公开(公告)号：TWI459506B

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW097137710

申请日：2008-10-01

申请人： 快捷半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 安德魯 約翰T. ,  ANDREWS, JOHN T. ,  耶瑪茲 漢查 ,  YILMAZ, HAMZA ,  馬全特 布魯斯 ,  MARCHANT, BRUCE ,  何易書 ,  HO, IHSIU

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L24/12 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201436239A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW103105994

申请日：2014-02-24

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 李亦衡 ,  LEE, YEEHENG ,  博德 馬督兒 ,  BOBDE, MADHUR ,  高 立德 ,  CALAFUT, DANIEL ,  依瑪茲 哈姆紥 ,  YILMAZ, HAMZA ,  王曉彬 ,  WANG, XIAOBIN ,  潘繼 ,  PAN, JI ,  常虹 ,  CHANG, HONG ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/265 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66257 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872

摘要： 本發明的各個方面提出了一種功率MOSFET元件的端接結構。端接溝槽形成在半導體材料中，包圍著MOSFET的主動區。端接溝槽更包含導電材料的第一和第二部分。導電材料的第一和第二部分相互電絕緣。要強調的是，本發明摘要必須使研究人員或其他讀者快速掌握技術說明書的主旨內容，本發明摘要符合以上要求。應明確，本摘要將不用於解釋或侷限申請專利範圍的範圍或意圖。

简体摘要： 本发明的各个方面提出了一种功率MOSFET组件的端接结构。端接沟槽形成在半导体材料中，包围着MOSFET的主动区。端接沟槽更包含导电材料的第一和第二部分。导电材料的第一和第二部分相互电绝缘。要强调的是，本发明摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本发明摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限申请专利范围的范围或意图。

公开(公告)号：TWI449181B

公开(公告)日：2014-08-11

申请号：TW097126826

申请日：2008-07-15

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED.

发明人： 安荷叭剌 ,  ANUP BHALLA ,  雷燮光 ,  SIK K. LUI ,  蘇毅 ,  YI SU

IPC分类号： H01L29/872

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/861

公开(公告)号：TWI446550B

公开(公告)日：2014-07-21

申请号：TW094137258

申请日：2005-10-25

申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

发明人： 亞爾弗瑞德 顧爾拉赫 ,  GOERLACH, ALFRED ,  渠寧 ,  QU, NING

IPC分类号： H01L29/872

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TWI443836B

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW102127301

申请日：2013-07-30

申请人： IO半導體股份有限公司 ,  IO SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 寇瑞克 杰席克 ,  KOREC, JACEK ,  楊鉑儀 ,  YANG, BOYI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/823437 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7302 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7821 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/94 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TW201423868A

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：TW101147146

申请日：2012-12-13

申请人： 節能元件控股有限公司 ,  PFC DEVICE HOLDINGS LIMITED

发明人： 張崇健 ,  CHANG, CHUNG CHEN PAUL

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/74 ,  H01L29/749 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 一種用於半導體元件之超接面結構包含：一矽基板，該矽基板上具有一第一導電型磊晶層；複數之高濃度第二導電型柱，形成於該第一導電型磊晶層內；及複數之低濃度第二導電型側壁，形成於該第一導電型磊晶層內且位於該第二導電型柱之外側面上。該半導體元件為超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky電晶體、超接面IGBT、閘流體(thyristor)、或超接面二極體。

简体摘要： 一种用于半导体组件之超接面结构包含：一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层；复数之高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及复数之低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱之外侧面上。该半导体组件为超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、晶闸管(thyristor)、或超接面二极管。

公开(公告)号：TWI434412B

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：TW095112181

申请日：2006-04-06

申请人： 快捷半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 柯康 克里斯多夫B. ,  KOCON, CHRISTOPHER BOGUSLAW ,  莎普 史蒂芬P. ,  SAPP, STEVEN P. ,  瑟魯普 保羅 ,  THORUP, PAUL ,  普洛斯特 迪恩E. ,  PROBST, DEAN E. ,  赫理克 羅伯特 ,  HERRICK, ROBERT ,  洛斯 貝基 ,  LOSEE, BECKY ,  耶瑪茲 漢查 ,  YILMAZ, HAMZA ,  雷克賽 克里斯多夫L. ,  REXER, CHRISTOPHER LAWRENCE ,  卡拉福特 丹尼爾 ,  CALAFUT, DANIEL

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/13091

公开(公告)号：TWI430452B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW097115733

申请日：2008-04-29

申请人： 半導體組件工業公司 ,  SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.

发明人： 牧罕墨德 坦維爾 闊特思 ,  QUDDUS, MOHAMMED TANVIR ,  杜尚暉 ,  TU, SHANGHUI L. ,  安東尼 洛茲席帕 ,  ROZSYPAL, ANTONIN ,  吉亞 何薩恩 ,  HOSSAIN, ZIA

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/872

公开(公告)号：TW201405671A

公开(公告)日：2014-02-01

申请号：TW102115985

申请日：2013-05-03

申请人： 宣昶股份有限公司 ,  MAXTEK TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： 廖克恭 ,  LIAO, KE KUNG ,  張東勝 ,  CHANG, TUNG SHENG ,  古俊彥 ,  KU, CHUN YEN ,  陳詩喻 ,  CHEN, SHIH YU

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/812

摘要： 一種用於天線切換電路的製程方法，其步驟包括提供一砷化鎵晶圓，其包括一覆蓋層；在砷化鎵晶圓設置一隔離層，以形成一元件區域；以及設置一閘極金屬於元件區域內的覆蓋層，閘極金屬與覆蓋層的一接觸面形成一蕭特基接面，且蕭特基接面與一阻抗並聯連接。本案亦揭露一種用於天線切換電路的半導體結構。

简体摘要： 一种用于天线切换电路的制程方法，其步骤包括提供一砷化镓晶圆，其包括一覆盖层；在砷化镓晶圆设置一隔离层，以形成一组件区域；以及设置一闸极金属于组件区域内的覆盖层，闸极金属与覆盖层的一接触面形成一萧特基接面，且萧特基接面与一阻抗并联连接。本案亦揭露一种用于天线切换电路的半导体结构。

公开(公告)号：TW201401338A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：TW102115614

申请日：2013-05-01

申请人： 三墾電氣股份有限公司 ,  SANKEN ELECTRIC CO., LTD. ,  信越半導體股份有限公司 ,  SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.

发明人： 鹿內洋志 ,  SHIKAUCHI, HIROSHI ,  後藤博一 ,  GOTO, HIROKAZU ,  佐藤憲 ,  SATO, KEN ,  篠宮勝 ,  SHINOMIYA, MASARU ,  土屋慶太郎 ,  TSUCHIYA, KEITARO ,  萩本和德 ,  HAGIMOTO, KAZUNORI

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/167 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明是一種磊晶基板，其特徵在於具備：矽基板，其以4×1017cm-3以上且6×1017cm-3以下的濃度含有氧原子，且以5×1018cm-3以上且6×1019cm-3以下的濃度含有硼原子；及，半導體層，其配置於矽基板上，且由具有與矽基板不同之熱膨脹係數的材料所構成。藉此，可提供一種磊晶基板，該磊晶基板可抑制由矽基板與半導體層之間的應力所導致之翹曲的產生。

简体摘要： 本发明是一种磊晶基板，其特征在于具备：硅基板，其以4×1017cm-3以上且6×1017cm-3以下的浓度含有氧原子，且以5×1018cm-3以上且6×1019cm-3以下的浓度含有硼原子；及，半导体层，其配置于硅基板上，且由具有与硅基板不同之热膨胀系数的材料所构成。借此，可提供一种磊晶基板，该磊晶基板可抑制由硅基板与半导体层之间的应力所导致之翘曲的产生。