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公开(公告)号:TWI576033B
公开(公告)日:2017-03-21
申请号:TW105114094
申请日:2016-05-06
Applicant: 旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
Inventor: 王金勝 , WANG, CHIN-SHENG , 陳慶盛 , CHEN, CHING-SHENG , 陳進達 , CHEN, CHING-TA , 張美勤 , CHANG, MEI-CHIN
CPC classification number: H05K1/0242 , H05K1/115 , H05K3/244 , H05K3/429 , H05K3/4661 , H05K2201/0338 , H05K2203/0369
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公开(公告)号:TWI566359B
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:TW104119962
申请日:2015-06-22
Applicant: 艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
Inventor: 培中希 , PAEK, JONG SIK , 朴杜玄 , PARK, DOO HYUN , 李旺求 , LEE, WANG GU , 宋洋 , SONG, YONG , 姜成根 , KANG, SUNG GEUN
IPC: H01L23/495 , H01L23/00 , H01L21/56 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L23/49582 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L2224/0401 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/13082 , H01L2224/1329 , H01L2224/13293 , H01L2224/133 , H01L2224/1354 , H01L2224/16245 , H01L2224/241 , H01L2224/24246 , H01L2224/244 , H01L2224/24997 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/8184 , H01L2224/81855 , H01L2224/819 , H01L2224/8192 , H01L2224/821 , H01L2224/82355 , H01L2924/00014 , H05K3/4661 , H01L2924/00012 , H01L2224/291 , H01L2924/014
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公开(公告)号:TWI520664B
公开(公告)日:2016-02-01
申请号:TW102139684
申请日:2013-11-01
Applicant: 日本特殊陶業股份有限公司 , NGK SPARK PLUG CO., LTD.
Inventor: 林貴廣 , HAYASHI, TAKAHIRO , 永井誠 , NAGAI, MAKOTO , 伊藤達也 , ITO, TATSUYA , 森聖二 , MORI, SEIJI , 若園誠 , WAKAZONO, MAKOTO , 西田智弘 , NISHIDA, TOMOHIRO
CPC classification number: H05K3/4007 , H01L21/4846 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/81 , H01L2224/10175 , H01L2224/1134 , H01L2224/1146 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/8114 , H01L2224/81411 , H01L2224/81444 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81815 , H01L2924/12042 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K1/0298 , H05K1/0366 , H05K3/28 , H05K3/3452 , H05K3/4661 , H05K3/4688 , H05K2201/09845 , H05K2201/09881 , H05K2201/10674 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TWI505759B
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:TW102119221
申请日:2013-05-30
Applicant: 三星電機股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
Inventor: 金昊振 , KIM, HO JIN
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K3/4661 , H05K3/4647 , H05K2201/09563 , H05K2201/096
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公开(公告)号:TW201533873A
公开(公告)日:2015-09-01
申请号:TW103105072
申请日:2014-02-17
Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
Inventor: 林長甫 , LIN, CHANG FU , 姚進財 , YAO, CHIN TSAI , 莊旻錦 , CHUANG, MIN CHIN , 陳柏華 , CHEN, PO HUA , 黃富堂 , HUANG, FU TANG
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H05K3/4661 , C25D5/02 , C25D5/48 , C25D7/00 , H01L21/4853 , H01L23/49894 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/131 , H01L2224/16237 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/81444 , H01L2224/81815 , H01L2924/3841 , H05K1/111 , H05K3/244 , H05K3/3436 , H05K2201/09745 , H05K2201/099 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 一種覆晶式封裝基板、覆晶式封裝件及其製法,該覆晶式封裝基板係包括基板本體、複數電性連接墊、絕緣保護層與金屬層,該電性連接墊係形成於該基板本體之一表面上,該絕緣保護層係形成於該基板本體之該表面上與該電性連接墊上,且具有複數對應外露部分各該電性連接墊的開孔,該金屬層係形成於該開孔中的電性連接墊上,該金屬層的頂面的最低點係低於該絕緣保護層的頂面,且該金屬層之厚度與該絕緣保護層之厚度的比值係大於或等於1/4並小於1。本發明能解決習知之銲料橋接與短路之問題。
Abstract in simplified Chinese: 一种覆晶式封装基板、覆晶式封装件及其制法,该覆晶式封装基板系包括基板本体、复数电性连接垫、绝缘保护层与金属层,该电性连接垫系形成于该基板本体之一表面上,该绝缘保护层系形成于该基板本体之该表面上与该电性连接垫上,且具有复数对应外露部分各该电性连接垫的开孔,该金属层系形成于该开孔中的电性连接垫上,该金属层的顶面的最低点系低于该绝缘保护层的顶面,且该金属层之厚度与该绝缘保护层之厚度的比值系大于或等于1/4并小于1。本发明能解决习知之焊料桥接与短路之问题。
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公开(公告)号:TW201517335A
公开(公告)日:2015-05-01
申请号:TW103136770
申请日:2014-10-24
Applicant: 羅傑斯公司 , ROGERS CORPORATION
Inventor: 奇歐漢尼 布萊特W , KILHENNY, BRETT W.
IPC: H01L33/64
CPC classification number: H05K1/0206 , H01L21/486 , H01L21/4871 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2924/13055 , H05K1/0271 , H05K1/053 , H05K1/18 , H05K3/064 , H05K3/30 , H05K3/382 , H05K3/445 , H05K3/4623 , H05K3/4661 , H05K2201/068 , H05K2201/10106 , H05K2203/0502 , H05K2203/0723 , Y10T29/49169 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一種熱處理電路材料包含:一導熱性金屬芯體基板;複數個金屬氧化物介電層,位於該金屬芯體基板之二個側上;複數個導電性金屬層,位於該等金屬氧化物介電層上;以及至少一個貫穿孔通路,填充有一導電性含金屬之芯體元件,該導電性含金屬之芯體元件連接各該導電性金屬層之至少一部分,其中該貫穿孔通路之圍阻壁係被一金屬氧化物介電層覆蓋,該金屬氧化物介電層連接位於金屬芯體基板之相對側上之該等金屬氧化物介電層之至少一部分。本發明亦揭露製作此等電路材料之方法,該等方法包含藉由氧化轉變該金屬芯體基板之一表面部分而形成複數個金屬氧化物介電層。本發明亦揭露安裝於該電路材料中之具有一發熱電子裝置(例如一高亮度發光二極體(HBLED))之製品。
Abstract in simplified Chinese: 一种热处理电路材料包含:一导热性金属芯体基板;复数个金属氧化物介电层,位于该金属芯体基板之二个侧上;复数个导电性金属层,位于该等金属氧化物介电层上;以及至少一个贯穿孔通路,填充有一导电性含金属之芯体组件,该导电性含金属之芯体组件连接各该导电性金属层之至少一部分,其中该贯穿孔通路之围阻壁系被一金属氧化物介电层覆盖,该金属氧化物介电层连接位于金属芯体基板之相对侧上之该等金属氧化物介电层之至少一部分。本发明亦揭露制作此等电路材料之方法,该等方法包含借由氧化转变该金属芯体基板之一表面部分而形成复数个金属氧化物介电层。本发明亦揭露安装于该电路材料中之具有一发热电子设备(例如一高亮度发光二极管(HBLED))之制品。
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7.配線方法、表面設有配線之構造物、半導體裝置、配線基板、記憶卡、電氣元件、模組及多層電路基板 有权
Simplified title: 配线方法、表面设有配线之构造物、半导体设备、配线基板、记忆卡、电气组件、模块及多层电路基板公开(公告)号:TWI445477B
公开(公告)日:2014-07-11
申请号:TW100116399
申请日:2011-05-10
Applicant: 松下電器產業股份有限公司 , PANASONIC CORPORATION
Inventor: 吉岡慎悟 , YOSHIOKA, SHINGO , 藤原弘明 , FUJIWARA, HIROAKI , 高下博光 , TAKASHITA, HIROMITSU , 武田剛 , TAKEDA, TSUYOSHI , 今野優子 , KONNO, YUKO
CPC classification number: H05K3/184 , C23C18/1608 , C23C18/1653 , C23C18/1893 , C25D7/0607 , H01L21/4832 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2221/68377 , H01L2224/24051 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/24146 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/32145 , H01L2224/82001 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06551 , H01L2225/06568 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H05K1/185 , H05K3/10 , H05K3/284 , H05K3/4644 , H05K2201/10636 , H05K2201/10674 , H05K2203/0264 , H05K2203/072 , H05K2203/0723 , H05K2203/0769 , H05K2203/1407 , H05K2203/1469 , Y02P70/611 , H05K3/4661 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201405775A
公开(公告)日:2014-02-01
申请号:TW102127224
申请日:2013-07-30
Inventor: 張貴松 , CHANG, KUEI SUNG , 鄭鈞文 , CHENG, CHUN WEN , 卡尼斯基 艾利克斯 , KALNITSKY, ALEX , 朱家驊 , CHU, CHIA HUA
IPC: H01L27/092 , H01L23/52
CPC classification number: H01L24/09 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/64 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/08145 , H01L2224/13022 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24105 , H01L2224/24145 , H01L2224/80896 , H01L2224/81 , H01L2224/821 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1205 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H05K3/4661 , H01L2224/05552 , H01L2224/8203 , H01L2224/80001
Abstract: 本發明揭露一種堆疊半導體裝置的實施例。堆疊半導體裝置包括一第一基板。一第一接合墊位於第一基板上。一第二基板包括一第二電子裝置形成於其上。一第二接合墊位於第二基板上的第二電子裝置上,第二接合墊電性連接第二電子裝置。一第二絕緣層位於具有一頂部表面的第二接合墊上,且第二絕緣層接合至第一基板的第一接合墊。一基板通孔電極(through-substrate-via,TSV)從相對於第一接合墊的一表面穿透第一基板及第二接合墊的頂部表面至第二接合墊。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种堆栈半导体设备的实施例。堆栈半导体设备包括一第一基板。一第一接合垫位于第一基板上。一第二基板包括一第二电子设备形成于其上。一第二接合垫位于第二基板上的第二电子设备上,第二接合垫电性连接第二电子设备。一第二绝缘层位于具有一顶部表面的第二接合垫上,且第二绝缘层接合至第一基板的第一接合垫。一基板通孔电极(through-substrate-via,TSV)从相对于第一接合垫的一表面穿透第一基板及第二接合垫的顶部表面至第二接合垫。
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公开(公告)号:TW201316851A
公开(公告)日:2013-04-16
申请号:TW101126537
申请日:2012-07-24
Applicant: 日本特殊陶業股份有限公司 , NGK SPARK PLUG CO., LTD.
Inventor: 伊藤達也 , ITO, TATSUYA , 森聖二 , MORI, SEIJI , 林貴廣 , HAYASHI, TAKAHIRO , 若園誠 , WAKAZONO, MAKOTO , 西田智弘 , NISHIDA, TOMOHIRO
IPC: H05K1/05
CPC classification number: H05K1/0213 , H01L23/145 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H05K1/111 , H05K3/3436 , H05K3/3452 , H05K3/4007 , H05K3/4661 , H05K2201/0195 , H05K2201/09881 , H05K2201/099 , H05K2201/09918 , Y02P70/611 , H01L2924/00
Abstract: 本發明之配線基板係具有絕緣層及導體層各積層一層以上之積層體的配線基板,,具有:複數個連接端子,互相分離而形成於積層體上,在與和積層體之抵接面對向之第一主面外周形成階差;以及填充構件,填充於複數個連接端子間。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之配线基板系具有绝缘层及导体层各积层一层以上之积层体的配线基板,,具有:复数个连接端子,互相分离而形成于积层体上,在与和积层体之抵接面对向之第一主面外周形成阶差;以及填充构件,填充于复数个连接端子间。
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公开(公告)号:TWI391539B
公开(公告)日:2013-04-01
申请号:TW094132647
申请日:2005-09-21
Applicant: 揖斐電股份有限公司 , IBIDEN COMPANY LIMITED
Inventor: 中井通 , TOORU NAKAI , 川合悟 , 丹羽洋 , 岩田義幸 , IWATA, YOSHIYUKI
CPC classification number: C25D5/02 , H05K3/108 , H05K3/421 , H05K3/423 , H05K3/429 , H05K3/4661 , H05K2201/0116 , H05K2201/09563 , H05K2203/025 , H05K2203/0257 , Y10T29/49124 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , Y10T428/249955 , Y10T428/249958
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