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    半導體封裝結構及其製造方法
    3.
    发明专利
    半導體封裝結構及其製造方法 审中-公开
    半导体封装结构及其制造方法

    公开(公告)号：TW201911519A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107126040

    申请日：2018-07-27

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 賴怡仁 ,  LAI, YI-JEN ,  陳承先 ,  CHEN, CHEN-SHIEN ,  劉國洲 ,  LIU, KUO-CHIO ,  林忠儀 ,  LIN, CHUNG-YI ,  鄭錫圭 ,  CHENG, HSI-KUEI

    IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/28

    摘要： 本發明實施例提供一種半導體封裝的製造方法，所述方法包含：在載體上方形成離形薄膜；在所述離形薄膜上方形成聚合物緩衝層；在所述聚合物緩衝層上形成金屬支柱；將所述金屬支柱包封於包封材料中；對所述包封材料執行平坦化以暴露所述金屬支柱；在所述包封材料及所述金屬支柱上方形成重佈線結構；以及分解所述離形薄膜之第一部分。所述離形薄膜之第二部分在所述分解之後保留。在所述聚合物緩衝層中形成開口以暴露所述金屬支柱。

    简体摘要： 本发明实施例提供一种半导体封装的制造方法，所述方法包含：在载体上方形成离形薄膜；在所述离形薄膜上方形成聚合物缓冲层；在所述聚合物缓冲层上形成金属支柱；将所述金属支柱包封于包封材料中；对所述包封材料运行平坦化以暴露所述金属支柱；在所述包封材料及所述金属支柱上方形成重布线结构；以及分解所述离形薄膜之第一部分。所述离形薄膜之第二部分在所述分解之后保留。在所述聚合物缓冲层中形成开口以暴露所述金属支柱。

    裁切半導體晶圓的方法
    5.
    发明专利
    裁切半導體晶圓的方法 审中-公开
    裁切半导体晶圆的方法

    公开(公告)号：TW201822273A

    公开(公告)日：2018-06-16

    申请号：TW106143147

    申请日：2017-12-08

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 湯友聖 ,  TANG, YU SHENG ,  張富程 ,  CHANG, FU CHEN ,  黃震麟 ,  HUANG, CHENG LIN ,  陳文明 ,  CHEN, WEN MING ,  羅俊彥 ,  LO, CHUN YEN ,  劉國洲 ,  LIU, KUO CHIO

    IPC分类号： H01L21/304

    摘要： 提供一種裁切半導體晶圓的方法。此方法包含裁切一半導體晶圓，以形成一第一開口。此外，上述半導體晶圓包含一切割膠帶與藉由一晶片貼合薄膜(die attach film；DAF)貼合於上述切割膠帶的一基底，上述第一開口是形成於上述基底的一上部。此方法更包含從上述第一開口切穿上述半導體晶圓的上述基底與上述晶片貼合薄膜，以在上述第一開口之下形成一中間開口並在上述中間開口之下形成一第二開口，而將上述半導體晶圓分割成二個晶片。此外，上述中間開口的側壁的斜率異於上述第一開口及上述第二開口的側壁的斜率。

    简体摘要： 提供一种裁切半导体晶圆的方法。此方法包含裁切一半导体晶圆，以形成一第一开口。此外，上述半导体晶圆包含一切割胶带与借由一芯片贴合薄膜(die attach film；DAF)贴合于上述切割胶带的一基底，上述第一开口是形成于上述基底的一上部。此方法更包含从上述第一开口切穿上述半导体晶圆的上述基底与上述芯片贴合薄膜，以在上述第一开口之下形成一中间开口并在上述中间开口之下形成一第二开口，而将上述半导体晶圆分割成二个芯片。此外，上述中间开口的侧壁的斜率异于上述第一开口及上述第二开口的侧壁的斜率。

    半導體裝置及其形成方法
    7.
    发明专利
    半導體裝置及其形成方法 审中-公开
    半导体设备及其形成方法

    公开(公告)号：TW202027181A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108135005

    申请日：2019-09-27

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 李苓瑋 ,  LI, LING-WEI ,  黃震麟 ,  HUANG, CHENG-LIN ,  劉明達 ,  LIU, MIN-TAR ,  喬福康 ,  CHIAO, FU-KANG ,  周彥彬 ,  CHOU, MATT ,  羅俊彥 ,  LO, CHUN-YEN ,  朱則榮 ,  CHU, CHE-JUNG ,  陳文明 ,  CHEN, WEN-MING ,  劉國洲 ,  LIU, KUO-CHIO

    IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/50

    摘要： 本發明實施例提供一種半導體裝置的形成方法，包括：接收中介片的第一表面上的複數個導電凸塊的第一設計，所述第一設計中的所述導電凸塊具有相同的橫剖面積；將所述第一設計中的所述導電凸塊分組為所述第一表面的第一區域中的第一組導電凸塊和所述第一表面的第二區域中的第二組導電凸塊，其中所述第二區域的凸塊圖案密度小於所述第一區域的凸塊圖案密度；透過修改所述第一設計形成第二設計，其中修改所述第一設計包括修改所述第二區域中的所述第二組導電凸塊的橫剖面積；以及根據所述第二設計形成所述導電凸塊於所述中介片的所述第一表面上，其中，在形成之後，所述第一組導電凸塊和所述第二組導電凸塊具有不同的橫剖面積。本發明實施例也提供一種半導體裝置。

    简体摘要： 本发明实施例提供一种半导体设备的形成方法，包括：接收中介片的第一表面上的复数个导电凸块的第一设计，所述第一设计中的所述导电凸块具有相同的横剖面积；将所述第一设计中的所述导电凸块分组为所述第一表面的第一区域中的第一组导电凸块和所述第一表面的第二区域中的第二组导电凸块，其中所述第二区域的凸块图案密度小于所述第一区域的凸块图案密度；透过修改所述第一设计形成第二设计，其中修改所述第一设计包括修改所述第二区域中的所述第二组导电凸块的横剖面积；以及根据所述第二设计形成所述导电凸块于所述中介片的所述第一表面上，其中，在形成之后，所述第一组导电凸块和所述第二组导电凸块具有不同的横剖面积。本发明实施例也提供一种半导体设备。

    半導體裝置結構的形成方法
    8.
    发明专利
    半導體裝置結構的形成方法 审中-公开
    半导体设备结构的形成方法

    公开(公告)号：TW201839826A

    公开(公告)日：2018-11-01

    申请号：TW106135678

    申请日：2017-10-18

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 施孟甫 ,  SHIH, MENG FU ,  黃震麟 ,  HUANG, CHENG LIN ,  李建成 ,  LI, CHIEN CHEN ,  朱則榮 ,  CHU, CHE JUNG ,  陳文明 ,  CHEN, WEN MING ,  劉國洲 ,  LIU, KUO CHIO

    IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/60

    摘要： 提供半導體裝置結構的形成方法，此方法包含提供半導體結構，半導體結構具有中央部分和圍繞中央部分的周邊部分。此方法包含在半導體結構的表面上方形成複數個第一導電凸塊和複數個虛設導電凸塊，第一導電凸塊在中央部分上方並電性連接至半導體結構，虛設導電凸塊在周邊部分上方並與半導體結構電性絕緣，第一導電凸塊的每一個具有第一厚度和第一寬度，虛設導電凸塊的每一個具有第二厚度和第二寬度，第二厚度小於第一厚度，且第二寬度大於第一寬度。

    简体摘要： 提供半导体设备结构的形成方法，此方法包含提供半导体结构，半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分。此方法包含在半导体结构的表面上方形成复数个第一导电凸块和复数个虚设导电凸块，第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构，虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘，第一导电凸块的每一个具有第一厚度和第一宽度，虚设导电凸块的每一个具有第二厚度和第二宽度，第二厚度小于第一厚度，且第二宽度大于第一宽度。

    具有矽控整流型靜電保護元件之電晶體
    9.
    发明专利
    具有矽控整流型靜電保護元件之電晶體 有权
    具有硅控整流型静电保护组件之晶体管

    公开(公告)号：TW449780B

    公开(公告)日：2001-08-11

    申请号：TW089104623

    申请日：2000-03-14

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

    发明人： 李建興 ,  劉國洲 ,  廖炳隆 ,  施教仁

    IPC分类号： H01L

    摘要： 一種具有矽控整流型靜電保護元件之高壓功率電晶體，由於其內部之矽控整流型靜電保護元件之阻抗值彼此相同，因此電流能夠完全均勻分佈。當超過跳回電壓之靜電應力侵入時，能提供用來導通矽控整流型靜電保護元件之基底電流，更因為各矽控整流型靜電保護元件內部之電流值皆為相同，因此能同時導通所有矽控整流型靜電保護元件，進而釋放靜電應力，以避免高壓功率電晶體受到靜電損傷(ESD)。

    简体摘要： 一种具有硅控整流型静电保护组件之高压功率晶体管，由于其内部之硅控整流型静电保护组件之阻抗值彼此相同，因此电流能够完全均匀分布。当超过跳回电压之静电应力侵入时，能提供用来导通硅控整流型静电保护组件之基底电流，更因为各硅控整流型静电保护组件内部之电流值皆为相同，因此能同时导通所有硅控整流型静电保护组件，进而释放静电应力，以避免高压功率晶体管受到静电损伤(ESD)。

    利用場效環提高崩潰電壓之高壓雙載子電晶體
    10.
    发明专利
    利用場效環提高崩潰電壓之高壓雙載子電晶體 有权
    利用场效环提高崩溃电压之高压双载子晶体管

    公开(公告)号：TW444407B

    公开(公告)日：2001-07-01

    申请号：TW088115068

    申请日：1999-09-01

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

    发明人： 黃志豐 ,  蔡俊琳 ,  柳瑞興 ,  劉國洲

    IPC分类号： H01L

    摘要： 本發明提供了一種使用場效環來分散電場以提高元件潰崩電壓之雙載子電晶體。該雙載子電晶體包含了位於半導體底材上之擠壓層，且在擠壓層及半導體底材上形成第二傳導型半導體材料層。再分別形成第一傳導型基極區於第二傳導型半導體材料層內；第二傳導型射極於第一傳導型基極區內；第二傳導型集極於第二傳導型半導體材料層內。另外，形成第一傳導型場效環於第一傳導型基極區與第二傳導型集極間之磊晶層中，且鄰接於該基極區，以使位於第一傳導型基極區與第二傳導型集極間之電場均勻的分散。

    简体摘要： 本发明提供了一种使用场效环来分散电场以提高组件溃崩电压之双载子晶体管。该双载子晶体管包含了位于半导体底材上之挤压层，且在挤压层及半导体底材上形成第二传导型半导体材料层。再分别形成第一传导型基极区于第二传导型半导体材料层内；第二传导型射极于第一传导型基极区内；第二传导型集极于第二传导型半导体材料层内。另外，形成第一传导型场效环于第一传导型基极区与第二传导型集极间之磊晶层中，且邻接于该基极区，以使位于第一传导型基极区与第二传导型集极间之电场均匀的分散。