公开(公告)号：TW201624675A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW105109497

申请日：2010-12-10

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  加藤清 ,  KATO, KIYOSHI

IPC分类号： H01L27/11

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0416 ,  H01L21/28518 ,  H01L23/528 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 設置第一電晶體，其包括通道形成區域、第一閘極絕緣層、第一閘極電極、及第一源極電極和第一汲極電極；第二電晶體，其包括氧化物半導體層、第二源極電極和第二汲極電極、第二閘極絕緣層、及第二閘極電極；以及一電容器，其包括第二源極電極和第二汲極電極之一、第二閘極絕緣層、及設置成在第二閘極絕緣層上方重疊第二源極電極和第二汲極電極之一的電極。第一閘極電極及第二源極電極和第二汲極電極之一彼此電連接。

简体摘要： 设置第一晶体管，其包括信道形成区域、第一闸极绝缘层、第一闸极电极、及第一源极电极和第一汲极电极；第二晶体管，其包括氧化物半导体层、第二源极电极和第二汲极电极、第二闸极绝缘层、及第二闸极电极；以及一电容器，其包括第二源极电极和第二汲极电极之一、第二闸极绝缘层、及设置成在第二闸极绝缘层上方重叠第二源极电极和第二汲极电极之一的电极。第一闸极电极及第二源极电极和第二汲极电极之一彼此电连接。

公开(公告)号：TW201624619A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104137209

申请日：2015-11-11

申请人： 凌雲邏輯公司 ,  CIRRUS LOGIC, INC.

发明人： 塔拉比亞馬克L ,  TARABBIA, MARC L. ,  潘聖傑 ,  PAN, SHANJEN

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L29/02 ,  H01L27/118

CPC分类号： H01L27/0682 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40

摘要： 可於半導體基材上的層中形成溝槽，以界定用於電子元件(諸如放大器)之電部件。可在形成溝槽及沉積其他層以於半導體基材上金屬層中界定電阻器、電容器、或其他元件之區域之後，執行研磨步驟。該研磨步驟可產生半導體基材上金屬層中的不連續，該不連續界定對應於電子元件之電阻器、電容器、與其他部件的電隔離區域。

简体摘要： 可于半导体基材上的层中形成沟槽，以界定用于电子组件(诸如放大器)之电部件。可在形成沟槽及沉积其他层以于半导体基材上金属层中界定电阻器、电容器、或其他组件之区域之后，运行研磨步骤。该研磨步骤可产生半导体基材上金属层中的不连续，该不连续界定对应于电子组件之电阻器、电容器、与其他部件的电隔离区域。

公开(公告)号：TW201622128A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW104122556

申请日：2015-07-13

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 藍伯特 威廉 ,  LAMBERT, WILLIAM J. ,  希爾 麥可 ,  HILL, MICHAEL J. ,  瑞達克里斯能 喀拉達 ,  RADHAKRISHNAN, KALADHAR

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L25/065 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01G4/38 ,  H01G4/30 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/64 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/185 ,  H05K3/007 ,  H05K2201/1003 ,  H01L2924/014

摘要： 本揭示發明的實施例指向關於電容感器組合之技術與組態。在一實施例中，電容感器組合可包括半導體晶圓及設置在該半導體晶圓之第一側上的複數個電感器。該複數個電感器可嵌入在具有在複數個互連結構設置於其上的電絕緣材料中。該複數個互連結構可組態成電耦接該複數個電感器至晶粒。該IC組合可更包括設置在其設置成與該晶圓的該第一側相對之該晶圓的第二側上的複數個電容器。該複數個電容器可與其可組態成將該複數個電容器與該晶粒電耦接的第二複數個互連結構電耦接。可描述及/或主張其他實施例。

简体摘要： 本揭示发明的实施例指向关于电容感器组合之技术与组态。在一实施例中，电容感器组合可包括半导体晶圆及设置在该半导体晶圆之第一侧上的复数个电感器。该复数个电感器可嵌入在具有在复数个互链接构设置于其上的电绝缘材料中。该复数个互链接构可组态成电耦接该复数个电感器至晶粒。该IC组合可更包括设置在其设置成与该晶圆的该第一侧相对之该晶圆的第二侧上的复数个电容器。该复数个电容器可与其可组态成将该复数个电容器与该晶粒电耦接的第二复数个互链接构电耦接。可描述及/或主张其他实施例。

公开(公告)号：TW201618313A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104125574

申请日：2015-08-06

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 西德爾 羅柏特 ,  SEIDEL, ROBERT ,  哈斯卡 托斯特 ,  HUISINGA, TORSTEN

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/7685 ,  H01L28/75

摘要： 本發明提供一種製造包括電容器結構的半導體裝置的方法，包括步驟：在半導體基板上方形成包括第一介電層以及充當該電容器結構的下電極的第一導電層的第一金屬化層，在該第一金屬化層上形成充當該電容器結構的電容器絕緣體的阻擋層，在該阻擋層上形成金屬層，以及蝕刻該金屬層以形成該電容器結構的上電極。

简体摘要： 本发明提供一种制造包括电容器结构的半导体设备的方法，包括步骤：在半导体基板上方形成包括第一介电层以及充当该电容器结构的下电极的第一导电层的第一金属化层，在该第一金属化层上形成充当该电容器结构的电容器绝缘体的阻挡层，在该阻挡层上形成金属层，以及蚀刻该金属层以形成该电容器结构的上电极。

公开(公告)号：TW201614849A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW105100944

申请日：2011-04-19

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L27/11517 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40

摘要： 一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：形成第一絕緣膜；在第一絕緣膜上形成源極電極及汲極電極以及與源極電極及汲極電極電連接的氧化物半導體膜；對氧化物半導體膜進行熱處理以去除氧化物半導體膜中的氫原子；在去除了氫原子的氧化物半導體膜上形成第二絕緣膜；對第二絕緣膜進行氧摻雜處理以對第二絕緣膜中供給氧原子；以及在第二絕緣膜上的與氧化物半導體膜重疊的區域中形成閘極電極。

简体摘要： 一种半导体设备的制造方法，包括如下步骤：形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成源极电极及汲极电极以及与源极电极及汲极电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；在去除了氢原子的氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；对第二绝缘膜进行氧掺杂处理以对第二绝缘膜中供给氧原子；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域中形成闸极电极。

公开(公告)号：TWI529817B

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：TW103105281

申请日：2014-02-18

申请人： 旭化成微電子股份有限公司 ,  ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION

发明人： 藤原剛 ,  FUJIWARA, TSUYOSHI ,  佐藤清彦 ,  SATOH, KIYOHIKO ,  松本大地 ,  MATSUMOTO, DAICHI ,  宮崎努 ,  MIYAZAKI, TSUTOMU

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/28 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53223 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI528555B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW100113544

申请日：2011-04-19

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11517 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/67017 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L28/40

公开(公告)号：TW201604923A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW104113834

申请日：2015-04-29

申请人： 英凡薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 王 良 ,  WANG, LIANG ,  沈 宏 ,  SHEN, HONG ,  卡克爾 雷傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/105 ,  H01L25/11 ,  H01L25/115 ,  H01L25/165 ,  H01L25/50 ,  H01L28/40 ,  H01L28/65 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/00

摘要： 一種用於製造積體電路封裝的方法包含提供操作晶圓，操作晶圓具有界定空腔的第一區域。電容器形成於第一區域中。電容器具有一對電極，每一電極係耦接至一對導電接墊的一者，該對導電接墊的至少一者係設置於該操作晶圓的下表面上。也提供具有上表面的中介層，該上表面上設置有導電接墊與至少一半導體晶粒。該晶粒具有積體電路，該積體電路係導電性耦接至中介層的再分佈層(RDL)。操作晶圓的下表面係接合至中介層的上表面，使得該晶粒設置於空腔內或之下，且操作晶圓的導電接墊係以金屬對金屬的接合而接合至中介層的導電接墊。

简体摘要： 一种用于制造集成电路封装的方法包含提供操作晶圆，操作晶圆具有界定空腔的第一区域。电容器形成于第一区域中。电容器具有一对电极，每一电极系耦接至一对导电接垫的一者，该对导电接垫的至少一者系设置于该操作晶圆的下表面上。也提供具有上表面的中介层，该上表面上设置有导电接垫与至少一半导体晶粒。该晶粒具有集成电路，该集成电路系导电性耦接至中介层的再分布层(RDL)。操作晶圆的下表面系接合至中介层的上表面，使得该晶粒设置于空腔内或之下，且操作晶圆的导电接垫系以金属对金属的接合而接合至中介层的导电接垫。

公开(公告)号：TW201541650A

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW103115596

申请日：2014-04-30

申请人： 穩懋半導體股份有限公司 ,  WIN SEMICONDUCTORS CORP.

发明人： 花長煌 ,  HUA, CHANG HWANG ,  邵耀亭 ,  SHAO, WINSON ,  許政慶 ,  HSU, BEN ,  朱文慧 ,  CHU, WEN

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L28/40

摘要： 本發明提供一種高崩潰電壓金屬-絕緣體-金屬電容器，係應用於複合半導體積體電路，包括：一基板、一隔離層、一第一金屬層、一介電材料層、一黏合層以及一第二金屬層；其中介電材料層係由複數層二氧化鉿(HfO2)層與複數層二氧化矽(SiO2)層交替堆疊而成，複數層二氧化鉿層之每一層之厚度係大於30Å且小於100Å，藉此使得複數層二氧化鉿層之每一層之二氧化鉿之漏電流降低以及崩潰電壓提高且同時保有高電容密度；且由複數層二氧化鉿層與複數層二氧化矽層交替堆疊而成之介電材料層之厚度係大於500Å，藉此使得電容器之崩潰電壓提高至50V以上。

简体摘要： 本发明提供一种高崩溃电压金属-绝缘体-金属电容器，系应用于复合半导体集成电路，包括：一基板、一隔离层、一第一金属层、一介电材料层、一黏合层以及一第二金属层；其中介电材料层系由复数层二氧化铪(HfO2)层与复数层二氧化硅(SiO2)层交替堆栈而成，复数层二氧化铪层之每一层之厚度系大于30Å且小于100Å，借此使得复数层二氧化铪层之每一层之二氧化铪之漏电流降低以及崩溃电压提高且同时保有高电容密度；且由复数层二氧化铪层与复数层二氧化硅层交替堆栈而成之介电材料层之厚度系大于500Å，借此使得电容器之崩溃电压提高至50V以上。

公开(公告)号：TW201541608A

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW104103743

申请日：2015-02-04

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 蘭伯特 威廉J ,  LAMBERT, WILLIAM J. ,  聖克曼 羅伯特L ,  SANKMAN, ROBERT L. ,  奧斯本 泰勒N ,  OSBORN, TYLER N. ,  吉勒 查爾斯A ,  GEALER, CHARLES A.

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L25/117 ,  H01L23/481 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/014

摘要： 一種設備，其係包括：一晶粒含有多個直通矽穿孔(TSV)從該晶粒之一裝置面延伸到一背面；以及耦合至該等TSV的一去耦合電容器。一種方法，其係包含下列步驟：提供一晶粒，其係包括多個直通矽穿孔(TSV)從該晶粒之一裝置面延伸到一背面；使一去耦合電容器耦合至該晶粒之該背面。一種設備，其係包括：包含一封裝件的一計算裝置，其係包括：包含一裝置面及一背面的一微處理器，有數個直通矽穿孔(TSV)從該裝置面延伸到該背面，以及一去耦合電容器耦合至該晶粒之該背面；以及一印刷電路板，其中該封裝件耦合至該印刷電路板。

简体摘要： 一种设备，其系包括：一晶粒含有多个直通硅穿孔(TSV)从该晶粒之一设备面延伸到一背面；以及耦合至该等TSV的一去耦合电容器。一种方法，其系包含下列步骤：提供一晶粒，其系包括多个直通硅穿孔(TSV)从该晶粒之一设备面延伸到一背面；使一去耦合电容器耦合至该晶粒之该背面。一种设备，其系包括：包含一封装件的一计算设备，其系包括：包含一设备面及一背面的一微处理器，有数个直通硅穿孔(TSV)从该设备面延伸到该背面，以及一去耦合电容器耦合至该晶粒之该背面；以及一印刷电路板，其中该封装件耦合至该印刷电路板。