Abstract in simplified Chinese:本揭露的实施例包含半导体封装体及其制造方法。一实施例为方法,包含安装一晶粒至一基板的顶表面,以形成一组件,密封晶粒及基板的顶表面于一模塑化合物内,此模塑化合物于晶粒上具有一第一厚度,以及移除模塑化合物于晶粒上的厚度的一部分,而非全部。此方法更包含对组件进行进一步的处理,以及移除模塑化合物于晶粒上的剩余厚度。
Abstract in simplified Chinese:本揭露的实施例包含半导体封装体及其制造方法。一实施例为方法,包含安装一晶粒至一基板的顶表面,以形成一组件,密封晶粒及基板的顶表面于一模塑化合物内,此模塑化合物于晶粒上具有一第一厚度,以及移除模塑化合物于晶粒上的厚度的一部分,而非全部。此方法更包含对组件进行进一步的处理,以及移除模塑化合物于晶粒上的剩余厚度。
Abstract:
本發明揭示一種接合墊(bond pad)結構,其包括一頂部介層窗(via)圖案。頂部介層窗圖案具有至少一第一介層窗組以及與其相鄰的至少一第二介層窗組。第一介層窗組具有朝一第一方向延伸之至少兩個線型介層窗,而第二介層窗組具有朝不同於第一方向之一第二方向延伸之至少兩個線型介層窗。第一介層窗組之線型介層窗不與第二介層窗組之線型介層窗相交。 A bond pad structure. The bond pad structure includes a top via pattern having at least one first via group and at least one second via group adjacent to each other. The first via group has at least two line vias extending in a first direction. The second via group has at least two line vias extending in a second direction different from the first direction. The line via of the first via group does not cross the line via of the second via group. 【創作特點】 有鑑於此,本發明之目的在於提供一種用於接合墊結構之頂部介層窗圖案,用以避免在線型介層窗相交之處具有不良的覆蓋率(coverage),進而改善可靠度、接合度以及品質控制。 根據上述之目的,本發明之一實施例係提供一種接合墊結構,其包括:一第一金屬層、位於第一金屬層上方的一第二金屬層、位於第一金屬層與第二金屬層之間的一介電層以及設置於介電層中且電性連接至第一金屬層與第二金屬層金屬介層窗圖案。金屬介層窗圖案具有至少二第一介層窗組以及與其相鄰的至少二第二介層窗組,且第一及第二介層窗組沿著一第一方向及不同於第一方向之一第二方向輪流排列。第一介層窗組具有朝第一方向延伸之至少兩個第一線型介層窗,而第二介層窗組具有朝第二方向延伸之至少兩個第二線型介層窗,且第一線型介層窗不與第二線型介層窗相交。 本發明之另一實施例係提供一種金屬介層窗圖案,其具有依矩陣陣列排列之複數第一介層窗組及複數第二介層窗組,且第一及第二介層窗組沿著一第一方向及不同於第一方向之一第二方向輪流排列。第一介層窗組具有朝一第一方向延伸之至少兩個第一線型介層窗,而第二介層窗組具有朝垂直於第一方向之一第二方向延伸之至少兩個第二線型介層窗。第一介層窗組具有三個平行排置的線型介層窗。第二介層窗組具有三個平行排置的線型介層窗。一積體電路係設置於接合墊結構之下方。 為讓本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下:
Abstract in simplified Chinese:本发明揭示一种接合垫(bond pad)结构,其包括一顶部介层窗(via)图案。顶部介层窗图案具有至少一第一介层窗组以及与其相邻的至少一第二介层窗组。第一介层窗组具有朝一第一方向延伸之至少两个线型介层窗,而第二介层窗组具有朝不同于第一方向之一第二方向延伸之至少两个线型介层窗。第一介层窗组之线型介层窗不与第二介层窗组之线型介层窗相交。 A bond pad structure. The bond pad structure includes a top via pattern having at least one first via group and at least one second via group adjacent to each other. The first via group has at least two line vias extending in a first direction. The second via group has at least two line vias extending in a second direction different from the first direction. The line via of the first via group does not cross the line via of the second via group. 【创作特点】 有鉴于此,本发明之目的在于提供一种用于接合垫结构之顶部介层窗图案,用以避免在线型介层窗相交之处具有不良的覆盖率(coverage),进而改善可靠度、接合度以及品质控制。
根据上述之目的,本发明之一实施例系提供一种接合垫结构,其包括:一第一金属层、位于第一金属层上方的一第二金属层、位于第一金属层与第二金属层之间的一介电层以及设置于介电层中且电性连接至第一金属层与第二金属层金属介层窗图案。金属介层窗图案具有至少二第一介层窗组以及与其相邻的至少二第二介层窗组,且第一及第二介层窗组沿着一第一方向及不同于第一方向之一第二方向轮流排列。第一介层窗组具有朝第一方向延伸之至少两个第一线型介层窗,而第二介层窗组具有朝第二方向延伸之至少两个第二线型介层窗,且第一线型介层窗不与第二线型介层窗相交。
本发明之另一实施例系提供一种金属介层窗图案,其具有依矩阵数组排列之复数第一介层窗组及复数第二介层窗组,且第一及第二介层窗组沿着一第一方向及不同于第一方向之一第二方向轮流排列。第一介层窗组具有朝一第一方向延伸之至少两个第一线型介层窗,而第二介层窗组具有朝垂直于第一方向之一第二方向延伸之至少两个第二线型介层窗。第一介层窗组具有三个平行排置的线型介层窗。第二介层窗组具有三个平行排置的线型介层窗。一集成电路系设置于接合垫结构之下方。
为让本发明之上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
Abstract in simplified Chinese:本发明揭示一种以动态高电压处理降低不良率的芯片筛选方法,包括下列步骤:首先量测一测试芯片上两接点之待机电流,以得到一第一电流值Isb1;然后以大于该测试芯片之正常操作电压的一既定电压值,施加动态高电压处理于该测试芯片;最后,重新量测接点之待机电流,以得到一第二电流值Isb2,若第一电流值Isb1与第二电流值 lsb2之差△Isb大于一既定的标准电流值时,则淘汰该测试芯片,否则该测试芯片即为合格芯片。如此,可确实提升芯片良率,同时并不需花费额外的时间成本。
Abstract in simplified Chinese:本发明提出一种消除垫上之内金属介电层裂缝的网状垫结构,此结构至少包括:一焊垫区域,位于一半导体基底之导电层上、一绝缘层,位于焊垫区域表面上、复数个开口、位于绝缘层中,其中复数个开口排列成网状、一第一金属层,填充于复数个开口中、以及一第二金属层,位于绝缘层与第一金属层表面上。
Abstract in simplified Chinese:一种集成电路之静电放电保护电路的制造方法:先形成场效应管的闸氧化层、闸极、源极和汲极于P半导体基板上,接着,形成一层间介电层于整个半导体基板的表面,并在所述N+汲极的上方打开接触窗,然后,将P+杂质植入所述接触窗开口的所述汲极与所述半导体基板接面处,以形成一个N+/P+/N+串联二极管对汲极(butted drain),最后形成金属连接。本发明仅在较小面积的接触窗开口处植入P+型杂质,不但可以降低保护电路的崩溃电压至2伏特左右,同时更减少了此静电放电保护电路于静止状态的漏电流及接面电容。
Abstract in simplified Chinese:本发明揭露了一种金属硅化物之制造方法,其利用两阶段形成金属钛层,以降低布植碳原子所需之能量,而避免了暂态加速扩散(TED)、及其所导致的组件缺陷的产生。此制程适用于一具有一金氧半晶体管之半导体硅基板,且该金氧半晶体管具有一闸极、一源极、与一汲极,包括下列步骤:形成一第一金属层于该半导体硅基板之表面;进行一离子混合布植,将杂质布植至该第一金属层与该半导体硅基板之界面间;形成一第二金属层于该第一金属层之表面;进行一热退火制程以于该闸极、该源极、与该汲极表面形成一金属硅化物;以及移除该第一、第二金属层。
Abstract in simplified Chinese:本发明乃揭示一种适用于深次微米技术之双镶嵌结构制程,其步骤包括:(a)提供一包含有半导体组件之基底;(b)依序形成一个由一第一内金属介电层、一蚀刻阻绝层以及一第二内金属介电层所构成之堆栈结构于该基底上;(c)以双镶嵌进程定义该堆栈结构,并且在双镶嵌结构之预定处形成一贯穿该堆栈结构且露出该基底表面之双镶嵌沟渠;(d)在该双镶嵌沟渠之侧壁形成一绝缘侧壁子;(e)依序形成一阻障层以及一金属层于该第二内金属介电层表面,并且沟填该双镶嵌沟渠;以及(f)去除位在该第二内金属介电层表面多余的该阻障层以及该金属层,形成一由该阻障层和该金属层所构成之双镶嵌结构。