公开(公告)号：US20130260484A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13431165

申请日：2012-03-27

申请人： Chyi-Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Hsin Yang ,  Ching-Hua Chiu

发明人： Chyi-Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Hsin Yang ,  Ching-Hua Chiu

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22

摘要： The present disclosure involves a method of fabricating a light-emitting diode (LED) wafer. The method first determines a target surface morphology for the LED wafer. The target surface morphology yields a maximum light output for LEDs on the LED wafer. The LED wafer is etched to form a roughened wafer surface. Thereafter, using a laser scanning microscope, the method investigates an actual surface morphology of the LED wafer. Afterwards, if the actual surface morphology differs from the target surface morphology beyond an acceptable limit, the method repeats the etching step one or more times. The etching is repeated by adjusting one or more etching parameters.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造发光二极管（LED）晶片的方法。 该方法首先确定LED晶片的目标表面形态。 目标表面形态为LED晶圆上的LED产生最大的光输出。 蚀刻LED晶片以形成粗糙的晶片表面。 此后，使用激光扫描显微镜，该方法研究了LED晶片的实际表面形态。 此后，如果实际的表面形态与目标表面形态不同，超过可接受的极限，则该方法重复一次或多次蚀刻步骤。 通过调整一个或多个蚀刻参数重复蚀刻。

公开(公告)号：US20120305956A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13150449

申请日：2011-06-01

申请人： Fu-Wen Liu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Chang Chen ,  Ming Shing Lee ,  Tzu-Wen Shih ,  Hsin-Hung Chen

发明人： Fu-Wen Liu ,  Chyi Shyuan Chern ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yung-Chang Chen ,  Ming Shing Lee ,  Tzu-Wen Shih ,  Hsin-Hung Chen

IPC分类号： H01L33/44

CPC分类号： H01L33/0095 ,  H01L33/50 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

摘要： The present disclosure provides a method of patterning a phosphor layer on a light emitting diode (LED) emitter. The method includes providing at least one LED emitter disposed on a substrate; forming a polymer layer over the at least one LED emitter; providing a mask over the polymer layer and the at least one LED emitter; etching the polymer layer through the mask to expose the at least one LED emitter within a cavity having polymer layer walls; and coating the at least one LED emitter with phosphor.

摘要翻译： 本公开提供了在发光二极管（LED）发射器上图案化磷光体层的方法。 该方法包括提供设置在基板上的至少一个LED发射器; 在所述至少一个LED发射器上形成聚合物层; 在所述聚合物层和所述至少一个LED发射器上提供掩模; 通过掩模蚀刻聚合物层，以在具有聚合物层壁的空腔内露出至少一个LED发射器; 以及用磷光体涂覆所述至少一个LED发射器。

公开(公告)号：US08536491B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12409880

申请日：2009-03-24

申请人： Zin-Chang Wei ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang

发明人： Zin-Chang Wei ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang

IPC分类号： F27D11/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/324 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109

摘要： A semiconductor furnace suitable for chemical vapor deposition processing of wafers. The furnace includes a thermal reaction chamber having a top, a bottom, a sidewall, and an internal cavity for removably holding a batch of vertically stacked wafers. A heating system is provided that includes a plurality of rotatable heaters arranged and operative to heat the chamber. In one embodiment, spacing between the sidewall heaters is adjustable. The heating system controls temperature variations within the chamber and promotes uniform film deposit thickness on the wafers.

摘要翻译： 适用于晶圆化学气相沉积处理的半导体炉。 该炉包括具有顶部，底部，侧壁和用于可拆卸地保持一批垂直堆叠的晶片的内部空腔的热反应室。 提供了一种加热系统，其包括多个可旋转的加热器，其布置并可操作以加热该腔室。 在一个实施例中，侧壁加热器之间的间隔是可调节的。 加热系统控制室内的温度变化并且促进在晶片上均匀的膜沉积物厚度。

公开(公告)号：US20100181500A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12355443

申请日：2009-01-16

申请人： Chun-Lin Chang ,  Zin-Chang Wei ,  Hsin-Hsien Wu

发明人： Chun-Lin Chang ,  Zin-Chang Wei ,  Hsin-Hsien Wu

IPC分类号： H01J37/08

CPC分类号： C30B31/22

摘要： A method comprises pre-cooling a first semiconductor wafer outside of a process chamber, from a temperature at or above 15° C. to a temperature below 5° C. The pre-cooled first wafer is placed inside the process chamber after performing the pre-cooling step. A low-temperature ion implantation is performed on the first wafer after placing the first wafer.

摘要翻译： 一种方法包括将处理室外的第一半导体晶片从等于或高于15℃的温度预先冷却至低于5℃的温度。预冷却的第一晶片在执行预处理之后放置在处理室内部 冷却步骤 在放置第一晶片之后，在第一晶片上进行低温离子注入。

公开(公告)号：US20100240224A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12408427

申请日：2009-03-20

申请人： Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang ,  Chi-Ming Yang

发明人： Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang ,  Chi-Ming Yang

IPC分类号： H01L21/26 ,  F27D11/00

CPC分类号： H01L21/67109 ,  F27B17/0025

摘要： A semiconductor furnace suitable for chemical vapor deposition processing of wafers. The furnace includes a thermal reaction chamber having a top, a bottom, a sidewall, and an internal cavity for removably holding a batch of vertically stacked wafers. A heating system is provided that includes a plurality of heaters arranged and operative to heat the chamber. The heating system includes at least one top heater; at least one bottom heater, and a plurality of sidewall heaters spaced along the height of the reaction chamber to control temperature variations within in the chamber and promote uniform film deposit thickness on the wafers.

摘要翻译： 适用于晶圆化学气相沉积处理的半导体炉。 该炉包括具有顶部，底部，侧壁和用于可拆卸地保持一批垂直堆叠的晶片的内部空腔的热反应室。 提供一种加热系统，其包括布置并可操作以加热该腔室的多个加热器。 加热系统包括至少一个顶部加热器; 至少一个底部加热器和沿着反应室的高度间隔开的多个侧壁加热器，以控制室内的温度变化，并促进晶片上均匀的膜沉积厚度。

公开(公告)号：US20100248496A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12409880

申请日：2009-03-24

申请人： Zin-Chang WEI ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang

发明人： Zin-Chang WEI ,  Hsin-Hsien Wu ,  Chun-Lin Chang

IPC分类号： H01L21/46 ,  F27D11/00 ,  C23C16/46

CPC分类号： H01L21/324 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109

摘要： A semiconductor furnace suitable for chemical vapor deposition processing of wafers. The furnace includes a thermal reaction chamber having a top, a bottom, a sidewall, and an internal cavity for removably holding a batch of vertically stacked wafers. A heating system is provided that includes a plurality of rotatable heaters arranged and operative to heat the chamber. In one embodiment, spacing between the sidewall heaters is adjustable. The heating system controls temperature variations within the chamber and promotes uniform film deposit thickness on the wafers.

摘要翻译： 适用于晶圆化学气相沉积处理的半导体炉。 该炉包括具有顶部，底部，侧壁和用于可拆卸地保持一批垂直堆叠的晶片的内部空腔的热反应室。 提供了一种加热系统，其包括多个可旋转的加热器，其布置并可操作以加热该腔室。 在一个实施例中，侧壁加热器之间的间隔是可调节的。 加热系统控制室内的温度变化并且促进在晶片上均匀的膜沉积物厚度。

公开(公告)号：US08729525B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US12547073

申请日：2009-08-25

申请人： Jui-Yi Chu ,  Cheng-Ta Kuo ,  Yu-Pin Hsu ,  Chun-Kai Wang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yi-Chieh Lin

发明人： Jui-Yi Chu ,  Cheng-Ta Kuo ,  Yu-Pin Hsu ,  Chun-Kai Wang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yi-Chieh Lin

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/325

摘要： The present application relates to an opto-electronic device. The opto-electronic device includes an n-cladding layer, a p-cladding layer and a multi-quantum well structure. The multi-quantum well structure is located between the p-cladding layer and the n-cladding layer, and includes a plurality of barrier layers, a plurality of well layers and a barrier tuning layer. The barrier tuning layer is made by doping the barrier layer adjacent to the p-cladding layer with an impurity therein for changing an energy barrier thereof to improve the light extraction efficiency of the opto-electronic device.

摘要翻译： 本申请涉及一种光电器件。 光电器件包括n包层，p包层和多量子阱结构。 多量子阱结构位于p包覆层和n包层之间，并且包括多个势垒层，多个阱层和势垒调整层。 阻挡层调整层是通过将与p型包层相邻的势垒层与其中的杂质掺杂以改变其能量势垒而制成的，以提高光电器件的光提取效率。

公开(公告)号：US08610161B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13253797

申请日：2011-10-05

申请人： Yung-Chang Chen ,  Hsin-Hsien Wu ,  Ming Shing Lee ,  Huai-En Lai ,  Fu-Wen Liu ,  Andy Wu

发明人： Yung-Chang Chen ,  Hsin-Hsien Wu ,  Ming Shing Lee ,  Huai-En Lai ,  Fu-Wen Liu ,  Andy Wu

IPC分类号： H01L33/42

CPC分类号： H01L33/58 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

摘要： An optical emitter includes a Light-Emitting Diode (LED) on a package wafer, transparent insulators, and one or more transparent electrical connectors between the LED die and one or more contact pads on the packaging wafer. The transparent insulators are deposited on the package wafer with LED dies attached using a lithography or a screen printing method. The transparent electrical connectors are deposited using physical vapor deposition, chemical vapor deposition, spin coating, spray coating, or screen printing and may be patterned using a lithography process and etching.

摘要翻译： 光发射器包括在封装晶片上的发光二极管（LED），透明绝缘体以及LED管芯与封装晶片上的一个或多个接触焊盘之间的一个或多个透明电连接器。 透明绝缘体沉积在封装晶圆上，并使用光刻法或丝网印刷法连接LED芯片。 使用物理气相沉积，化学气相沉积，旋涂，喷涂或丝网印刷沉积透明电连接器，并且可以使用光刻工艺和蚀刻来图案化。

公开(公告)号：US20100046205A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12547073

申请日：2009-08-25

申请人： Jui-Yi CHU ,  Cheng-Ta Kuo ,  Yu-Pin Hsu ,  Chun-Kai Wang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yi-Chieh Lin

发明人： Jui-Yi CHU ,  Cheng-Ta Kuo ,  Yu-Pin Hsu ,  Chun-Kai Wang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Yi-Chieh Lin

IPC分类号： G02F1/13357 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/325

摘要： The present application relates to an opto-electronic device. The opto-electronic device includes an n-cladding layer, a p-cladding layer and a multi-quantum well structure. The multi-quantum well structure is located between the p-cladding layer and the n-cladding layer, and includes a plurality of barrier layers, a plurality of well layers and a barrier tuning layer. The barrier tuning layer is made by doping the barrier layer adjacent to the p-cladding layer with an impurity therein for changing an energy barrier thereof to improve the light extraction efficiency of the opto-electronic device.

摘要翻译： 本申请涉及一种光电器件。 光电器件包括n包层，p包层和多量子阱结构。 多量子阱结构位于p包覆层和n包层之间，并且包括多个势垒层，多个阱层和势垒调整层。 阻挡层调整层是通过将与p型包层相邻的势垒层与其中的杂质掺杂以改变其能量势垒而制成的，以提高光电器件的光提取效率。

公开(公告)号：US20050053536A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10856064

申请日：2004-05-28

申请人： Hung Chein ,  Hsin-Hsien Wu ,  Shankar Aggarwal ,  Chuen-Jinn Tsai

发明人： Hung Chein ,  Hsin-Hsien Wu ,  Shankar Aggarwal ,  Chuen-Jinn Tsai

IPC分类号： B01D53/14 ,  B01D53/40 ,  B01J8/00

CPC分类号： B01D53/14

摘要： A method for treating waste gas containing acid and/or base, employing fine spray-scrubbing technology for treating the waste gas mentioned above, wherein the scrubbing solution is atomized to generate mists with droplet size of 1 to 100 μm. Another feature of the present invention is to combine the application of surfactant in wet scrubbing technology for treating waste gas containing acids, bases, or both, especially, in a low concentration. Another feature of the present invention is to combine spray tower and/or packed tower and/or other scrubbers vertically/horizontally to get enhanced performance of the conventional control systems.

摘要翻译： 一种处理含有酸和/或碱的废气的方法，采用精细的喷雾洗涤技术处理上述废气，其中洗涤溶液被雾化以产生1至100微米的液滴尺寸的雾。 本发明的另一个特征是将湿表面活性剂在湿式洗涤技术中的应用结合起来，用于处理含酸，碱或二者的废气，特别是低浓度。 本发明的另一个特征是将喷雾塔和/或填充塔和/或其它洗涤器垂直/水平地组合以获得常规控制系统的增强的性能。