公开(公告)号：US20090050210A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12258818

申请日：2008-10-27

申请人： Han-Mei Choi ,  Thomas Jongwon Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Thomas Jongwon Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： G05D7/06 ,  B01F3/04 ,  G05D11/00

CPC分类号： C23C16/448 ,  B01B1/005 ,  B01J4/02 ,  B01J2219/0011 ,  B01J2219/00164 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T436/2575

摘要： Liquid chemical delivery systems are provided which include a liquid chemical storage canister, a pressurized gas source that feeds a pressurized gas into the storage canister, a vaporizer that may be used to vaporize the liquid chemical supplied from the storage canister, a delivery line that connects the storage canister to the vaporizer, a liquid mass flow controller that controls the flow rate of the liquid chemical through the delivery line, a reaction chamber that is connected to the vaporizer, and a liquid chemical recycling element that collects at least some of the chemical flowing through the system during periods when the liquid chemical delivery system is isolated from the reaction chamber.

摘要翻译： 提供了液体化学输送系统，其包括液体化学品储存罐，将加压气体进料到储存罐中的加压气体源，可用于蒸发从储存罐供应的液体化学品的蒸发器，连接 储存罐到蒸发器，液体质量流量控制器，其通过输送管线控制液体化学品的流速;连接到蒸发器的反应室;以及液体化学品循环元件，其收集至少一些化学物质 在液体化学品输送系统与反应室隔离的期间流经系统。

公开(公告)号：US20050031495A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10844136

申请日：2004-05-12

申请人： Han-Mei Choi ,  Thomas Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Thomas Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/30 ,  B01B1/00 ,  B01J4/02 ,  B01L3/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/448 ,  B01B1/005 ,  B01J4/02 ,  B01J2219/0011 ,  B01J2219/00164 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T436/2575

摘要： Liquid chemical delivery systems are provided which include a liquid chemical storage canister, a pressurized gas source that feeds a pressurized gas into the storage canister, a vaporizer that may be used to vaporize the liquid chemical supplied from the storage canister, a delivery line that connects the storage canister to the vaporizer, a liquid mass flow controller that controls the flow rate of the liquid chemical through the delivery line, a reaction chamber that is connected to the vaporizer, and a liquid chemical recycling element that collects at least some of the chemical flowing through the system during periods when the liquid chemical delivery system is isolated from the reaction chamber.

摘要翻译： 提供了液体化学输送系统，其包括液体化学品储存罐，将加压气体进料到储存罐中的加压气体源，可用于蒸发从储存罐供应的液体化学品的蒸发器，连接 储存罐到蒸发器，液体质量流量控制器，其通过输送管线控制液体化学品的流速;连接到蒸发器的反应室;以及液体化学品循环元件，其收集至少一些化学物质 在液体化学品输送系统与反应室隔离的期间流经系统。

公开(公告)号：US07135422B2

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：US10884507

申请日：2004-07-02

申请人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： Multi-layered structures formed using atomic-layer deposition processes include multiple metal oxide layers wherein the metal oxide layers are formed without the presence of interlayer oxide layers and may include different metal oxide compositions.

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成的多层结构包括多个金属氧化物层，其中形成金属氧化物层而不存在层间氧化物层，并且可以包括不同的金属氧化物组合物。

公开(公告)号：US06992346B2

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US10807000

申请日：2004-03-23

申请人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Jongwan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

发明人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Jongwan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

IPC分类号： H01L29/096

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/91

摘要： A conductive contact plug extends through an opening in the dielectric layer to contact the substrate and includes a widened pad portion extending onto the dielectric layer adjacent the opening. An ohmic pattern is disposed on the pad portion of the plug, and a barrier pattern is disposed on the ohmic pattern. A concave first capacitor electrode is disposed on the barrier pattern and defines a cavity opening away from the substrate. A capacitor dielectric layer conforms to a surface of the first capacitor electrode and a second capacitor electrode is disposed on the capacitor dielectric layer opposite the first capacitor electrode. Sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug may be substantially coplanar, and the device may further include an etch stopper layer conforming to at least sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug. Related fabrication methods are described.

摘要翻译： 导电接触插塞延伸穿过电介质层中的开口以接触衬底并且包括延伸到邻近开口的电介质层上的加宽焊盘部分。 欧姆图案设置在插头的焊盘部分上，并且阻挡图案设置在欧姆图案上。 凹陷的第一电容器电极设置在阻挡图案上并且限定了远离基板的空腔。 电容器电介质层符合第一电容器电极的表面，并且第二电容器电极设置在与第一电容器电极相对的电容器电介质层上。 欧姆图案的侧壁，接触塞的阻挡图案和焊盘部分可以是基本上共面的，并且该器件还可以包括符合至少欧姆图案的侧壁，阻挡图案和焊盘部分的蚀刻停止层 接触插头。 描述相关的制造方法。

公开(公告)号：US20050009369A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10884507

申请日：2004-07-02

申请人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L27/108 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： Multi-layered structures formed using atomic-layer deposition processes include multiple metal oxide layers wherein the metal oxide layers are formed without the presence of interlayer oxide layers and may include different metal oxide compositions.

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成的多层结构包括多个金属氧化物层，其中形成金属氧化物层而不存在层间氧化物层，并且可以包括不同的金属氧化物组合物。

公开(公告)号：US20060060907A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11273505

申请日：2005-11-14

申请人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

发明人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/91

摘要： A conductive contact plug extends through an opening in the dielectric layer to contact the substrate and includes a widened pad portion extending onto the dielectric layer adjacent the opening. An ohmic pattern is disposed on the pad portion of the plug, and a barrier pattern is disposed on the ohmic pattern. A concave first capacitor electrode is disposed on the barrier pattern and defines a cavity opening away from the substrate. A capacitor dielectric layer conforms to a surface of the first capacitor electrode and a second capacitor electrode is disposed on the capacitor dielectric layer opposite the first capacitor electrode. Sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug may be substantially coplanar, and the device may further include an etch stopper layer conforming to at least sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug. Related fabrication methods are described.

摘要翻译： 导电接触插塞延伸穿过电介质层中的开口以接触衬底并且包括延伸到邻近开口的电介质层上的加宽焊盘部分。 欧姆图案设置在插头的焊盘部分上，并且阻挡图案设置在欧姆图案上。 凹陷的第一电容器电极设置在阻挡图案上并且限定了远离基板的空腔。 电容器电介质层符合第一电容器电极的表面，并且第二电容器电极设置在与第一电容器电极相对的电容器电介质层上。 欧姆图案的侧壁，接触塞的阻挡图案和焊盘部分可以是基本上共面的，并且该器件还可以包括符合至少欧姆图案的侧壁，阻挡图案和焊盘部分的蚀刻停止层 接触插头。 描述相关的制造方法。

公开(公告)号：US20050208718A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US11065086

申请日：2005-02-24

申请人： Jae-Soon Lim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Young-Geun Park ,  Suk-Jin Chung ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Jae-Soon Lim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Young-Geun Park ,  Suk-Jin Chung ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3141 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

摘要： Methods for forming a capacitor using an atomic layer deposition process include providing a reactant including an aluminum precursor onto a substrate to chemisorb a portion of the reactant to a surface of the substrate. The substrate has an underlying structure including a lower electrode. An ammonia (NH3) plasma is provided onto the substrate to form a dielectric layer including aluminum nitride on the substrate including the lower electrode. An upper electrode is formed on the dielectric layer. A second dielectric layer may be provided oil the first dielectric layer

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成电容器的方法包括在衬底上提供包含铝前体的反应物以将反应物的一部分化学吸附到衬底的表面。 衬底具有包括下电极的底层结构。 在基板上提供氨（NH 3 3）等离子体，以在包括下电极的基板上形成包括氮化铝的电介质层。 在电介质层上形成上电极。 可以为第一介电层提供第二介电层油

公开(公告)号：US07361548B2

公开(公告)日：2008-04-22

申请号：US11065086

申请日：2005-02-24

申请人： Jae-Soon Lim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Young-Geun Park ,  Suk-Jin Chung ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Jae-Soon Lim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Young-Geun Park ,  Suk-Jin Chung ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3141 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

摘要： Methods for forming a capacitor using an atomic layer deposition process include providing a reactant including an aluminum precursor onto a substrate to chemisorb a portion of the reactant to a surface of the substrate. The substrate has an underlying structure including a lower electrode. An ammonia (NH3) plasma is provided onto the substrate to form a dielectric layer including aluminum nitride on the substrate including the lower electrode. An upper electrode is formed on the dielectric layer. A second dielectric layer may be provided oil the first dielectric layer.

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成电容器的方法包括在衬底上提供包含铝前体的反应物以将反应物的一部分化学吸附到衬底的表面。 衬底具有包括下电极的底层结构。 在基板上提供氨（NH 3 3）等离子体，以在包括下电极的基板上形成包括氮化铝的电介质层。 在电介质层上形成上电极。 第二电介质层可以设置在第一电介质层上。

公开(公告)号：US20060141695A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11285555

申请日：2005-11-22

申请人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Dae-Sik Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Han-Mei Choi ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： Methods of forming a zirconium hafnium oxide thin layer on a semiconductor substrate by supplying tetrakis(ethylmethylamino)zirconium ([Zr{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAZ) and tetrakis(ethylmethylamino)hafnium ([Hf{N(C2H5)(CH3)}4], TEMAH) to a substrate are provided. The TEMAZ and the TEMAH may be reacted with an oxidizing agent. The thin layer including zirconium hafnium oxide may be used for a gate insulation layer in a gate structure, a dielectric layer in a capacitor, or a dielectric layer in a flash memory device.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成锆氧化铪薄层的方法是将四（乙基甲基氨基）锆（[Zr（N 2 H 5 H 5） 3（H 2 O）2，H 2 O 3（H 2 O 3）3，TEMAZ）和四（乙基甲基氨基）铪（[Hf（N（C 2 H 5） （CH 3 3）} 4 S，TEMAH）提供给基板。 TEMAZ和TEMAH可与氧化剂反应。 包括氧化铪的薄层可以用于栅极结构中的栅极绝缘层，电容器中的电介质层或闪存器件中的介电层。

公开(公告)号：US20060094191A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US11261737

申请日：2005-10-28

申请人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

发明人： Han-Mei Choi ,  Kyoung-Ryul Yoon ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/11521

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device can include forming a tunnel oxide layer on a substrate, forming a floating gate on the tunnel oxide layer and forming a dielectric layer pattern on the floating gate using an ALD process. The dielectric layer pattern can include a metal precursor that includes zirconium and an oxidant. A control gate can be formed on the dielectric layer pattern. The semiconductor device can include the dielectric layer pattern provided herein.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成隧道氧化物层，在隧道氧化物层上形成浮栅，并使用ALD工艺在浮栅上形成电介质层图案。 介电层图案可以包括包含锆和氧化剂的金属前体。 可以在电介质层图案上形成控制栅极。 半导体器件可以包括本文提供的电介质层图案。