专利检索 cpc:"H01L29/42364" 第 9 页

81.

发明专利
半導體裝置與其製造方法有权
简体标题：半导体设备与其制造方法

公开(公告)号：TWI622094B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105139539

申请日：2016-11-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN

IPC分类号： H01L21/306 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/30604 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/42364 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785

82.

发明专利
替換性金屬閘極電晶體有权
简体标题：替换性金属闸极晶体管

公开(公告)号：TWI613821B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW103120639

申请日：2014-06-16

申请人： 瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

发明人： 張郢 , ZHANG, YING , 舍曼絲特芬 , SHERMAN, STEVEN

IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40

CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/28088 , H01L21/28114 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/32131 , H01L21/32136 , H01L29/401 , H01L29/42364 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78

83.

发明专利
半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法

公开(公告)号：TWI604605B

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW105141643

申请日：2016-12-15

申请人： 國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY

发明人： 張翼 , CHANG, EDWARD YI , 劉世謙 , LIU, SHIH CHIEN , 黃崇愷 , HUANG, CHUNG KAI , 吳佳勳 , WU, CHIA HSUN , 韓秉承 , HAN, PING CHENG , 林岳欽 , LIN, YUEH CHIN , 謝廷恩 , HSIEH, TING EN

IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/772 , H01L21/8252

CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/28291 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/408 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/516 , H01L29/66462 , H01L29/78391 , H01L29/792

84.

发明专利
半導體裝置與形成半導體裝置之方法审中-公开
简体标题：半导体设备与形成半导体设备之方法

公开(公告)号：TW201737324A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106103018

申请日：2017-01-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 林志翰 , LIN, CHIH HAN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 曾鴻輝 , TSENG, HORNG HUEI

IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/51

CPC分类号： H01L29/42364 , H01L21/28008 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28114 , H01L29/401 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545

摘要： 一種形成半導體裝置之方法包括接收裝置，裝置具有基板及環繞閘極溝槽之第一介電層。方法更包括在閘極溝槽中沉積閘極介電層及閘極功函數(work function，WF)層，及在由閘極功函數層環繞之空間中形成硬遮罩(hard mask，HM)層。方法更包括使閘極功函數層凹陷以使得閘極溝槽中之閘極功函數層之頂表面在第一介電層之頂表面下方。在使閘極功函數層凹陷之後，方法更包括移除閘極溝槽中之硬遮罩層。在移除硬遮罩層之後，方法更包括在閘極溝槽中沉積金屬層。

简体摘要： 一种形成半导体设备之方法包括接收设备，设备具有基板及环绕闸极沟槽之第一介电层。方法更包括在闸极沟槽中沉积闸极介电层及闸极功函数(work function，WF)层，及在由闸极功函数层环绕之空间中形成硬遮罩(hard mask，HM)层。方法更包括使闸极功函数层凹陷以使得闸极沟槽中之闸极功函数层之顶表面在第一介电层之顶表面下方。在使闸极功函数层凹陷之后，方法更包括移除闸极沟槽中之硬遮罩层。在移除硬遮罩层之后，方法更包括在闸极沟槽中沉积金属层。

85.

发明专利
作為高壓器件之閘極介電質之凹陷淺溝渠隔離审中-公开
简体标题：作为高压器件之闸极介电质之凹陷浅沟渠隔离

公开(公告)号：TW201735264A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105122580

申请日：2016-07-18

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 陳奕寰 , CHEN, YI HUAN , 范富傑 , FAN, FU JIER , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 霍克孝 , HUO, KER HSIAO , 陳奕升 , CHEN, YI SHENG , 劉思賢 , LIU, SZU HSIEN , 林國樹 , LIN, KAU CHU , 葉力瑄 , YEH, LI HSUAN

IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06

CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/823418 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/823481 , H01L21/823493 , H01L27/0922 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/42364 , H01L29/42368 , H01L29/66545 , H01L29/66621

摘要： 本發明揭示一種方法，其包含形成延伸至一半導體基板中之一隔離區、蝕刻該隔離區之一頂部部分，以在該隔離區中形成一凹陷及形成延伸至該凹陷中且與該隔離區之一下部分重疊之一閘極堆疊。一源極區及一汲極區形成於該閘極堆疊之相對側上。該閘極堆疊、該源極區及該汲極區為一金屬氧化物半導體器件(MOS)之部分。

简体摘要： 本发明揭示一种方法，其包含形成延伸至一半导体基板中之一隔离区、蚀刻该隔离区之一顶部部分，以在该隔离区中形成一凹陷及形成延伸至该凹陷中且与该隔离区之一下部分重叠之一闸极堆栈。一源极区及一汲极区形成于该闸极堆栈之相对侧上。该闸极堆栈、该源极区及该汲极区为一金属氧化物半导体器件(MOS)之部分。

86.

发明专利
半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备

公开(公告)号：TW201731019A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105121516

申请日：2016-07-07

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 李佳叡 , LEE, JIA RUI , 吳國銘 , WU, KUO MING , 林怡君 , LIN, YI CHUN , 克爾尼斯基亞歷山大 , KALNITSKY, ALEXANDER

IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/08

CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/76224 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L21/823462 , H01L21/823493 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/42364 , H01L29/66681 , H01L29/7816

摘要： 在一些實施例中，一種半導體裝置包括一第一電晶體及一第二電晶體。該第一電晶體包括：一第一源極區域，其在具有一第一濃度之一第一主體區域中；及一第一閘極。該第二電晶體包括一第二源極區域，該第二源極區域在具有高於該第一濃度的一第二濃度之一第二主體區域中。該第二源極區域與該第一源極區域及該第一閘極連接。

简体摘要： 在一些实施例中，一种半导体设备包括一第一晶体管及一第二晶体管。该第一晶体管包括：一第一源极区域，其在具有一第一浓度之一第一主体区域中；及一第一闸极。该第二晶体管包括一第二源极区域，该第二源极区域在具有高于该第一浓度的一第二浓度之一第二主体区域中。该第二源极区域与该第一源极区域及该第一闸极连接。

87.

发明专利
半導體元件結構及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体组件结构及其形成方法

公开(公告)号：TW201729238A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105135669

申请日：2016-11-03

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 葉啟瑞 , YEH, CHI RUEI , 王智麟 , WANG, CHIH LIN , 郭康民 , KUO, KANG MIN

IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/51 , H01L29/78

CPC分类号： H01L29/518 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/28518 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L23/485 , H01L29/401 , H01L29/42364 , H01L29/45 , H01L29/4966 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L29/7848

摘要： 本揭露提供了一種半導體元件結構及其形成方法。半導體元件結構包括半導體基底及位於半導體基底之上的金屬閘電極結構。半導體元件結構還包括位於半導體基底之上的絕緣層，其圍繞金屬閘電極結構。半導體元件結構更包括位於金屬閘電極結構的第一頂表面之上的第一金屬氮化物層，其與該金屬閘電極結構直接接觸。第一金屬氮化物層包括金屬閘電極結構之一氮化物材料。

简体摘要： 本揭露提供了一种半导体组件结构及其形成方法。半导体组件结构包括半导体基底及位于半导体基底之上的金属闸电极结构。半导体组件结构还包括位于半导体基底之上的绝缘层，其围绕金属闸电极结构。半导体组件结构更包括位于金属闸电极结构的第一顶表面之上的第一金属氮化物层，其与该金属闸电极结构直接接触。第一金属氮化物层包括金属闸电极结构之一氮化物材料。