公开(公告)号：TWI539566B

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：TW103117461

申请日：2014-05-19

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  莊旻錦 ,  CHUANG, MIN CHIN ,  劉科震 ,  LIU, KO CHENG ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0298 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0195 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI514529B

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：TW102123429

申请日：2013-07-01

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  莊旻錦 ,  CHUANG, MIN CHIN ,  劉科宏 ,  LIU, KENG HUNG ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/544 ,  H01L24/06 ,  H01L24/17 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201533879A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103105445

申请日：2014-02-19

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  莊旻錦 ,  CHUANG, MIN CHIN ,  劉科震 ,  LIU, KO CHENG ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H05K3/4644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/02 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/181 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/09736 ,  H05K2201/20 ,  H05K2203/0353 ,  H05K2203/0369 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種封裝基板及封裝結構，該封裝基板係包括複數介電層及複數與各該介電層交互堆疊之線路層，其中，至少二該線路層具有厚度差。本發明能有效避免基板的翹曲現象。

Abstract in simplified Chinese: 一种封装基板及封装结构，该封装基板系包括复数介电层及复数与各该介电层交互堆栈之线路层，其中，至少二该线路层具有厚度差。本发明能有效避免基板的翘曲现象。

公开(公告)号：TW201503304A

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：TW102124670

申请日：2013-07-10

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  莊旻錦 ,  CHUANG, MIN CHIN ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一種半導體裝置及其製法，該半導體裝置包括：基板，係具有基板本體與形成於該基板本體上之至少一金屬墊，該金屬墊具有第一表面與形成於該第一表面之至少一開孔；半導體元件，係具有至少一銲墊；導電元件，係形成於該金屬墊與該銲墊之間及該金屬墊之開孔內；以及膠體，係形成於該基板與該半導體元件之間，以包覆該導電元件。藉此，本發明能強化該導電元件與該金屬墊間之接合力，以提升該半導體裝置之良率。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备及其制法，该半导体设备包括：基板，系具有基板本体与形成于该基板本体上之至少一金属垫，该金属垫具有第一表面与形成于该第一表面之至少一开孔；半导体组件，系具有至少一焊垫；导电组件，系形成于该金属垫与该焊垫之间及该金属垫之开孔内；以及胶体，系形成于该基板与该半导体组件之间，以包覆该导电组件。借此，本发明能强化该导电组件与该金属垫间之接合力，以提升该半导体设备之良率。

公开(公告)号：TWI595608B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW102147717

申请日：2013-12-23

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  莊旻錦 ,  CHUANG, MIN CHIN ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201533873A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103105072

申请日：2014-02-17

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  莊旻錦 ,  CHUANG, MIN CHIN ,  陳柏華 ,  CHEN, PO HUA ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K3/4661 ,  C25D5/02 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/111 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/099 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 一種覆晶式封裝基板、覆晶式封裝件及其製法，該覆晶式封裝基板係包括基板本體、複數電性連接墊、絕緣保護層與金屬層，該電性連接墊係形成於該基板本體之一表面上，該絕緣保護層係形成於該基板本體之該表面上與該電性連接墊上，且具有複數對應外露部分各該電性連接墊的開孔，該金屬層係形成於該開孔中的電性連接墊上，該金屬層的頂面的最低點係低於該絕緣保護層的頂面，且該金屬層之厚度與該絕緣保護層之厚度的比值係大於或等於1/4並小於1。本發明能解決習知之銲料橋接與短路之問題。

Abstract in simplified Chinese: 一种覆晶式封装基板、覆晶式封装件及其制法，该覆晶式封装基板系包括基板本体、复数电性连接垫、绝缘保护层与金属层，该电性连接垫系形成于该基板本体之一表面上，该绝缘保护层系形成于该基板本体之该表面上与该电性连接垫上，且具有复数对应外露部分各该电性连接垫的开孔，该金属层系形成于该开孔中的电性连接垫上，该金属层的顶面的最低点系低于该绝缘保护层的顶面，且该金属层之厚度与该绝缘保护层之厚度的比值系大于或等于1/4并小于1。本发明能解决习知之焊料桥接与短路之问题。

公开(公告)号：TW201526169A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW102147717

申请日：2013-12-23

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  莊旻錦 ,  CHUANG, MIN CHIN ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一種半導體封裝件之製法，係先提供一具有相疊之第一與第二半導體元件的半導體結構，再置放該第一半導體元件於一具有凹部之承載件上，且該第二半導體元件懸空位於該凹部中，之後形成絕緣材於該凹部中以包覆該第二半導體元件，且藉由該第二半導體元件之懸空設計，該絕緣材能通過該第二半導體元件之底側而不受其阻擋，故能避免該絕緣材發生空洞之問題。本發明復提供該半導體封裝件。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件之制法，系先提供一具有相叠之第一与第二半导体组件的半导体结构，再置放该第一半导体组件于一具有凹部之承载件上，且该第二半导体组件悬空位于该凹部中，之后形成绝缘材于该凹部中以包覆该第二半导体组件，且借由该第二半导体组件之悬空设计，该绝缘材能通过该第二半导体组件之底侧而不受其阻挡，故能避免该绝缘材发生空洞之问题。本发明复提供该半导体封装件。

公开(公告)号：TWI666746B

公开(公告)日：2019-07-21

申请号：TW103105072

申请日：2014-02-17

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  莊旻錦 ,  CHUANG, MIN CHIN ,  陳柏華 ,  CHEN, PO HUA ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

公开(公告)号：TWI508247B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW102124670

申请日：2013-07-10

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  莊旻錦 ,  CHUANG, MIN CHIN ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201511200A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW102132162

申请日：2013-09-06

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 林長甫 ,  LIN, CHANG FU ,  姚進財 ,  YAO, CHIN TSAI ,  張宏銘 ,  CHANG, HUNG MING ,  莊旻錦 ,  CHUANG, MIN CHIN ,  黃富堂 ,  HUANG, FU TANG

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014

Abstract: 一種半導體裝置及其製法與半導體結構，該半導體裝置包括：具有相鄰之二連接墊之基板；半導體元件，係具有對應於各該連接墊之銲墊與形成於該些銲墊上之凸塊底下金屬層；具有依序形成於該凸塊底下金屬層上之第一導電部與第二導電部之導電元件，其中，該第二導電部之寬度係小於該第一導電部之寬度；以及形成於該第二導電部與該連接墊之間的銲球，俾連接該導電元件與該基板。藉此，本發明能避免相鄰之導電元件間產生銲料橋接之情形，並降低該導電元件與該凸塊底下金屬層間之應力。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备及其制法与半导体结构，该半导体设备包括：具有相邻之二连接垫之基板；半导体组件，系具有对应于各该连接垫之焊垫与形成于该些焊垫上之凸块底下金属层；具有依序形成于该凸块底下金属层上之第一导电部与第二导电部之导电组件，其中，该第二导电部之宽度系小于该第一导电部之宽度；以及形成于该第二导电部与该连接垫之间的焊球，俾连接该导电组件与该基板。借此，本发明能避免相邻之导电组件间产生焊料桥接之情形，并降低该导电组件与该凸块底下金属层间之应力。