公开(公告)号：US08344438B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12023321

申请日：2008-01-31

申请人： Uwe Schroeder ,  Stefan Jakschik ,  Johannes Heitmann ,  Tim Boescke ,  Annette Saenger

发明人： Uwe Schroeder ,  Stefan Jakschik ,  Johannes Heitmann ,  Tim Boescke ,  Annette Saenger

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/94 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L28/65

摘要： The present invention refers to an electrode comprising a first metallic layer and a compound comprising at least one of a nitride, oxide, and oxynitride of a second metallic material.

摘要翻译： 本发明涉及包含第一金属层和包含第二金属材料的氮化物，氧化物和氧氮化物中的至少一种的化合物的电极。

公开(公告)号：US08138538B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12249060

申请日：2008-10-10

申请人： Hans-Peter Moll ,  Gouri Sankar Kar ,  Martin Popp ,  Lars Heineck ,  Peter Lahnor ,  Arnd Scholz ,  Stefan Jakschik ,  Wolfgang Roesner ,  Gerhard Enders ,  Werner Graf ,  Peter Baars ,  Klaus Muemmler ,  Bernd Hintze ,  Andrei Josiek

发明人： Hans-Peter Moll ,  Gouri Sankar Kar ,  Martin Popp ,  Lars Heineck ,  Peter Lahnor ,  Arnd Scholz ,  Stefan Jakschik ,  Wolfgang Roesner ,  Gerhard Enders ,  Werner Graf ,  Peter Baars ,  Klaus Muemmler ,  Bernd Hintze ,  Andrei Josiek

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10891 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885

摘要： One embodiment relates to an integrated circuit formed on a semiconductor body having interconnect between source/drain regions of a first and second transistor. The interconnect includes a metal body arranged underneath the surface of the semiconductor body. A contact element establishes electrical contact between the metal body and the source/drain regions of the first and second transistor. The contact element extends along a connecting path between the source/drain regions of the first and second transistors. Other methods, devices, and systems are also disclosed.

摘要翻译： 一个实施例涉及形成在半导体主体上的集成电路，其具有在第一和第二晶体管的源/漏区之间的互连。 互连件包括布置在半导体本体表面下方的金属体。 接触元件建立金属体与第一和第二晶体管的源/漏区之间的电接触。 接触元件沿着第一和第二晶体管的源极/漏极区域之间的连接路径延伸。 还公开了其它方法，装置和系统。

公开(公告)号：US20080197428A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US11675460

申请日：2007-02-15

申请人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht

发明人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7845

摘要： A gate electrode structure comprises at least one bi-layer, wherein each bi-layer comprises a plating film and a stress amplifier film. The plating film includes a poly-crystalline material. The stress amplifier film determines the crystallization result of the poly-crystalline material, wherein a mechanical stress induced through the plating layer is amplified. Tensile or compressive strain may be induced in a crystalline substrate. Electron or hole mobility may be increased and on-resistance characteristics of a MOS field effect transistor may be improved.

摘要翻译： 栅电极结构包括至少一个双层，其中每个双层包括镀膜和应力放大膜。 镀膜包括多晶材料。 应力放大器膜确定多晶材料的结晶结果，其中通过镀层诱导的机械应力被放大。 可能在结晶底物中诱导拉伸或压缩应变。 可以增加电子或空穴迁移率，并可提高MOS场效应晶体管的导通电阻特性。

公开(公告)号：US07268037B2

公开(公告)日：2007-09-11

申请号：US11040091

申请日：2005-01-24

申请人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht ,  Uwe Schröder ,  Matthias Goldbach

发明人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht ,  Uwe Schröder ,  Matthias Goldbach

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L29/66181

摘要： A process for modifying sections of a semiconductor includes covering the sections to remain free of doping with a metal oxide, e.g., aluminum oxide. Then, the semiconductor is doped, for example, from the gas phase, in those sections that are not covered by the aluminum oxide. Finally, the aluminum oxide is selectively removed again, for example using hot phosphoric acid. Sections of the semiconductor surface which are formed from silicon, silicon oxide or silicon nitride remain in place on the wafer.

摘要翻译： 用于修改半导体部分的方法包括覆盖这些部分以保持不掺杂金属氧化物，例如氧化铝。 然后，在未被氧化铝覆盖的那些部分中，例如从气相掺杂半导体。 最后，再次选择性地除去氧化铝，例如使用热磷酸。 由硅，氧化硅或氮化硅形成的半导体表面的部分保留在晶片上。

公开(公告)号：US20070161180A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：US11331441

申请日：2006-01-13

申请人： Elke Erben ,  Stefan Jakschik ,  Alfred Kersch ,  Angela Link ,  Jonas Sundqvist

发明人： Elke Erben ,  Stefan Jakschik ,  Alfred Kersch ,  Angela Link ,  Jonas Sundqvist

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： C23C16/45531 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/318 ,  H01L28/40

摘要： The atomic layer deposition process according to the invention provides the following steps for the production of homogeneous layers on a substrate. The substrate is introduced into a reaction chamber. A first precursor is introduced into the reaction chamber, which first precursor reacts on the surface of the substrate to form an intermediate product. A second precursor is introduced into the reaction chamber, which second precursor has a low sticking coefficient and reacts with part of the intermediate product to form a first product. A third precursor is introduced into the reaction chamber, which third precursor has a high sticking coefficient and reacts with the remaining part of the intermediate product to form a second product. The second precursor and its first product reduce the effective sticking coefficient of the third precursor by partially covering the surface.

摘要翻译： 根据本发明的原子层沉积方法提供了在基底上生产均质层的以下步骤。 将基底引入反应室。 将第一前体引入反应室，其中第一前体在基材的表面上反应形成中间产物。 将第二前体引入反应室，该第二前体具有低粘附系数并与部分中间产物反应以形成第一产物。 将第三前体引入反应室，该第三前体具有高粘附系数并与中间产物的剩余部分反应以形成第二产物。 第二种前体及其第一种产物通过部分覆盖表面来降低第三种前体的有效粘附系数。

公开(公告)号：US07851297B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US12145413

申请日：2008-06-24

申请人： Stefan Jakschik ,  Jorge Adrian Kittl ,  Marcus Johannes Henricus van Dal ,  Anne Lauwers ,  Masaaki Niwa

发明人： Stefan Jakschik ,  Jorge Adrian Kittl ,  Marcus Johannes Henricus van Dal ,  Anne Lauwers ,  Masaaki Niwa

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871

摘要： A dual workfunction semiconductor device which comprises a first and second control electrode comprising a metal-semiconductor compound, e.g. a silicide or a germanide, and a dual workfunction semiconductor device thus obtained are disclosed. In one aspect, the method comprises forming a blocking region for preventing diffusion of metal from the metal-semiconductor compound of the first control electrode to the metal-semiconductor compound of the second control electrode, the blocking region being formed at a location where an interface between the first and second control electrodes is to be formed or is formed. By preventing metal to diffuse from the one to the other control electrode the constitution of the metal-semiconductor compounds of the first and second control electrodes may remain substantially unchanged during e.g. thermal steps in further processing of the device.

摘要翻译： 一种双功能半导体器件，其包括第一和第二控制电极，所述第一和第二控制电极包括金属 - 半导体化合物，例如， 硅化物或锗化物，以及由此获得的双功能半导体器件。 一方面，该方法包括形成用于防止金属从第一控制电极的金属半导体化合物扩散到第二控制电极的金属半导体化合物的阻挡区域，该阻挡区域形成在界面 在第一和第二控制电极之间形成或形成。 通过防止金属从一个控制电极扩散到另一个控制电极，第一和第二控制电极的金属 - 半导体化合物的结构在例如电极中保持基本不变。 进一步处理设备的热步骤。

公开(公告)号：US07842977B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US11675460

申请日：2007-02-15

申请人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht

发明人： Stefan Jakschik ,  Thomas Hecht

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7845

摘要： A gate electrode structure comprises at least one bi-layer, wherein each bi-layer comprises a plating film and a stress amplifier film. The plating film includes a poly-crystalline material. The stress amplifier film determines the crystallization result of the poly-crystalline material, wherein a mechanical stress induced through the plating layer is amplified. Tensile or compressive strain may be induced in a crystalline substrate. Electron or hole mobility may be increased and on-resistance characteristics of a MOS field effect transistor may be improved.

摘要翻译： 栅电极结构包括至少一个双层，其中每个双层包括镀膜和应力放大膜。 镀膜包括多晶材料。 应力放大器膜确定多晶材料的结晶结果，其中通过镀层诱导的机械应力被放大。 可能在结晶底物中诱导拉伸或压缩应变。 可以增加电子或空穴迁移率，并可提高MOS场效应晶体管的导通电阻特性。

公开(公告)号：US20100090264A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12249060

申请日：2008-10-10

申请人： Hans-Peter Moll ,  Gouri Sankar Kar ,  Martin Popp ,  Lars Heineck ,  Peter Lahnor ,  Arnd Scholz ,  Stefan Jakschik ,  Wolfgang Roesner ,  Gerhard Enders ,  Werner Graf ,  Peter Baars ,  Klaus Muemmler ,  Bernd Hintze ,  Andrei Josiek

发明人： Hans-Peter Moll ,  Gouri Sankar Kar ,  Martin Popp ,  Lars Heineck ,  Peter Lahnor ,  Arnd Scholz ,  Stefan Jakschik ,  Wolfgang Roesner ,  Gerhard Enders ,  Werner Graf ,  Peter Baars ,  Klaus Muemmler ,  Bernd Hintze ,  Andrei Josiek

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/10891 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885

摘要： One embodiment relates to an integrated circuit formed on a semiconductor body having interconnect between source/drain regions of a first and second transistor. The interconnect includes a metal body arranged underneath the surface of the semiconductor body. A contact element establishes electrical contact between the metal body and the source/drain regions of the first and second transistor. The contact element extends along a connecting path between the source/drain regions of the first and second transistors. Other methods, devices, and systems are also disclosed.

摘要翻译： 一个实施例涉及形成在半导体主体上的集成电路，其具有在第一和第二晶体管的源/漏区之间的互连。 互连件包括布置在半导体本体表面下方的金属体。 接触元件建立金属体与第一和第二晶体管的源/漏区之间的电接触。 接触元件沿着第一和第二晶体管的源极/漏极区域之间的连接路径延伸。 还公开了其它方法，装置和系统。

公开(公告)号：US20090020821A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12145413

申请日：2008-06-24

申请人： Stefan Jakschik ,  Jorge Adrian Kittl ,  Marcus Johannes Henricus van Dal ,  Anne Lauwers ,  Masaaki Niwa

发明人： Stefan Jakschik ,  Jorge Adrian Kittl ,  Marcus Johannes Henricus van Dal ,  Anne Lauwers ,  Masaaki Niwa

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871

摘要： A dual workfunction semiconductor device which comprises a first and second control electrode comprising a metal-semiconductor compound, e.g. a silicide or a germanide, and a dual workfunction semiconductor device thus obtained are disclosed. In one aspect, the method comprises forming a blocking region for preventing diffusion of metal from the metal-semiconductor compound of the first control electrode to the metal-semiconductor compound of the second control electrode, the blocking region being formed at a location where an interface between the first and second control electrodes is to be formed or is formed. By preventing metal to diffuse from the one to the other control electrode the constitution of the metal-semiconductor compounds of the first and second control electrodes may remain substantially unchanged during e.g. thermal steps in further processing of the device.

摘要翻译： 一种双功能半导体器件，其包括第一和第二控制电极，所述第一和第二控制电极包括金属 - 半导体化合物，例如， 硅化物或锗化物，以及由此获得的双功能半导体器件。 一方面，该方法包括形成用于防止金属从第一控制电极的金属半导体化合物扩散到第二控制电极的金属半导体化合物的阻挡区域，该阻挡区域形成在界面 在第一和第二控制电极之间形成或形成。 通过防止金属从一个控制电极扩散到另一个控制电极，第一和第二控制电极的金属 - 半导体化合物的结构在例如电极中保持基本不变。 进一步处理设备的热步骤。

公开(公告)号：US07413951B2

公开(公告)日：2008-08-19

申请号：US11518504

申请日：2006-09-07

申请人： Stephan Kudelka ,  Peter Moll ,  Stefan Jakschik ,  Odo Wunnicke

发明人： Stephan Kudelka ,  Peter Moll ,  Stefan Jakschik ,  Odo Wunnicke

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852

摘要： A method produces stacked capacitors for dynamic memory cells, in which a number of trenches (48) are formed in the masking layer (40), each trench (48) being arranged above a respective contact plug (26) and extending from the top (42) of the masking layer (40) to the contact plugs (26). A conductive layer (50) covers the side walls (49) of the trenches (48) and the contact plugs (26) in order to form a first electrode (60) of a stacked capacitor (12). In an upper region (63), which is remote from the contact stack (26), the conductive layer (50) is replaced by an insulating layer, so that it is not possible for a short circuit to arise in the event of any adhesion between adjacent electrodes.

摘要翻译： 一种方法产生用于动态存储单元的堆叠电容器，其中在掩模层（40）中形成有多个沟槽（48），每个沟槽（48）布置在相应的接触插塞（26）的上方并从顶部 屏蔽层（40）的至少部分（42）连接到接触插塞（26）。 为了形成叠层电容器（12）的第一电极（60），导电层（50）覆盖沟槽（48）的侧壁（49）和接触插塞（26）。 在远离接触堆叠（26）的上部区域（63）中，导电层（50）由绝缘层代替，使得在任何粘附的情况下不可能出现短路 在相邻电极之间。