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    Metallization of solar cells with differentiated P-type and N-type region architectures
    2.
    发明授权
    Metallization of solar cells with differentiated P-type and N-type region architectures 有权
    具有差异化P型和N型区域结构的太阳能电池的金属化

    公开(公告)号：US09502601B1

    公开(公告)日：2016-11-22

    申请号：US15089382

    申请日：2016-04-01

    申请人： David D. Smith ,  Timothy Weidman ,  Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu

    发明人： David D. Smith ,  Timothy Weidman ,  Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236

    CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0745 ,  Y02E10/50

    摘要： Methods of fabricating solar cell emitter regions with differentiated P-type and N-type regions architectures, and resulting solar cells, are described. In an example, a back contact solar cell can include a substrate having a light-receiving surface and a back surface. A first polycrystalline silicon emitter region of a first conductivity type is disposed on a first thin dielectric layer disposed on the back surface of the substrate. A second polycrystalline silicon emitter region of a second, different, conductivity type is disposed on a second thin dielectric layer disposed on the back surface of the substrate. A third thin dielectric layer is disposed over an exposed outer portion of the first polycrystalline silicon emitter region and is disposed laterally directly between the first and second polycrystalline silicon emitter regions. A first conductive contact structure is disposed on the first polycrystalline silicon emitter region. A second conductive contact structure is disposed on the second polycrystalline silicon emitter region. Metallization methods, include etching techniques for forming a first and second conductive contact structure are also described.

    摘要翻译： 描述了具有差异化的P型和N型区域结构的太阳能电池发射极区域的制造方法和所得的太阳能电池。 在一个示例中，背接触太阳能电池可以包括具有光接收表面和背面的基板。 第一导电类型的第一多晶硅发射极区域设置在设置在基板的背面上的第一薄介电层上。 具有第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区域设置在设置在基板的背面上的第二薄介电层上。 第三薄介电层设置在第一多晶硅发射极区域的暴露的外部部分上，并且横向地设置在第一和第二多晶硅发射极区域之间。 第一导电接触结构设置在第一多晶硅发射极区域上。 第二导电接触结构设置在第二多晶硅发射极区域上。 还描述了金属化方法，包括用于形成第一和第二导电接触结构的蚀刻技术。

    SOLAR CELL EMITTER REGION FABRICATION USING ION IMPLANTATION
    8.
    发明申请
    SOLAR CELL EMITTER REGION FABRICATION USING ION IMPLANTATION 有权
    太阳能电池发射区使用离子植入制造

    公开(公告)号：US20150162483A1

    公开(公告)日：2015-06-11

    申请号：US14562159

    申请日：2014-12-05

    申请人： Timothy Weidman ,  David D. Smith

    发明人： Timothy Weidman ,  David D. Smith

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0368

    CPC分类号： H01L31/182 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Methods of fabricating solar cell emitter regions using ion implantation, and resulting solar cells, are described. In an example, a method of fabricating alternating N-type and P-type emitter regions of a solar cell involves forming a silicon layer above a substrate. Dopant impurity atoms of a first conductivity type are implanted, through a first shadow mask, in the silicon layer to form first implanted regions and resulting in non-implanted regions of the silicon layer. Dopant impurity atoms of a second, opposite, conductivity type are implanted, through a second shadow mask, in portions of the non-implanted regions of the silicon layer to form second implanted regions and resulting in remaining non-implanted regions of the silicon layer. The remaining non-implanted regions of the silicon layer are removed with a selective etch process, while the first and second implanted regions of the silicon layer are annealed to form doped polycrystalline silicon emitter regions.

    摘要翻译： 描述了使用离子注入制造太阳能电池发射极区域的方法，以及所得到的太阳能电池。 在一个示例中，制造太阳能电池的交替的N型和P型发射极区域的方法涉及在衬底上形成硅层。 第一导电类型的掺杂杂质原子通过第一阴影掩模在硅层中注入以形成第一注入区，并产生硅层的非注入区。 通过第二阴影掩模，在硅层的非注入区域的一部分中注入第二相对导电类型的掺杂杂质原子，以形成第二注入区，并产生硅层的剩余未注入区。 通过选择性蚀刻工艺去除硅层的其余非注入区域，同时对硅层的第一和第二注入区域进行退火以形成掺杂的多晶硅发射极区域。

    Solar cell emitter region fabrication using ion implantation
    10.
    发明授权
    Solar cell emitter region fabrication using ion implantation 有权
    使用离子注入的太阳能电池发射极区域制造

    公开(公告)号：US09263625B2

    公开(公告)日：2016-02-16

    申请号：US14320438

    申请日：2014-06-30

    申请人： David D. Smith ,  Timothy Weidman ,  Staffan Westerberg

    发明人： David D. Smith ,  Timothy Weidman ,  Staffan Westerberg

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Methods of fabricating solar cell emitter regions using ion implantation, and resulting solar cells, are described. In an example, a back contact solar cell includes a crystalline silicon substrate having a light-receiving surface and a back surface. A first polycrystalline silicon emitter region is disposed above the crystalline silicon substrate. The first polycrystalline silicon emitter region is doped with dopant impurity species of a first conductivity type and further includes ancillary impurity species different from the dopant impurity species of the first conductivity type. A second polycrystalline silicon emitter region is disposed above the crystalline silicon substrate and is adjacent to but separated from the first polycrystalline silicon emitter region. The second polycrystalline silicon emitter region is doped with dopant impurity species of a second, opposite, conductivity type. First and second conductive contact structures are electrically connected to the first and second polycrystalline silicon emitter regions, respectively.

    摘要翻译： 描述了使用离子注入制造太阳能电池发射极区域的方法，以及所得到的太阳能电池。 在一个示例中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的晶体硅衬底。 第一多晶硅发射极区域设置在晶体硅衬底之上。 第一多晶硅发射极区掺杂有第一导电类型的掺杂剂杂质种类，并且还包括与第一导电类型的掺杂杂质种类不同的辅助杂质种类。 第二多晶硅发射极区域设置在晶体硅衬底之上并且与第一多晶硅发射极区域相邻但分离。 第二多晶硅发射极区掺杂有第二相反导电类型的掺杂杂质物质。 第一和第二导电接触结构分别电连接到第一和第二多晶硅发射极区域。