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    半導體結構及其形成方法
    42.
    发明专利
    半導體結構及其形成方法 审中-公开
    半导体结构及其形成方法

    公开(公告)号：TW201714223A

    公开(公告)日：2017-04-16

    申请号：TW105107087

    申请日：2016-03-08

    申请人： 上海新昇半導體科技有限公司 ,  ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 肖德元 ,  XIAO, DEYUAN

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/772

    CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

    摘要： 本發明係提供一種半導體結構及其形成方法。所述半導體結構的形成方法，包括提供具有虛設閘極的基板；在所述基板中，於所述虛設閘極的兩側形成源汲區域，所述源汲區域摻雜有氘；去除所述虛設閘極，並在所述虛設閘極處形成包括閘氧化層的閘極結構，所述氘進入所述閘氧化層中。據此所得的半導體結構，由於氘進入閘氧化層中，從而在閘氧化層的介面處形成穩定的共價鍵，有效改善懸鍵存在的問題；此外，能夠提高裝置在面對熱載子效應時的恢復能力，降低了熱載子效應對裝置性能的影響。

    简体摘要： 本发明系提供一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法，包括提供具有虚设闸极的基板；在所述基板中，于所述虚设闸极的两侧形成源汲区域，所述源汲区域掺杂有氘；去除所述虚设闸极，并在所述虚设闸极处形成包括闸氧化层的闸极结构，所述氘进入所述闸氧化层中。据此所得的半导体结构，由于氘进入闸氧化层中，从而在闸氧化层的界面处形成稳定的共价键，有效改善悬键存在的问题；此外，能够提高设备在面对热载子效应时的恢复能力，降低了热载子效应对设备性能的影响。

    半導體元件及其製造方法
    43.
    发明专利
    半導體元件及其製造方法 审中-公开
    半导体组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW201714221A

    公开(公告)日：2017-04-16

    申请号：TW104133813

    申请日：2015-10-15

    申请人： 力晶科技股份有限公司 30078 新竹科學工業園區力行一路12號 ,  POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION

    发明人： 彭康鈞 ,  PENG, KANG-JUN ,  車行遠 ,  CHE, SHYNG-YEUAN ,  李芃葳 ,  LEE, PENG-WEI

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/772

    摘要： 一種半導體元件及其製造方法，其製造方法包括下列步驟。提供基底。形成閘介電層以覆蓋部分基底。形成閘極位於閘介電層上。對部分閘極進行第一摻雜製程以在閘極形成多個閘極摻雜區和至少一個閘極未摻雜區，至少一個閘極未摻雜區位於閘極摻雜區之間且至少一個閘極未摻雜區的寬度總合為第一寬度。形成介電層以覆蓋閘極的頂表面和側壁。對基底進行第二摻雜製程以形成源極區和汲極區，其中源極區和汲極區之間的最短距離為第二寬度。

    简体摘要： 一种半导体组件及其制造方法，其制造方法包括下列步骤。提供基底。形成闸介电层以覆盖部分基底。形成闸极位于闸介电层上。对部分闸极进行第一掺杂制程以在闸极形成多个闸极掺杂区和至少一个闸极未掺杂区，至少一个闸极未掺杂区位于闸极掺杂区之间且至少一个闸极未掺杂区的宽度总合为第一宽度。形成介电层以覆盖闸极的顶表面和侧壁。对基底进行第二掺杂制程以形成源极区和汲极区，其中源极区和汲极区之间的最短距离为第二宽度。

    半導體元件及其製造方法
    47.
    发明专利
    半導體元件及其製造方法 审中-公开
    半导体组件及其制造方法

    公开(公告)号：TW201709521A

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：TW104128325

    申请日：2015-08-28

    申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    发明人： 童宇誠 ,  TUNG, YU CHENG

    IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L2029/42388

    摘要： 一種半導體元件，包括一基板具有一第一絕緣層形成於其上，和一電晶體位於第一絕緣層上。電晶體至少包括一氧化半導體層形成於第一絕緣層上，一第一閘極絕緣層形成於氧化半導體層上，一閘極電極形成於第一閘極絕緣層上方，和間隔物形成於氧化半導體層上。間隔物至少覆蓋第一閘極絕緣層之側壁和閘極電極之側壁。閘極電極具有一閘極寬度，第一閘極絕緣層具有一第一寬度，且閘極寬度不同於第一寬度。

    简体摘要： 一种半导体组件，包括一基板具有一第一绝缘层形成于其上，和一晶体管位于第一绝缘层上。晶体管至少包括一氧化半导体层形成于第一绝缘层上，一第一闸极绝缘层形成于氧化半导体层上，一闸极电极形成于第一闸极绝缘层上方，和间隔物形成于氧化半导体层上。间隔物至少覆盖第一闸极绝缘层之侧壁和闸极电极之侧壁。闸极电极具有一闸极宽度，第一闸极绝缘层具有一第一宽度，且闸极宽度不同于第一宽度。