半導體裝置結構的形成方法
    1.
    发明专利
    半導體裝置結構的形成方法 审中-公开
    半导体设备结构的形成方法

    公开(公告)号:TW201839826A

    公开(公告)日:2018-11-01

    申请号:TW106135678

    申请日:2017-10-18

    IPC分类号: H01L21/301 H01L21/60

    摘要: 提供半導體裝置結構的形成方法,此方法包含提供半導體結構,半導體結構具有中央部分和圍繞中央部分的周邊部分。此方法包含在半導體結構的表面上方形成複數個第一導電凸塊和複數個虛設導電凸塊,第一導電凸塊在中央部分上方並電性連接至半導體結構,虛設導電凸塊在周邊部分上方並與半導體結構電性絕緣,第一導電凸塊的每一個具有第一厚度和第一寬度,虛設導電凸塊的每一個具有第二厚度和第二寬度,第二厚度小於第一厚度,且第二寬度大於第一寬度。

    简体摘要: 提供半导体设备结构的形成方法,此方法包含提供半导体结构,半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分。此方法包含在半导体结构的表面上方形成复数个第一导电凸块和复数个虚设导电凸块,第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构,虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘,第一导电凸块的每一个具有第一厚度和第一宽度,虚设导电凸块的每一个具有第二厚度和第二宽度,第二厚度小于第一厚度,且第二宽度大于第一宽度。

    去膠膜方法及裝置
    2.
    发明专利
    去膠膜方法及裝置 审中-公开
    去胶膜方法及设备

    公开(公告)号:TW201530644A

    公开(公告)日:2015-08-01

    申请号:TW103124698

    申请日:2014-07-18

    IPC分类号: H01L21/306

    摘要: 本揭露實施例所提供的是去膠膜方法,此方法包含提供一基材,其具有一基材膠膜附於其上,此基材包含多個與基材膠膜接合之電連接器;提供一流體至此基材與此基材膠膜之間;及當流體位於此基材及此基材膠膜之間時,自此基材移除此基材膠膜。在另一實施例中,所提供的是去膠膜裝置,包含:一浸潤槽、一基材座、一第一固定滾軸、一第二固定滾軸及一可移動滾軸。此基材用以固定一基材並放置此基材至浸潤槽中。第一固定滾軸用以分配固定用膠膜。第二固定滾軸用以捲動固定用膠膜。可移動滾軸用以延伸進入此浸潤槽中及黏著此固定用膠膜至此基材上之一基材膠膜。

    简体摘要: 本揭露实施例所提供的是去胶膜方法,此方法包含提供一基材,其具有一基材胶膜附于其上,此基材包含多个与基材胶膜接合之电连接器;提供一流体至此基材与此基材胶膜之间;及当流体位于此基材及此基材胶膜之间时,自此基材移除此基材胶膜。在另一实施例中,所提供的是去胶膜设备,包含:一浸润槽、一基材座、一第一固定滚轴、一第二固定滚轴及一可移动滚轴。此基材用以固定一基材并放置此基材至浸润槽中。第一固定滚轴用以分配固定用胶膜。第二固定滚轴用以卷动固定用胶膜。可移动滚轴用以延伸进入此浸润槽中及黏着此固定用胶膜至此基材上之一基材胶膜。