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公开(公告)号:TWI587510B
公开(公告)日:2017-06-11
申请号:TW104132364
申请日:2015-10-01
Inventor: 鄭楷黎 , CHENG, KAI LI , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG
IPC: H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28114 , H01L21/32135 , H01L29/165 , H01L29/42376 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66636 , H01L29/7848
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公开(公告)号:TWI584472B
公开(公告)日:2017-05-21
申请号:TW104138902
申请日:2015-11-24
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 莊瑞萍 , CHUANG, JUI PING , 呂禎祥 , LU, CHEN HSIANG , 陳威廷 , CHEN, WEI TING , 劉又誠 , LIU, YU CHENG
IPC: H01L29/772 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/42372 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7851
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公开(公告)号:TWI582989B
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:TW104123514
申请日:2015-07-21
Inventor: 張哲豪 , ZHANG, ZHE HAO , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
IPC: H01L29/772 , H01L27/085 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66795 , H01L29/7848
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公开(公告)号:TWI581340B
公开(公告)日:2017-05-01
申请号:TW105133306
申请日:2016-10-14
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02271 , H01L21/764 , H01L29/0649 , H01L29/401 , H01L29/515 , H01L29/66545 , H01L29/7851
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公开(公告)号:TW201715688A
公开(公告)日:2017-05-01
申请号:TW105120576
申请日:2016-06-29
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76877 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L2225/06541
Abstract: 內連接結構包括非絕緣結構、介電結構及導電結構。介電結構位於非絕緣結構上。介電結構具有溝槽開口及通孔開口於其中。溝槽開口具有底表面及底表面中的至少一凹槽。通孔開口係位於溝槽開口與非絕緣結構之間。導電結構係位於溝槽開口及通孔開口中,並電性連接非絕緣結構。導電結構至少與凹槽之底部分離。
Abstract in simplified Chinese: 内连接结构包括非绝缘结构、介电结构及导电结构。介电结构位于非绝缘结构上。介电结构具有沟槽开口及通孔开口于其中。沟槽开口具有底表面及底表面中的至少一凹槽。通孔开口系位于沟槽开口与非绝缘结构之间。导电结构系位于沟槽开口及通孔开口中,并电性连接非绝缘结构。导电结构至少与凹槽之底部分离。
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公开(公告)号:TWI575601B
公开(公告)日:2017-03-21
申请号:TW104109025
申请日:2015-03-20
Inventor: 陳建穎 , CHEN, CHANGYIN , 程潼文 , CHENG, TUNGWEN , 張哲誠 , CHANG, CHECHENG , 林志忠 , LIN, JRJUNG , 林志翰 , LIN, CHIHHAN
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481
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公开(公告)号:TWI567944B
公开(公告)日:2017-01-21
申请号:TW104128663
申请日:2015-08-31
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 陳威廷 , CHEN, WEI TING
IPC: H01L27/105 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/66477 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848
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公开(公告)号:TW201642326A
公开(公告)日:2016-12-01
申请号:TW104139095
申请日:2015-11-25
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 莊瑞萍 , CHUANG, JUI PING , 呂禎祥 , LU, CHEN HSIANG , 陳威廷 , CHEN, WEI TING , 劉又誠 , LIU, YU CHENG
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/42372 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 本揭露提供一種半導體元件結構,包括:一鰭狀結構,位於一半導體基板之上;一閘極堆疊,覆蓋鰭狀結構的一部分,其中閘極堆疊包括一功函數層和位於功函數層之上的一金屬填充;以及一隔離元件,位於半導體基板之上且相鄰閘極堆疊,其中隔離元件與功函數層和金屬填充直接接觸。本揭露也提供一種半導體元件結構的形成方法。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体组件结构,包括:一鳍状结构,位于一半导体基板之上;一闸极堆栈,覆盖鳍状结构的一部分,其中闸极堆栈包括一功函数层和位于功函数层之上的一金属填充;以及一隔离组件,位于半导体基板之上且相邻闸极堆栈,其中隔离组件与功函数层和金属填充直接接触。本揭露也提供一种半导体组件结构的形成方法。
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公开(公告)号:TW201616581A
公开(公告)日:2016-05-01
申请号:TW104123373
申请日:2015-07-20
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 林志忠 , LIN, JR JUNG
IPC: H01L21/335 , H01L27/085 , H01L29/772
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L27/0886 , H01L29/66545
Abstract: 本揭露提供一種具有有效鰭式場效電晶體(FinFET)隔離的半導體裝置及其製造方法。此方法包括接收一基底,其具有一主動鰭、位於基底上且與鰭嚙合的複數虛置閘極堆疊以及位於基底上且隔開虛置閘極堆疊的第一介電特徵部件。此方法更包括去除虛置閘極堆疊,藉以形成一第一溝槽及一第二溝槽,其分別露出主動鰭的第一部及第二部。此方法更包括去除主動鰭的第一部並於第二溝槽內形成一閘極堆疊,此閘極堆疊與主動鰭的第二部嚙合。此方法更包括將一第二介電材料填入第一溝槽,其有效隔離主動鰭的第二部。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种具有有效鳍式场效应管(FinFET)隔离的半导体设备及其制造方法。此方法包括接收一基底,其具有一主动鳍、位于基底上且与鳍啮合的复数虚置闸极堆栈以及位于基底上且隔开虚置闸极堆栈的第一介电特征部件。此方法更包括去除虚置闸极堆栈,借以形成一第一沟槽及一第二沟槽,其分别露出主动鳍的第一部及第二部。此方法更包括去除主动鳍的第一部并于第二沟槽内形成一闸极堆栈,此闸极堆栈与主动鳍的第二部啮合。此方法更包括将一第二介电材料填入第一沟槽,其有效隔离主动鳍的第二部。
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公开(公告)号:TWI528551B
公开(公告)日:2016-04-01
申请号:TW103144712
申请日:2014-12-22
Inventor: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳臆仁 , CHEN, YI JEN , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
CPC classification number: H01L21/823814 , H01L21/265 , H01L21/2652 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/42364 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7843 , H01L29/7848
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