公开(公告)号：US07135422B2

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：US10884507

申请日：2004-07-02

申请人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： Multi-layered structures formed using atomic-layer deposition processes include multiple metal oxide layers wherein the metal oxide layers are formed without the presence of interlayer oxide layers and may include different metal oxide compositions.

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成的多层结构包括多个金属氧化物层，其中形成金属氧化物层而不存在层间氧化物层，并且可以包括不同的金属氧化物组合物。

公开(公告)号：US20050009369A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10884507

申请日：2004-07-02

申请人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Gab-Jin Nam ,  Jong-Wan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim ,  Seung-Hwan Lee ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L27/108 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： Multi-layered structures formed using atomic-layer deposition processes include multiple metal oxide layers wherein the metal oxide layers are formed without the presence of interlayer oxide layers and may include different metal oxide compositions.

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成的多层结构包括多个金属氧化物层，其中形成金属氧化物层而不存在层间氧化物层，并且可以包括不同的金属氧化物组合物。

公开(公告)号：US06992346B2

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US10807000

申请日：2004-03-23

申请人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Jongwan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

发明人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Jongwan Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

IPC分类号： H01L29/096

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/91

摘要： A conductive contact plug extends through an opening in the dielectric layer to contact the substrate and includes a widened pad portion extending onto the dielectric layer adjacent the opening. An ohmic pattern is disposed on the pad portion of the plug, and a barrier pattern is disposed on the ohmic pattern. A concave first capacitor electrode is disposed on the barrier pattern and defines a cavity opening away from the substrate. A capacitor dielectric layer conforms to a surface of the first capacitor electrode and a second capacitor electrode is disposed on the capacitor dielectric layer opposite the first capacitor electrode. Sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug may be substantially coplanar, and the device may further include an etch stopper layer conforming to at least sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug. Related fabrication methods are described.

摘要翻译： 导电接触插塞延伸穿过电介质层中的开口以接触衬底并且包括延伸到邻近开口的电介质层上的加宽焊盘部分。 欧姆图案设置在插头的焊盘部分上，并且阻挡图案设置在欧姆图案上。 凹陷的第一电容器电极设置在阻挡图案上并且限定了远离基板的空腔。 电容器电介质层符合第一电容器电极的表面，并且第二电容器电极设置在与第一电容器电极相对的电容器电介质层上。 欧姆图案的侧壁，接触塞的阻挡图案和焊盘部分可以是基本上共面的，并且该器件还可以包括符合至少欧姆图案的侧壁，阻挡图案和焊盘部分的蚀刻停止层 接触插头。 描述相关的制造方法。

公开(公告)号：US20060060907A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11273505

申请日：2005-11-14

申请人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

发明人： Ki-Chul Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  Sung-Tae Kim ,  Thomas Kwon ,  Han-Mei Choi ,  Jae-Soon Lim

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/91

摘要： A conductive contact plug extends through an opening in the dielectric layer to contact the substrate and includes a widened pad portion extending onto the dielectric layer adjacent the opening. An ohmic pattern is disposed on the pad portion of the plug, and a barrier pattern is disposed on the ohmic pattern. A concave first capacitor electrode is disposed on the barrier pattern and defines a cavity opening away from the substrate. A capacitor dielectric layer conforms to a surface of the first capacitor electrode and a second capacitor electrode is disposed on the capacitor dielectric layer opposite the first capacitor electrode. Sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug may be substantially coplanar, and the device may further include an etch stopper layer conforming to at least sidewalls of the ohmic pattern, the barrier pattern and the pad portion of the contact plug. Related fabrication methods are described.

摘要翻译： 导电接触插塞延伸穿过电介质层中的开口以接触衬底并且包括延伸到邻近开口的电介质层上的加宽焊盘部分。 欧姆图案设置在插头的焊盘部分上，并且阻挡图案设置在欧姆图案上。 凹陷的第一电容器电极设置在阻挡图案上并且限定了远离基板的空腔。 电容器电介质层符合第一电容器电极的表面，并且第二电容器电极设置在与第一电容器电极相对的电容器电介质层上。 欧姆图案的侧壁，接触塞的阻挡图案和焊盘部分可以是基本上共面的，并且该器件还可以包括符合至少欧姆图案的侧壁，阻挡图案和焊盘部分的蚀刻停止层 接触插头。 描述相关的制造方法。

公开(公告)号：US20060014384A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11140552

申请日：2005-05-27

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a first reactant is provided onto the substrate. The first reactant is partially chemisorbed on the substrate. A second reactant is introduced into the chamber to form a preliminary layer on the substrate by chemically reacting the second reactant with the chemisorbed first reactant. Impurities in the preliminary layer and unreacted reactants are simultaneously removed using a plasma for removing impurities to thereby form the layer on the substrate. The impurities in the layer may be effectively removed so that the layer may have reduced leakage current.

摘要翻译： 在使用原子层沉积工艺形成层的方法中，在将衬底装入腔室之后，在衬底上提供第一反应物。 第一反应物被部分化学吸附在基材上。 将第二反应物引入室中以通过使第二反应物与化学吸附的第一反应物发生化学反应在衬底上形成预备层。 使用用于除去杂质的等离子体同时除去预备层中的杂质和未反应的反应物，从而在基板上形成层。 可以有效地去除层中的杂质，使得该层可能具有减小的漏电流。

公开(公告)号：US20050031495A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10844136

申请日：2004-05-12

申请人： Han-Mei Choi ,  Thomas Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Thomas Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/30 ,  B01B1/00 ,  B01J4/02 ,  B01L3/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/448 ,  B01B1/005 ,  B01J4/02 ,  B01J2219/0011 ,  B01J2219/00164 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T436/2575

摘要： Liquid chemical delivery systems are provided which include a liquid chemical storage canister, a pressurized gas source that feeds a pressurized gas into the storage canister, a vaporizer that may be used to vaporize the liquid chemical supplied from the storage canister, a delivery line that connects the storage canister to the vaporizer, a liquid mass flow controller that controls the flow rate of the liquid chemical through the delivery line, a reaction chamber that is connected to the vaporizer, and a liquid chemical recycling element that collects at least some of the chemical flowing through the system during periods when the liquid chemical delivery system is isolated from the reaction chamber.

摘要翻译： 提供了液体化学输送系统，其包括液体化学品储存罐，将加压气体进料到储存罐中的加压气体源，可用于蒸发从储存罐供应的液体化学品的蒸发器，连接 储存罐到蒸发器，液体质量流量控制器，其通过输送管线控制液体化学品的流速;连接到蒸发器的反应室;以及液体化学品循环元件，其收集至少一些化学物质 在液体化学品输送系统与反应室隔离的期间流经系统。

公开(公告)号：US20090050210A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12258818

申请日：2008-10-27

申请人： Han-Mei Choi ,  Thomas Jongwon Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

发明人： Han-Mei Choi ,  Thomas Jongwon Kwon ,  Jae-Soon Lim ,  Ki-Chul Kim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： G05D7/06 ,  B01F3/04 ,  G05D11/00

CPC分类号： C23C16/448 ,  B01B1/005 ,  B01J4/02 ,  B01J2219/0011 ,  B01J2219/00164 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T436/2575

摘要： Liquid chemical delivery systems are provided which include a liquid chemical storage canister, a pressurized gas source that feeds a pressurized gas into the storage canister, a vaporizer that may be used to vaporize the liquid chemical supplied from the storage canister, a delivery line that connects the storage canister to the vaporizer, a liquid mass flow controller that controls the flow rate of the liquid chemical through the delivery line, a reaction chamber that is connected to the vaporizer, and a liquid chemical recycling element that collects at least some of the chemical flowing through the system during periods when the liquid chemical delivery system is isolated from the reaction chamber.

摘要翻译： 提供了液体化学输送系统，其包括液体化学品储存罐，将加压气体进料到储存罐中的加压气体源，可用于蒸发从储存罐供应的液体化学品的蒸发器，连接 储存罐到蒸发器，液体质量流量控制器，其通过输送管线控制液体化学品的流速;连接到蒸发器的反应室;以及液体化学品循环元件，其收集至少一些化学物质 在液体化学品输送系统与反应室隔离的期间流经系统。

公开(公告)号：US20060063346A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11149708

申请日：2005-06-10

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Cha-Young Yoo ,  Han-Mei Choi ,  Gab-Jin Nam

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  H01L28/65

摘要： In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a reactant is provided onto the substrate to form a preliminary layer. Atoms in the preliminary layer are partially removed from the preliminary layer using plasma formed from an inert gas such as an argon gas, a xenon gas or a krypton gas, or an inactive gas such as an oxygen gas, a nitrogen gas or a nitrous oxide gas to form a desired layer. Processes for forming the desired layer may be simplified. A highly integrated semiconductor device having improved reliability may be economically manufactured so that time and costs required for the manufacturing of the semiconductor device may be reduced.

摘要翻译： 在使用原子层沉积工艺形成层的方法中，在将衬底装载到室中之后，将反应物提供到衬底上以形成预备层。 使用由诸如氩气，氙气或氪气等惰性气体形成的等离子体或氧气，氮气或一氧化二氮等惰性气体，从预备层中部分除去原料中的原子 气体形成所需层。 可以简化用于形成所需层的工艺。 可以经济地制造具有提高的可靠性的高度集成的半导体器件，从而可以减少制造半导体器件所需的时间和成本。

公开(公告)号：US20050081787A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10951937

申请日：2004-09-28

申请人： Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  In-Sung Park ,  Eun-Ae Chung ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Ki-Vin Im ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Gab-Jin Nam ,  In-Sung Park ,  Eun-Ae Chung ,  Ki-Yeon Park ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45544

摘要： Methods of supplying a source to a reactor include charging a gaseous source into a charging volume by selectively activating a source charger coupled between the charging volume and a source reservoir. The gaseous source is then supplied from the charging volume into a deposition process reactor by selectively activating a source supplier coupled between the charging volume and the reactor after the gaseous source in the charging volume attains a desired internal pressure. Apparatus for supplying a source and methods and apparatus for depositing an atomic layer are also provided.

摘要翻译： 向反应器供应源的方法包括通过选择性地启动耦合在充电容积和源储存器之间的源极充电器将气态源充电到充电容积中。 然后，在充电容积中的气体源达到期望的内部压力之后，通过选择性地启动耦合在充电容积和反应器之间的源供应器，将气态源从充电容积供应到沉积工艺反应器中。 还提供了用于提供源的装置和用于沉积原子层的方法和装置。

公开(公告)号：US20050208718A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US11065086

申请日：2005-02-24

申请人： Jae-Soon Lim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Young-Geun Park ,  Suk-Jin Chung ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Jae-Soon Lim ,  Sung-Tae Kim ,  Young-Sun Kim ,  Young-Geun Park ,  Suk-Jin Chung ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3141 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

摘要： Methods for forming a capacitor using an atomic layer deposition process include providing a reactant including an aluminum precursor onto a substrate to chemisorb a portion of the reactant to a surface of the substrate. The substrate has an underlying structure including a lower electrode. An ammonia (NH3) plasma is provided onto the substrate to form a dielectric layer including aluminum nitride on the substrate including the lower electrode. An upper electrode is formed on the dielectric layer. A second dielectric layer may be provided oil the first dielectric layer

摘要翻译： 使用原子层沉积工艺形成电容器的方法包括在衬底上提供包含铝前体的反应物以将反应物的一部分化学吸附到衬底的表面。 衬底具有包括下电极的底层结构。 在基板上提供氨（NH 3 3）等离子体，以在包括下电极的基板上形成包括氮化铝的电介质层。 在电介质层上形成上电极。 可以为第一介电层提供第二介电层油