公开(公告)号：TWI512121B

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：TW103115651

申请日：2014-04-30

申请人： 新加坡賀利氏材料私人有限公司 ,  HERAEUS MATERIALS SINGAPORE PTE., LTD.

发明人： 莎蘭葛帕尼 穆拉利 ,  SARANGAPANI, MURALI ,  楊平熹 ,  YEUNG, PING HA ,  麥可 尤金 ,  MILKE, EUGEN

IPC分类号： C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  B21C1/00 ,  B21C37/04 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01B5/02 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/745 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0213 ,  H05K1/111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01033

公开(公告)号：TW201539587A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW103112450

申请日：2014-04-03

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEX INC.

发明人： 何彥仕 ,  HO, YEN SHIH ,  劉滄宇 ,  LIU, TSANG YU ,  林佳昇 ,  LIN, CHIA SHENG ,  張義民 ,  CHANG, YI MING

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/58

CPC分类号： B81C1/00896 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/43 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14687 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明揭露一種晶片封裝體的製造方法，包括提供一基底及一蓋層，其中基底內具有一感測裝置鄰近於基底的一表面。透過一黏著層將蓋層貼附於基底的表面上，其中黏著層覆蓋感測裝置。沿著一方向，對基底、黏著層及蓋層進行一切割製程，以形成獨立的晶片封裝體。

简体摘要： 本发明揭露一种芯片封装体的制造方法，包括提供一基底及一盖层，其中基底内具有一传感设备邻近于基底的一表面。透过一黏着层将盖层贴附于基底的表面上，其中黏着层覆盖传感设备。沿着一方向，对基底、黏着层及盖层进行一切割制程，以形成独立的芯片封装体。

公开(公告)号：TW201505112A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW103106523

申请日：2014-02-26

申请人： 新加坡賀利氏材料私人有限公司 ,  HERAEUS MATERIALS SINGAPORE PTE., LTD.

发明人： 周泳慧 ,  CHEW, YEONG HUEY ,  莎蘭葛帕尼 穆拉利 ,  SARANGAPANI, MURALI ,  麥可 尤金 ,  MILKE, EUGEN

IPC分类号： H01L21/60 ,  C22C9/00

CPC分类号： C22C9/00 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/0266 ,  B23K35/302 ,  B23K35/322 ,  B32B15/018 ,  C22C1/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033

摘要： 本發明係關於接合線，其包含具有表面之核心，其中該核心包含銅作為主要組份，及疊加於該核心之該表面上之塗覆層，其中該塗覆層包含鈀作為主要組份，其中該核心包含銀及磷作為其他組份，其中該核心之銀含量與磷含量之間之比係在0.03至2之範圍內。

简体摘要： 本发明系关于接合线，其包含具有表面之内核，其中该内核包含铜作为主要组份，及叠加于该内核之该表面上之涂覆层，其中该涂覆层包含钯作为主要组份，其中该内核包含银及磷作为其他组份，其中该内核之银含量与磷含量之间之比系在0.03至2之范围内。

公开(公告)号：TW201327700A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW101141052

申请日：2012-11-05

申请人： 英維瑟斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 馬葛西 史考特 ,  MCGRATH, SCOTT

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/43 ,  B23K20/004 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明揭示一種特別適用於製作導線晶粒外互連件之接合楔，其包含通向至毗鄰於一腳(腳)之後部之一凹口(凹口)或凹窩上之一孔隙(孔隙)。該腳包含一跟部部分(跟部)及一趾部部分(趾部)。當該接合楔在使用中時，將一導線自原料饋送穿過該孔隙及該凹口或凹窩，且使其在該腳下方通過且延伸超出該趾部。該趾部經組態以在接合程序期間減輕該導線之自由端(自由端)之向上位移。

简体摘要： 本发明揭示一种特别适用于制作导线晶粒外互连件之接合楔，其包含通向至毗邻于一脚(脚)之后部之一凹口(凹口)或凹窝上之一孔隙(孔隙)。该脚包含一跟部部分(跟部)及一趾部部分(趾部)。当该接合楔在使用中时，将一导线自原料馈送穿过该孔隙及该凹口或凹窝，且使其在该脚下方通过且延伸超出该趾部。该趾部经组态以在接合进程期间减轻该导线之自由端(自由端)之向上位移。

公开(公告)号：TWI395823B

公开(公告)日：2013-05-11

申请号：TW101148611

申请日：2012-12-20

申请人： 田中電子工業股份有限公司 ,  TANAKA DENSHI KOGYO K.K.

发明人： 高田滿生 ,  TAKADA, MITSUO ,  山下勉 ,  YAMASHITA, TSUTOMU ,  執行裕之 ,  SHIGYOU, HIROYUKI ,  桑原岳 ,  KUWAHARA, TAKESHI ,  岡崎純一 ,  OKAZAKI, JUNICHI ,  齊藤茂 ,  SAITO, SHIGERU

IPC分类号： C22C47/00 ,  C22C9/02 ,  B23K35/30 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01B1/026 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45573 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

公开(公告)号：TWI379367B

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：TW098119896

申请日：2009-06-15

申请人： 坤遠科技股份有限公司

发明人： 許正和 ,  萬桂品

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明為一種封裝晶片製造方法及其結構，其係由一晶片之焊墊打線連接出複數條金屬導線，每一金屬導線中段彎曲並高於一預定高度且其二端分別電性連接至其中二焊墊；然後封裝一封膠層於晶片上並高於一預定高度；且於該預定高度處切割封膠層以移除上部，並顯露出每一金屬導線之二上斷點；最後接合基板於封膠層上，並使基板上之複數電路接點分別對應電性耦接至複數金屬導線之上斷點。因此，本發明能縮短封裝晶片結構內部之金屬導線的長度，以提高傳輸速度、及節省金線成本，又能縮小封裝結構體積。

简体摘要： 本发明为一种封装芯片制造方法及其结构，其系由一芯片之焊垫打线连接出复数条金属导线，每一金属导线中段弯曲并高于一预定高度且其二端分别电性连接至其中二焊垫；然后封装一封胶层于芯片上并高于一预定高度；且于该预定高度处切割封胶层以移除上部，并显露出每一金属导线之二上断点；最后接合基板于封胶层上，并使基板上之复数电路接点分别对应电性耦接至复数金属导线之上断点。因此，本发明能缩短封装芯片结构内部之金属导线的长度，以提高传输速度、及节省金线成本，又能缩小封装结构体积。

公开(公告)号：TW201247905A

公开(公告)日：2012-12-01

申请号：TW101122015

申请日：2012-06-20

申请人： 樂金股份有限公司

发明人： 李俊德 ,  蔡幸樺 ,  莊東漢

IPC分类号： C22C ,  C22F

CPC分类号： B32B15/018 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12041 ,  Y10T428/12431 ,  Y10T428/12438 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12889 ,  Y10T428/12896 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

摘要： 本發明提供一種電子封裝用合金線材，其材質是選自銀-金合金、銀-鈀合金、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一，以及此合金基材表面再鍍上一或多層純金、純鈀、金-鈀合金薄膜所組成之族群的其中之一，此合金線材為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，此合金線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔此合金線材的所有晶粒數量的20%以上。

简体摘要： 本发明提供一种电子封装用合金线材，其材质是选自银-金合金、银-钯合金、银-金-钯合金所组成之族群的其中之一，以及此合金基材表面再镀上一或多层纯金、纯钯、金-钯合金薄膜所组成之族群的其中之一，此合金线材为面心立方晶相的多晶结构而具有复数个晶粒，此合金线材的线材中心部位具有长条形晶粒或等轴晶粒、其余部位由等轴晶粒构成，其中具有退火孪晶的晶粒的数量，占此合金线材的所有晶粒数量的20%以上。

公开(公告)号：TW201237191A

公开(公告)日：2012-09-16

申请号：TW100109136

申请日：2011-03-17

申请人： 田中電子工業股份有限公司

发明人： 千葉淳 ,  天田富士夫 ,  高田滿生

IPC分类号： C22C ,  H01B

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  C22C5/02 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01006

摘要： 在直徑20μm以下的極細線球接合用線中，將數十萬次的連續接合成為可能。在將3N以上的高純度Pd，Pt，Cu的一以上以合計5～2質量%含有於5N以上的高純度金的合金基質，作為微量添加元素，藉由分別含有Ca，Mg，La 5～50質量ppm，或是再含有Be：1～20ppm，及/或將Ce，Y及Eu的一種以上以合計1～30質量ppm，又此些的微量添加元素的合計為100ppm以下，抑制熔融球表面的添加元素的表面偏析，並抑制增加些析出物或氧化物在接合時堆積於毛細管前端部所致的形成環路時之線的滑動阻力。藉由此些毛細管前端部的表面性狀被維持在光滑的狀態，使得打線接合的頸損傷或未到等的接合不良被抑制，把長期間的連續接合成為可能。

简体摘要： 在直径20μm以下的极细线球接合用线中，将数十万次的连续接合成为可能。在将3N以上的高纯度Pd，Pt，Cu的一以上以合计5～2质量%含有于5N以上的高纯度金的合金基质，作为微量添加元素，借由分别含有Ca，Mg，La 5～50质量ppm，或是再含有Be：1～20ppm，及/或将Ce，Y及Eu的一种以上以合计1～30质量ppm，又此些的微量添加元素的合计为100ppm以下，抑制熔融球表面的添加元素的表面偏析，并抑制增加些析出物或氧化物在接合时堆积于毛细管前端部所致的形成环路时之线的滑动阻力。借由此些毛细管前端部的表面性状被维持在光滑的状态，使得打线接合的颈损伤或未到等的接合不良被抑制，把长期间的连续接合成为可能。

公开(公告)号：TWI371812B

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW097134412

申请日：2008-09-08

申请人： 田中電子工業股份有限公司

发明人： 高田滿生 ,  手島聰 ,  桑原岳

IPC分类号： H01L ,  C22C

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K35/3013 ,  B23K2201/36 ,  C22C5/02 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20752 ,  Y10T428/12 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： 本發明提供一種球形接合用金合金線。該金合金係由以質量計10至50 ppm的鎂(Mg)；以質量計5至20 ppm的銪(Eu)；以質量計2至9 ppm的鈣(Ca)；及其餘部分的純度至少為99.998質量%的金(Au)所構成。在該球形接合用金合金線中，鈣(Ca)的添加量最高為銪(Eu)添加量的一半。

简体摘要： 本发明提供一种球形接合用金合金线。该金合金系由以质量计10至50 ppm的镁(Mg)；以质量计5至20 ppm的铕(Eu)；以质量计2至9 ppm的钙(Ca)；及其余部分的纯度至少为99.998质量%的金(Au)所构成。在该球形接合用金合金线中，钙(Ca)的添加量最高为铕(Eu)添加量的一半。

公开(公告)号：TWI364806B

公开(公告)日：2012-05-21

申请号：TW100127912

申请日：2008-12-03

申请人： 新日鐵高新材料股份有限公司 ,  日鐵微金屬股份有限公司

发明人： 宇野智裕 ,  木村圭一 ,  山田隆

IPC分类号： H01L

CPC分类号： C22C5/04 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/851 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3861 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20658 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： 本發明目的在於提供焊線表面性狀、迴路直線性、迴路高度安定性、及焊線接合形狀安定化均優越，亦能因應細線化、窄間距化、長跨距化、三維安裝等半導體安裝技術的高功能合接線。
本發明的半導體裝置用合接線，其特徵在於具備有：由導電性金屬構成的芯材、以及在該芯材上設有以與芯材不同面心立方晶金屬為主成分的表皮層之半導體裝置用合接線；其中，上述表皮層表面的長邊方向結晶方位中，＜100＞所佔比例達50%以上。

简体摘要： 本发明目的在于提供焊线表面性状、回路直线性、回路高度安定性、及焊线接合形状安定化均优越，亦能因应细线化、窄间距化、长跨距化、三维安装等半导体安装技术的高功能合接线。 本发明的半导体设备用合接线，其特征在于具备有：由导电性金属构成的芯材、以及在该芯材上设有以与芯材不同面心立方晶金属为主成分的表皮层之半导体设备用合接线；其中，上述表皮层表面的长边方向结晶方位中，＜100＞所占比例达50%以上。