焊垫之电路分别汇集到芯片上而形成一电源区及一接地区,其中,该芯片之非作用表面上对应于该电源区及接地区之位置上形成有复数个贯穿芯片且与该电源区及接地区连通之芯片贯孔,以藉敷设于贯孔孔壁上之导电层将该电源区及接地区电性连接至芯片非作用表面上;在芯片内部形成可供导电之贯孔可以缩短电路路径,使位于芯片作用表面的每一电源焊垫及接地焊垫各能透过该电源区及接地区、芯片贯孔而等电至基板,故能减少电感干扰、串音等问题,而有助于提高封装产品的电性品质。