公开(公告)号：TWI231019B

公开(公告)日：2005-04-11

申请号：TW092100434

申请日：2003-01-09

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 百合野孝弘 TAKAHIRO YURINO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3142 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

摘要： 於半導體元件中，以銅合金製成之引線框可防止引線框表面附近發生剝落。藉將基底材料浸入強氧化劑溶液中，在以銅合金製成之基底材料上面形成一層氧化銅層。氧化銅層乃作為最外層，且由氧化銅而非針狀結晶形式之氧化銅所組成。

简体摘要： 于半导体组件中，以铜合金制成之引线框可防止引线框表面附近发生剥落。藉将基底材料浸入强氧化剂溶液中，在以铜合金制成之基底材料上面形成一层氧化铜层。氧化铜层乃作为最外层，且由氧化铜而非针状结晶形式之氧化铜所组成。

公开(公告)号：TW200420595A

公开(公告)日：2004-10-16

申请号：TW092128285

申请日：2003-10-13

申请人： 國家澱粉及化學品投資控股公司 NATIONAL STARCH AND CHEMICAL INVESTMENT HOLDING CORPORATION

发明人： 王仁宜 WANG, RENYI ,  吳兵 WU, BING ,  古德 KUDER, HARRY RICHARD

IPC分类号： C08G

CPC分类号： C08K5/3492 ,  C08G18/79 ,  C08G18/80 ,  H01L23/3142 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係有關可被用作供曝露金屬表面用之抗氧化劑，以及作為被塗覆至金屬基材上之黏著劑、塗層或包覆樹脂之黏著促進劑。此等化合物包括攜帶反應性或可聚合官能基之三或異氰尿酸酯化合物、多官能氰酸酯及多官能經保護之異氰酸酯。

简体摘要： 本发明系有关可被用作供曝露金属表面用之抗氧化剂，以及作为被涂覆至金属基材上之黏着剂、涂层或包覆树脂之黏着促进剂。此等化合物包括携带反应性或可聚合官能基之三或异氰尿酸酯化合物、多官能氰酸酯及多官能经保护之异氰酸酯。

公开(公告)号：TW200308069A

公开(公告)日：2003-12-16

申请号：TW092100434

申请日：2003-01-09

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 百合野孝弘 TAKAHIRO YURINO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3142 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

摘要： 於半導體元件中，以銅合金製成之引線框可防止引線框表面附近發生剝落。藉將基底材料浸入強氧化劑溶液中，在以銅合金製成之基底材料上面形成一層氧化銅層。氧化銅層乃作為最外層，且由氧化銅而非針狀結晶形式之氧化銅所組成。

简体摘要： 于半导体组件中，以铜合金制成之引线框可防止引线框表面附近发生剥落。藉将基底材料浸入强氧化剂溶液中，在以铜合金制成之基底材料上面形成一层氧化铜层。氧化铜层乃作为最外层，且由氧化铜而非针状结晶形式之氧化铜所组成。

公开(公告)号：TW330314B

公开(公告)日：1998-04-21

申请号：TW086110477

申请日：1997-07-23

申请人： 西門斯股份有限公司

发明人： 克里斯特尼達 ,  亞歷山大艾札斯度法 ,  迪圖夫浩德歐

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/3142 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 為了最佳化在塑膠材料晶片罩內之擠製材料與鈍化層之間的黏著性，使用氧氣電漿蝕刻方法。藉此，聚醯亞胺表面基本上變粗糙。一光敏聚醯亞胺之添加乃特別有利的，因為該添加除去額外之光罩。

简体摘要： 为了最优化在塑胶材料芯片罩内之挤制材料与钝化层之间的黏着性，使用氧气等离子蚀刻方法。借此，聚酰亚胺表面基本上变粗糙。一光敏聚酰亚胺之添加乃特别有利的，因为该添加除去额外之光罩。

公开(公告)号：TWI619214B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW103125676

申请日：2014-07-28

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 下手義和 ,  SHIMOTE, YOSHIKAZU ,  馬場伸治 ,  BABA, SHINJI ,  岩崎俊寛 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  中川和之 ,  NAKAGAWA, KAZUYUKI

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/284 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09427 ,  H05K2201/10704 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/0465 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TW201810602A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106114931

申请日：2017-05-05

申请人： 英特爾公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 傑雅拉曼 賽庫瑪 ,  JAYARAMAN, SAIKUMAR ,  古札克 約翰 S. ,  GUZEK, JOHN S. ,  梅康寧 衣德尼卡喬 S. ,  MEKONNEN, YIDNEKACHEW S.

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/85815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161

摘要： 與積體電路 (IC)封裝體設計關聯的設備、方法與系統是被揭露於此中。一IC封裝堆疊可以包括一第一IC封裝體和一第二IC封裝體。該第一IC封裝體可以包括一第一晶粒和一使位於該第一IC封裝體之第一側之接點連通地耦合到該第一晶粒及到位於該第一IC封裝體之第二側之接點的第一重新分佈層，該第二側是與該第一側相對。該第二IC封裝體可以被安裝到該第一IC封裝體的第二側。該第二IC封裝體可以包括一第二晶粒和一使位於該第二IC封裝體之一側之接點連通地耦合到該第二晶粒，該第二IC封裝體的接點是被連通地耦合到位於該第一IC封裝體之第二側的接點。

简体摘要： 与集成电路 (IC)封装体设计关联的设备、方法与系统是被揭露于此中。一IC封装堆栈可以包括一第一IC封装体和一第二IC封装体。该第一IC封装体可以包括一第一晶粒和一使位于该第一IC封装体之第一侧之接点连通地耦合到该第一晶粒及到位于该第一IC封装体之第二侧之接点的第一重新分布层，该第二侧是与该第一侧相对。该第二IC封装体可以被安装到该第一IC封装体的第二侧。该第二IC封装体可以包括一第二晶粒和一使位于该第二IC封装体之一侧之接点连通地耦合到该第二晶粒，该第二IC封装体的接点是被连通地耦合到位于该第一IC封装体之第二侧的接点。

公开(公告)号：TW201810554A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106108702

申请日：2017-03-16

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 游濟陽 ,  YU, CHI-YANG ,  何冠霖 ,  HO, KUAN-LIN ,  陳衿良 ,  CHEN, CHIN-LIANG ,  梁裕民 ,  LIANG, YU-MIN

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/54 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體結構，其包括一基板；一重佈線層(redistribution layer，RDL)，包括放置在該基板上方的一介電層以及被該介電層環繞之複數個導電件；一第一導電柱，放置在該等導電件之一者上方且與其電連接；一第二導電柱，放置在該等導電件之一者上方且與其電連接；一第一晶粒，放置在該RDL上方且與該第一導電柱電連接；以及一第二晶粒，放置在該RDL上方且與該第二導電柱電連接，其中該第二導電柱的一高度係實質上大於該第一導電柱的一高度，及該第一晶粒的一厚度係實質上大於該第二晶粒的一厚度。

简体摘要： 一种半导体结构，其包括一基板；一重布线层(redistribution layer，RDL)，包括放置在该基板上方的一介电层以及被该介电层环绕之复数个导电件；一第一导电柱，放置在该等导电件之一者上方且与其电连接；一第二导电柱，放置在该等导电件之一者上方且与其电连接；一第一晶粒，放置在该RDL上方且与该第一导电柱电连接；以及一第二晶粒，放置在该RDL上方且与该第二导电柱电连接，其中该第二导电柱的一高度系实质上大于该第一导电柱的一高度，及该第一晶粒的一厚度系实质上大于该第二晶粒的一厚度。

公开(公告)号：TWI614850B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW105128083

申请日：2016-08-31

申请人： 聯發科技股份有限公司 ,  MEDIATEK INC.

发明人： 劉乃瑋 ,  LIU, NAI WEI ,  林子閎 ,  LIN, TZU HUNG ,  彭逸軒 ,  PENG, I HSUAN ,  蕭景文 ,  HSIAO, CHING WEN ,  黃偉哲 ,  HUANG, WEI CHE

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03502 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/06146 ,  H01L2224/06156 ,  H01L2224/06166 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17136 ,  H01L2224/17146 ,  H01L2224/17156 ,  H01L2224/17166 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/214 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201802969A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106122734

申请日：2017-07-06

申请人： 精材科技股份有限公司 ,  XINTEC INC.

发明人： 林錫堅 ,  LIN, HSI CHIEN ,  陳智偉 ,  CHEN, JYH WEI ,  謝俊池 ,  HSIEH, JUN CHI ,  陳岳廷 ,  CHEN, YUE TING

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L24/02 ,  G06K9/00013 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14685 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08221 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19

摘要： 一種晶片封裝體包含晶片、第一絕緣層、重佈線層與鈍化層。晶片具有感應器、至少一焊墊、相對的頂面與底面、及鄰接頂面與底面的側壁。感應器位於頂面。焊墊位於頂面的邊緣。第一絕緣層位於晶片的底面與側壁上。重佈線層位於第一絕緣層上，且重佈線層電性接觸焊墊的側面。重佈線層至少部分凸出於焊墊而裸露。鈍化層位於第一絕緣層與重佈線層上，使未凸出焊墊的重佈線層位於鈍化層與第一絕緣層之間，而凸出焊墊的重佈線層位於鈍化層上。

简体摘要： 一种芯片封装体包含芯片、第一绝缘层、重布线层与钝化层。芯片具有感应器、至少一焊垫、相对的顶面与底面、及邻接顶面与底面的侧壁。感应器位于顶面。焊垫位于顶面的边缘。第一绝缘层位于芯片的底面与侧壁上。重布线层位于第一绝缘层上，且重布线层电性接触焊垫的侧面。重布线层至少部分凸出于焊垫而裸露。钝化层位于第一绝缘层与重布线层上，使未凸出焊垫的重布线层位于钝化层与第一绝缘层之间，而凸出焊垫的重布线层位于钝化层上。

公开(公告)号：TW201737430A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW105144148

申请日：2016-12-30

申请人： 新光電氣工業股份有限公司 ,  SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 笠原哲一郎 ,  KASAHARA, TETSUICHIRO ,  松澤秀樹 ,  MATSUZAWA, HIDEKI ,  大串正幸 ,  OKUSHI, MASAYUKI ,  坂井直也 ,  SAKAI, NAOYA

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49537 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/49861 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 一種引線框架，包括：第一引線框架，包括第一引線；第二引線框架，包括第二引線，該第二引線接合到該第一引線；以及樹脂部，設置在該第一引線框架與該第二引線框架之間，其中，該第一引線和該第二引線各自包括埋置在該樹脂部中的埋置部、及從該樹脂部突出的突出部，該第一引線的該埋置部與該第二引線的該埋置部在該樹脂部中接合。

简体摘要： 一种引线框架，包括：第一引线框架，包括第一引线；第二引线框架，包括第二引线，该第二引线接合到该第一引线；以及树脂部，设置在该第一引线框架与该第二引线框架之间，其中，该第一引线和该第二引线各自包括埋置在该树脂部中的埋置部、及从该树脂部突出的突出部，该第一引线的该埋置部与该第二引线的该埋置部在该树脂部中接合。