公开(公告)号：US08044449B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12183021

申请日：2008-07-30

申请人： Shian-Jyh Lin ,  Hung-Chang Liao ,  Meng-Hung Chen ,  Chung-Yuan Lee ,  Pei-Ing Lee

发明人： Shian-Jyh Lin ,  Hung-Chang Liao ,  Meng-Hung Chen ,  Chung-Yuan Lee ,  Pei-Ing Lee

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L27/10864 ,  H01L27/10841

摘要： A memory device is provided. The memory device includes a substrate, a trench having an upper portion and a lower portion formed in the substrate, a trench capacitor formed in the lower portion of the trench, a collar dielectric layer formed on a sidewall of the trench capacitor and extending away from a top surface of the substrate, a first doping region formed on a side of the upper portion of the trench in the substrate for serving as source/drain, a conductive layer formed in the trench and electrically connected to the first doping region, a top dielectric layer formed on conductive layer, a gate formed on the top dielectric layer, an epitaxy layer formed on both sides of the gate and on the substrate and a second doping area formed on a top of the epitaxy layer for serving as source/drain.

摘要翻译： 提供存储器件。 存储器件包括衬底，具有形成在衬底中的上部和下部的沟槽，形成在沟槽的下部的沟槽电容器，形成在沟槽电容器的侧壁上并且远离 衬底的顶表面，形成在衬底中用作源极/漏极的沟槽的上部侧的第一掺杂区域，形成在沟槽中并电连接到第一掺杂区域的导电层，顶部 形成在导电层上的电介质层，形成在顶部电介质层上的栅极，形成在栅极两侧和衬底上的外延层，以及形成在外延层的顶部上用作源极/漏极的第二掺杂区域。

公开(公告)号：US07795090B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US12211815

申请日：2008-09-17

申请人： Shian-Jyh Lin ,  Chien-Li Cheng ,  Pei-Ing Lee ,  Chung-Yuan Lee

发明人： Shian-Jyh Lin ,  Chien-Li Cheng ,  Pei-Ing Lee ,  Chung-Yuan Lee

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L29/66553 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66659

摘要： A method of fabricating self-aligned recess utilizing asymmetric poly spacer is disclosed. A semiconductor substrate having thereon a first pad layer and second pad layer is provided. A plurality of trenches is embedded in a memory array region of the semiconductor substrate. Each of the trenches includes a trench top layer that extrudes from a main surface of the semiconductor substrate. Asymmetric poly spacer is formed on one side of the extruding trench top layer and is used, after oxidized, as a mask for forming a recess in close proximity to the trenches.

摘要翻译： 公开了一种使用不对称聚合间隔物制造自对准凹槽的方法。 提供了其上具有第一焊盘层和第二焊盘层的半导体衬底。 多个沟槽嵌入在半导体衬底的存储器阵列区域中。 每个沟槽包括从半导体衬底的主表面挤出的沟槽顶层。 非对称聚合物间隔物形成在挤出沟槽顶层的一侧上，并且在氧化之后用作用于在靠近沟槽形成凹部的掩模。

公开(公告)号：US07030431B2

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：US10708708

申请日：2004-03-19

申请人： Shian-Jyh Lin ,  Chung-Yuan Lee ,  Yu-Chang Lin

发明人： Shian-Jyh Lin ,  Chung-Yuan Lee ,  Yu-Chang Lin

IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L29/94 ,  H01L29/70 ,  H01L29/768 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/78

摘要： A novel metal gate structure includes a gate oxide layer formed on a surface of a silicon substrate, a doped silicon layer stacked on the gate oxide layer, a CVD ultra-thin titanium nitride film deposited on the doped silicon layer, a tungsten nitride layer stacked on the CVD ultra-thin titanium nitride film, a tungsten layer stacked on the tungsten nitride layer, and a nitride cap layer stacked on the tungsten layer. A liquid phase deposition (LPD) oxide spacer is formed on each sidewall of the metal gate stack. A silicon nitride spacer is formed on the LPD oxide spacer. The thickness of the CVD ultra-thin titanium nitride film is between 10 and 100 angstroms.

摘要翻译： 一种新颖的金属栅极结构，包括形成在硅衬底的表面上的栅极氧化层，堆叠在栅极氧化物层上的掺杂硅层，沉积在掺杂硅层上的CVD超薄氮化钛膜，堆叠的氮化钨层 在CVD超薄氮化钛膜上堆叠在钨氮化物层上的钨层和层叠在钨层上的氮化物盖层。 在金属栅极堆叠的每个侧壁上形成液相沉积（LPD）氧化物间隔物。 在LPD氧化物间隔物上形成氮化硅间隔物。 CVD超薄氮化钛膜的厚度为10〜100埃。

公开(公告)号：US06767786B1

公开(公告)日：2004-07-27

申请号：US10413229

申请日：2003-04-14

申请人： Shian-Jyh Lin ,  Meng-Hung Chen ,  Chung-Yuan Lee

发明人： Shian-Jyh Lin ,  Meng-Hung Chen ,  Chung-Yuan Lee

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L29/66181

摘要： Method for forming bottle trenches by liquid phase oxide deposition. The method includes the steps of providing a substrate having a pad layer formed thereon, and a trench formed in a predetermined position; forming a masking layer at the bottom part of the trench; using liquid phase deposition (LPD) to form an LPD oxide layer on the sidewalls of the trench; removing the masking layer to expose the bottom part of the trench; subjecting the LPD oxide layer to annealing; and etching the bottom part of the trench not covered by the LPD oxide layer to form a bottle trench.

摘要翻译： 通过液相氧化物沉积形成瓶槽的方法。 该方法包括提供其上形成有衬垫层的衬底和形成在预定位置的沟槽的步骤; 在沟槽的底部形成掩模层; 使用液相沉积（LPD）在沟槽的侧壁上形成LPD氧化物层; 去除掩模层以暴露沟槽的底部; 对LPD氧化物层进行退火; 并且蚀刻未被LPD氧化物层覆盖的沟槽的底部以形成瓶沟槽。

公开(公告)号：US20070190712A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11521639

申请日：2006-09-14

申请人： Shian-Jyh Lin ,  Chien-Li Cheng ,  Chung-Yuan Lee ,  Jeng-Ping Lin ,  Pei-Ing Lee

发明人： Shian-Jyh Lin ,  Chien-Li Cheng ,  Chung-Yuan Lee ,  Jeng-Ping Lin ,  Pei-Ing Lee

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/42376 ,  H01L29/66621

摘要： A method of fabricating a semiconductor device having a trench gate is provided. First, a semiconductor substrate having a trench etch mask thereon is provided. The semiconductor substrate is etched to form a trench having a sidewall and a bottom using the trench etch mask as a shield. Impurities are doped into the semiconductor substrate through the trench to form a doped region. The semiconductor substrate underlying the trench is etched to form an extended portion. A gate insulating layer is formed on the trench and the extended portion. A trench gate is formed in the trench and the extended portion.

摘要翻译： 提供一种制造具有沟槽栅极的半导体器件的方法。 首先，提供其上具有沟槽蚀刻掩模的半导体衬底。 使用沟槽蚀刻掩模作为屏蔽，蚀刻半导体衬底以形成具有侧壁和底部的沟槽。 杂质通过沟槽掺杂到半导体衬底中以形成掺杂区域。 蚀刻沟槽下方的半导体衬底以形成延伸部分。 在沟槽和延伸部分上形成栅极绝缘层。 在沟槽和延伸部分中形成沟槽栅极。

公开(公告)号：US07205075B2

公开(公告)日：2007-04-17

申请号：US10448675

申请日：2003-05-29

申请人： Yu-Sheng Shu ,  Yuan-Hsun Wu ,  Chung-Yuan Lee ,  Shian-Jyh Lin

发明人： Yu-Sheng Shu ,  Yuan-Hsun Wu ,  Chung-Yuan Lee ,  Shian-Jyh Lin

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L21/3083 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10864

摘要： A method of forming a vertical memory device with a rectangular trench. First, a substrate covered by a photoresist layer is provided. Next, the photoresist layer is defined by a mask to form a rectangular opening, wherein the mask has two rectangular transparent patterns arranged with a predetermined interval. Next, the substrate is etched using the defined photoresist layer as a mask to form a single rectangular trench and the photoresist layer is then removed. Finally, a trench capacitor and a vertical transistor are successively formed in the rectangular trench to finish the vertical memory device.

摘要翻译： 一种形成具有矩形沟槽的垂直存储器件的方法。 首先，提供由光致抗蚀剂层覆盖的基板。 接下来，通过掩模限定光致抗蚀剂层以形成矩形开口，其中掩模具有以预定间隔布置的两个矩形透明图案。 接下来，使用限定的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻基板以形成单个矩形沟槽，然后除去光致抗蚀剂层。 最后，在矩形沟槽中依次形成沟槽电容器和垂直晶体管，以完成垂直存储器件。

公开(公告)号：US06992021B2

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US10620518

申请日：2003-07-16

申请人： Shian-Jyh Lin ,  Hai-Han Hung ,  Chung-Yuan Lee

发明人： Shian-Jyh Lin ,  Hai-Han Hung ,  Chung-Yuan Lee

IPC分类号： H01L21/39 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L29/66181 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/48 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3185

摘要： A method of forming a silicon nitride layer. The method comprises providing a substrate having a silicon surface thereon, performing an ion implant process on the silicon surface, implanting nitrogen atoms into the silicon surface, and performing a thermal nitridation process and forming a silicon nitride layer on the substrate, wherein the silicon nitride layer comprises the silicon nitride formed on the silicon surface by reaction of the silicon surface with the nitrogen atoms contained therein.

摘要翻译： 一种形成氮化硅层的方法。 该方法包括提供其上具有硅表面的衬底，在硅表面上执行离子注入工艺，将氮原子注入到硅表面中，以及执行热氮化工艺并在衬底上形成氮化硅层，其中氮化硅 层包括通过硅表面与其中包含的氮原子的反应在硅表面上形成的氮化硅。

公开(公告)号：US06977227B2

公开(公告)日：2005-12-20

申请号：US10871619

申请日：2004-06-18

申请人： Shian-Jyh Lin ,  Yu-Sheng Hsu ,  Chung-Yuan Lee

发明人： Shian-Jyh Lin ,  Yu-Sheng Hsu ,  Chung-Yuan Lee

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/20 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/334 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

摘要： A method for forming a bottle trench. First, a substrate covered by a photoresist layer is rotated to a specific angle prior to performance of lithography, thereby forming a rectangular opening in the photoresist layer and exposing the substrate, in which edges of the rectangular opening are substantially parallel to the {110} plane of the substrate due to the rotation of the substrate. Next, the exposed substrate is etched to form a trench therein, in which the sidewall surface of the trench is the {110} plane of the substrate. Finally, isotropic etching is performed on the substrate of the lower portion of the trench using an etching shield layer formed on the sidewall of the upper portion of the trench as an etching mask, to form the bottle trench. The invention also discloses a method of fabricating a bottle trench capacitor.

摘要翻译： 一种形成瓶槽的方法。 首先，在进行光刻之前，将由光致抗蚀剂层覆盖的基板旋转到特定角度，从而在光致抗蚀剂层中形成矩形开口并暴露基板，其中矩形开口的边缘基本上平行于{110} 由于基板的旋转而导致基板的平面。 接下来，暴露的衬底被蚀刻以在其中形成沟槽，其中沟槽的侧壁表面是衬底的{110}平面。 最后，使用形成在沟槽的上部的侧壁上的蚀刻屏蔽层作为蚀刻掩模，在沟槽的下部的基板上进行各向同性蚀刻，以形成瓶沟槽。 本发明还公开了一种制造瓶沟电容器的方法。

公开(公告)号：US20050205942A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US10708708

申请日：2004-03-19

申请人： Shian-Jyh Lin ,  Chung-Yuan Lee ,  Yu-Chang LIN

发明人： Shian-Jyh Lin ,  Chung-Yuan Lee ,  Yu-Chang LIN

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/78

摘要： A novel metal gate structure includes a gate oxide layer formed on a surface of a silicon substrate, a doped silicon layer stacked on the gate oxide layer, a CVD ultra-thin titanium nitride film deposited on the doped silicon layer, a tungsten nitride layer stacked on the CVD ultra-thin titanium nitride film, a tungsten layer stacked on the tungsten nitride layer, and a nitride cap layer stacked on the tungsten layer. A liquid phase deposition (LPD) oxide spacer is formed on each sidewall of the metal gate stack. A silicon nitride spacer is formed on the LPD oxide spacer. The thickness of the CVD ultra-thin titanium nitride film is between 10 and 100 angstroms.

摘要翻译： 一种新颖的金属栅极结构，包括形成在硅衬底的表面上的栅极氧化层，堆叠在栅极氧化物层上的掺杂硅层，沉积在掺杂硅层上的CVD超薄氮化钛膜，堆叠的氮化钨层 在CVD超薄氮化钛膜上堆叠在钨氮化物层上的钨层和层叠在钨层上的氮化物盖层。 在金属栅极堆叠的每个侧壁上形成液相沉积（LPD）氧化物间隔物。 在LPD氧化物间隔物上形成氮化硅间隔物。 CVD超薄氮化钛膜的厚度为10〜100埃。

公开(公告)号：US08309998B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US13102039

申请日：2011-05-05

申请人： Tzung-Han Lee ,  Chung-Yuan Lee

发明人： Tzung-Han Lee ,  Chung-Yuan Lee

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L29/7841 ,  H01L27/10802 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： A memory structure having a floating body is provided, which includes a substrate including an active area and an isolation structure surrounding the active area, a first source/drain region in the substrate in the active area, a first floating body in the substrate above the first source/drain region, a second floating body on the first floating body, a second source/drain region on the second floating body, and a trench-type gate structure in the substrate and beside the first floating body. A method of fabricating a memory structure having a floating body is also provided.

摘要翻译： 提供一种具有浮体的存储器结构，其包括：衬底，其包括有源区域和围绕有源区域的隔离结构;有源区域中的衬底中的第一源极/漏极区域;位于衬底中的第一浮置体 第一源极/漏极区域，第一浮体上的第二浮体，第二浮体上的第二源极/漏极区域，以及衬底中的沟槽型栅极结构以及第一浮体旁边。 还提供了一种制造具有浮体的存储结构的方法。