利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

27 条记录 (耗时 0.027 秒)

    Metallization of solar cells with differentiated P-type and N-type region architectures
    2.
    发明授权
    Metallization of solar cells with differentiated P-type and N-type region architectures 有权
    具有差异化P型和N型区域结构的太阳能电池的金属化

    公开(公告)号：US09502601B1

    公开(公告)日：2016-11-22

    申请号：US15089382

    申请日：2016-04-01

    申请人： David D. Smith ,  Timothy Weidman ,  Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu

    发明人： David D. Smith ,  Timothy Weidman ,  Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236

    CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0745 ,  Y02E10/50

    摘要： Methods of fabricating solar cell emitter regions with differentiated P-type and N-type regions architectures, and resulting solar cells, are described. In an example, a back contact solar cell can include a substrate having a light-receiving surface and a back surface. A first polycrystalline silicon emitter region of a first conductivity type is disposed on a first thin dielectric layer disposed on the back surface of the substrate. A second polycrystalline silicon emitter region of a second, different, conductivity type is disposed on a second thin dielectric layer disposed on the back surface of the substrate. A third thin dielectric layer is disposed over an exposed outer portion of the first polycrystalline silicon emitter region and is disposed laterally directly between the first and second polycrystalline silicon emitter regions. A first conductive contact structure is disposed on the first polycrystalline silicon emitter region. A second conductive contact structure is disposed on the second polycrystalline silicon emitter region. Metallization methods, include etching techniques for forming a first and second conductive contact structure are also described.

    摘要翻译： 描述了具有差异化的P型和N型区域结构的太阳能电池发射极区域的制造方法和所得的太阳能电池。 在一个示例中，背接触太阳能电池可以包括具有光接收表面和背面的基板。 第一导电类型的第一多晶硅发射极区域设置在设置在基板的背面上的第一薄介电层上。 具有第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区域设置在设置在基板的背面上的第二薄介电层上。 第三薄介电层设置在第一多晶硅发射极区域的暴露的外部部分上，并且横向地设置在第一和第二多晶硅发射极区域之间。 第一导电接触结构设置在第一多晶硅发射极区域上。 第二导电接触结构设置在第二多晶硅发射极区域上。 还描述了金属化方法，包括用于形成第一和第二导电接触结构的蚀刻技术。

    ETCHING PROCESSES FOR SOLAR CELL FABRICATION
    3.
    发明申请
    ETCHING PROCESSES FOR SOLAR CELL FABRICATION 审中-公开
    太阳能电池制造的蚀刻工艺

    公开(公告)号：US20160111583A1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：US14975175

    申请日：2015-12-18

    申请人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

    发明人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： A method of fabricating a solar cell can include forming a first dopant region over a silicon substrate and an oxide region over the first dopant region. In an embodiment, the oxide region can protect the first dopant region from a first etching process. In an embodiment, a second dopant region can be formed over the silicon substrate, where a mask can be formed to protect a first portion of the second dopant region from the first etching process. In an embodiment, the first etching process can be performed to expose portions of the silicon substrate and/or a silicon region. A second etching process can be performed to form a trench region to separate a first and second doped region of the solar cell. A third etching process can be performed to remove contaminants from the solar cell and remove any remaining portions of the oxide region.

    摘要翻译： 制造太阳能电池的方法可以包括在硅衬底上形成第一掺杂剂区域和在第一掺杂剂区域上形成氧化物区域。 在一个实施例中，氧化物区域可以保护第一掺杂剂区域免受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以在硅衬底上形成第二掺杂剂区域，其中可以形成掩模以保护第一掺杂剂区域的第一部分不受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以执行第一蚀刻工艺以暴露硅衬底和/或硅区域的部分。 可以执行第二蚀刻工艺以形成分离太阳能电池的第一和第二掺杂区域的沟槽区域。 可以进行第三蚀刻工艺以从太阳能电池去除污染物并去除氧化物区域的任何剩余部分。

    Etching processes for solar cell fabrication
    5.
    发明授权
    Etching processes for solar cell fabrication 有权
    太阳能电池制造的蚀刻工艺

    公开(公告)号：US09419166B2

    公开(公告)日：2016-08-16

    申请号：US14975175

    申请日：2015-12-18

    申请人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

    发明人： Scott Harrington ,  Venkatasubramani Balu ,  Westerberg Staffan ,  Peter John Cousins

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： A method of fabricating a solar cell can include forming a first dopant region over a silicon substrate and an oxide region over the first dopant region. In an embodiment, the oxide region can protect the first dopant region from a first etching process. In an embodiment, a second dopant region can be formed over the silicon substrate, where a mask can be formed to protect a first portion of the second dopant region from the first etching process. In an embodiment, the first etching process can be performed to expose portions of the silicon substrate and/or a silicon region. A second etching process can be performed to form a trench region to separate a first and second doped region of the solar cell. A third etching process can be performed to remove contaminants from the solar cell and remove any remaining portions of the oxide region.

    摘要翻译： 制造太阳能电池的方法可以包括在硅衬底上形成第一掺杂剂区域和在第一掺杂剂区域上形成氧化物区域。 在一个实施例中，氧化物区域可以保护第一掺杂剂区域免受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以在硅衬底上形成第二掺杂剂区域，其中可以形成掩模以保护第一掺杂剂区域的第一部分不受第一蚀刻工艺的影响。 在一个实施例中，可以执行第一蚀刻工艺以暴露硅衬底和/或硅区域的部分。 可以执行第二蚀刻工艺以形成分离太阳能电池的第一和第二掺杂区域的沟槽区域。 可以进行第三蚀刻工艺以从太阳能电池去除污染物并去除氧化物区域的任何剩余部分。

    METALLIZATION OF SOLAR CELLS
    8.
    发明申请
    METALLIZATION OF SOLAR CELLS 有权
    太阳能电池的金属化

    公开(公告)号：US20150280029A1

    公开(公告)日：2015-10-01

    申请号：US14229759

    申请日：2014-03-28

    申请人： Gabriel Harley ,  Scott Harrington ,  David D. Smith

    发明人： Gabriel Harley ,  Scott Harrington ,  David D. Smith

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687

    CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

    摘要： Approaches for the metallization of solar cells and the resulting solar cells are described. In an example, a method of fabricating a solar cell involves forming a plurality of alternating N-type and P-type regions in or above a substrate. The method also involves forming a metal seed layer on the plurality of alternating N-type and P-type regions. The method also involves patterning at least a portion of the metal seed layer at regions in alignment with locations between the alternating N-type and P-type regions. The method also involves, subsequent to the patterning, etching to form trenches at the locations between the alternating N-type and P-type regions, isolating the alternating N-type and P-type regions from one another.

    摘要翻译： 描述了用于太阳能电池的金属化和所得到的太阳能电池的方法。 在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括在衬底中或上方形成多个交替的N型和P型区域。 该方法还涉及在多个交替的N型和P型区域上形成金属种子层。 该方法还包括在与交替的N型和P型区域之间的位置对准的区域处图案化金属种子层的至少一部分。 该方法还包括在图案化之后，在交替的N型和P型区域之间的位置处进行蚀刻以形成沟槽，将交替的N型和P型区彼此隔离。

    Toroid-shaped spinal disc
    10.
    发明授权
    Toroid-shaped spinal disc 有权
    环状脊椎盘

    公开(公告)号：US09173748B2

    公开(公告)日：2015-11-03

    申请号：US12839491

    申请日：2010-07-20

    申请人： Stephen D. Cook ,  Scott Harrington

    发明人： Stephen D. Cook ,  Scott Harrington

    IPC分类号： A61F2/44 ,  A61F2/30

    CPC分类号： A61F2/4425 ,  A61F2002/30016 ,  A61F2002/30563 ,  A61F2002/3065 ,  A61F2002/30654 ,  A61F2002/30772 ,  A61F2002/30841 ,  A61F2002/30904 ,  A61F2250/0019 ,  A61F2310/00017 ,  A61F2310/00023 ,  A61F2310/00029 ,  A61F2310/00173 ,  A61F2310/0097 ,  A61F2310/00976

    摘要： An intervertebral implant for insertion between adjacent vertebral bodies is provided. The intervertebral implant can include a first component. The first component can have a first articulating surface, which can be generally convex. The intervertebral implant can include a second component, which can be generally in the shape of a toroid. The second component can have a second articulating surface. The second articulating surface can be generally concave and articulable with the first articulating surface for retaining motion between the first and second vertebra. The second articulating surface can have a larger radius of curvature than the first articulating surface such that a portion of the first articulating surface extends into an aperture defined by the generally toroid shape.

    摘要翻译： 提供了用于在相邻椎体之间插入的椎间植入物。 椎间植入物可以包括第一组分。 第一部件可以具有第一关节表面，其可以是大致凸的。 椎间植入物可以包括第二部件，其通常可以是环形的形状。 第二部件可以具有第二铰接表面。 第二关节表面可以大体上是凹形的并与第一关节表面铰接以保持第一和第二椎骨之间的运动。 第二铰接表面可以具有比第一铰接表面更大的曲率半径，使得第一铰接表面的一部分延伸到由大致环形形状限定的孔中。