半導體裝置及其製造方法
    69.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201616581A

    公开(公告)日:2016-05-01

    申请号:TW104123373

    申请日:2015-07-20

    Abstract: 本揭露提供一種具有有效鰭式場效電晶體(FinFET)隔離的半導體裝置及其製造方法。此方法包括接收一基底,其具有一主動鰭、位於基底上且與鰭嚙合的複數虛置閘極堆疊以及位於基底上且隔開虛置閘極堆疊的第一介電特徵部件。此方法更包括去除虛置閘極堆疊,藉以形成一第一溝槽及一第二溝槽,其分別露出主動鰭的第一部及第二部。此方法更包括去除主動鰭的第一部並於第二溝槽內形成一閘極堆疊,此閘極堆疊與主動鰭的第二部嚙合。此方法更包括將一第二介電材料填入第一溝槽,其有效隔離主動鰭的第二部。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种具有有效鳍式场效应管(FinFET)隔离的半导体设备及其制造方法。此方法包括接收一基底,其具有一主动鳍、位于基底上且与鳍啮合的复数虚置闸极堆栈以及位于基底上且隔开虚置闸极堆栈的第一介电特征部件。此方法更包括去除虚置闸极堆栈,借以形成一第一沟槽及一第二沟槽,其分别露出主动鳍的第一部及第二部。此方法更包括去除主动鳍的第一部并于第二沟槽内形成一闸极堆栈,此闸极堆栈与主动鳍的第二部啮合。此方法更包括将一第二介电材料填入第一沟槽,其有效隔离主动鳍的第二部。

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