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公开(公告)号：US20110073828A1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：US12570286
申请日：2009-09-30
申请人： Qiangfei Xia , Jianhua Yang , Shih-Yuan Wang
发明人： Qiangfei Xia , Jianhua Yang , Shih-Yuan Wang
CPC分类号： H01L45/08 , H01L27/2463 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/16
摘要： A nanoscale switching device comprises at least two electrodes, each of a nanoscale width; and an active region disposed between and in electrical contact with the electrodes, the active region containing a switching material capable of carrying a species of dopants and transporting the dopants under an electrical field, wherein at least one of the electrodes comprises an amorphous conductive material.
摘要翻译： 纳米级切换装置包括至少两个电极，每个电极具有纳米级宽度; 以及设置在电极之间并且与电极电接触的有源区域，所述有源区域包含能够承载一种掺杂剂并在电场下传输掺杂剂的开关材料，其中所述电极中的至少一个包括非晶导电材料。
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公开(公告)号：US20100264397A1
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：US12426647
申请日：2009-04-20
申请人： Qiangfei Xia , Xuema Li , Jianhua Yang
发明人： Qiangfei Xia , Xuema Li , Jianhua Yang
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/14 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675
摘要： A memristive device having a bimetallic electrode includes a memristive matrix, a first electrode and a second electrode. The first electrode is in electrical contact with the memristive matrix and the second electrode is in electrical contact with the memristive matrix and an underlying layer. At least one of the first and second electrodes is a bimetallic electrode which includes a conducting layer and a metallic layer.
摘要翻译： 具有双金属电极的忆阻器包括忆阻基质，第一电极和第二电极。 第一电极与忆阻基质电接触，第二电极与忆阻基质和下层电接触。 第一和第二电极中的至少一个是包括导电层和金属层的双金属电极。
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公开(公告)号：US08575585B2
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：US13382281
申请日：2009-07-13
CPC分类号： H01L45/145 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/146 , H01L45/1616
摘要： A memristive device includes a first electrode, a second electrode crossing the first electrode at a non-zero angle, and an active region disposed between the first and second electrodes. The active region has a controlled defect profile throughout its thickness.
摘要翻译： 忆阻器件包括第一电极，非零角度与第一电极交叉的第二电极以及设置在第一和第二电极之间的有源区。 活性区域在整个厚度上具有受控的缺陷分布。
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公开(公告)号：US08093575B2
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：US12426647
申请日：2009-04-20
申请人： Qiangfei Xia , Xuema Li , Jianhua Yang
发明人： Qiangfei Xia , Xuema Li , Jianhua Yang
IPC分类号： H01L29/02
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/14 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675
摘要： A memristive device having a bimetallic electrode includes a memristive matrix, a first electrode and a second electrode. The first electrode is in electrical contact with the memristive matrix and the second electrode is in electrical contact with the memristive matrix and an underlying layer. At least one of the first and second electrodes is a bimetallic electrode which includes a conducting layer and a metallic layer.
摘要翻译： 具有双金属电极的忆阻器包括忆阻基质，第一电极和第二电极。 第一电极与忆阻基质电接触，第二电极与忆阻基质和下层电接触。 第一和第二电极中的至少一个是包括导电层和金属层的双金属电极。
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公开(公告)号：US08587985B2
公开(公告)日：2013-11-19
申请号：US12896641
申请日：2010-10-01
申请人： Jianhua Yang , John Paul Strachan , Wei Wu , Janice H. Nickel
发明人： Jianhua Yang , John Paul Strachan , Wei Wu , Janice H. Nickel
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0033
摘要： A memory array with graded resistance lines includes a first set of lines intersecting a second set of lines. A line from one of the sets of lines includes a graded resistance along a length of the line.
摘要翻译： 具有分级电阻线的存储器阵列包括与第二组线相交的第一组线。 来自一组线路的线包括沿着该线的长度的分级电阻。
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公开(公告)号：US20130271442A1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：US13445995
申请日：2012-04-13
申请人： Wendi Li , Wei Yi , Wei Wu , Jianhua Yang
发明人： Wendi Li , Wei Yi , Wei Wu , Jianhua Yang
CPC分类号： G09G3/36 , G09G2300/0439
摘要： A flat-panel display system and method are disclosed. The system includes a display controller to generate image data. The system also includes a plurality of memristive pixel cells arranged in a plurality of rows and in a plurality of columns. Each of the plurality of memristive pixel cells includes a memristive device to control a respective pixel associated with the flat panel display based on the image data.
摘要翻译： 公开了一种平板显示系统和方法。 该系统包括用于生成图像数据的显示控制器。 该系统还包括以多行和多列排列的多个忆阻像素单元。 多个忆忆像素单元中的每一个包括基于图像数据来控制与平板显示器相关联的各个像素的忆阻设备。
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公开(公告)号：US08546785B2
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：US12751977
申请日：2010-03-31
申请人： Jianhua Yang , Feng Miao , Wei Wu , Shih-Yuan Wang , R. Stanley Williams
发明人： Jianhua Yang , Feng Miao , Wei Wu , Shih-Yuan Wang , R. Stanley Williams
IPC分类号： H01L27/24
CPC分类号： H01L45/08 , H01L27/2463 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： A memristive device includes a first electrode and a second electrode crossing the first electrode at a non-zero angle. An active region is disposed between the first and second electrodes. The active region has defects therein. Graphene or graphite is disposed between the active region and the first electrode and/or between the active region and the second electrode.
摘要翻译： 忆阻器包括第一电极和第二电极，其以非零角度与第一电极交叉。 有源区设置在第一和第二电极之间。 活性区域有缺陷。 石墨烯或石墨设置在有源区和第一电极之间和/或有源区和第二电极之间。
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公开(公告)号：US20110260135A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：US13130808
申请日：2009-01-14
CPC分类号： H04Q3/521 , B82Y10/00 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1641 , H04Q2213/13003 , H04Q2213/1302 , H04Q2213/1304
摘要： An electrically actuated device (10) comprises an active region (30) disposed between a first electrode (12) and a second electrode (14); a substantially nonrandom distribution of dopant initiators at an interface between the active region and the first electrode; and a substantially nonrandom distribution of dopants in a portion of the active region adjacent to the interface.
摘要翻译： 电驱动装置（10）包括设置在第一电极（12）和第二电极（14）之间的有源区（30）。 在有源区和第一电极之间的界面处的掺杂剂引发剂的基本上非随机分布; 以及在与界面相邻的有源区域的一部分中的掺杂剂的基本非随机分布。
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公开(公告)号：US09184213B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：US12696524
申请日：2010-01-29
申请人： Jianhua Yang , Dmitri Strukov , Wei Wu
发明人： Jianhua Yang , Dmitri Strukov , Wei Wu
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/24 , H01L27/118 , H01L45/00 , G11C13/00 , G11C11/419 , H01L27/115 , H01L27/112
CPC分类号： H01L27/24 , G11C11/419 , G11C13/0007 , G11C13/0009 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/52 , H01L27/11206 , H01L27/115 , H01L27/118 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148
摘要： A nanoscale switching device has an active region containing a switching material capable of carrying a species of dopants and transporting the dopants under an electrical field. The switching device has first, second and third electrodes with nanoscale widths. The active region is disposed between the first and second electrodes. A resistance modifier layer, which has a non-linear voltage-dependent resistance, is disposed between the second and third electrodes.
摘要翻译： 纳米级开关器件具有包含能够承载一种掺杂剂并在电场下传输掺杂剂的开关材料的有源区。 开关器件具有纳米级宽度的第一，第二和第三电极。 有源区设置在第一和第二电极之间。 具有非线性电压依赖性电阻的电阻修饰层设置在第二和第三电极之间。
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公开(公告)号：US09041157B2
公开(公告)日：2015-05-26
申请号：US13130808
申请日：2009-01-14
CPC分类号： H04Q3/521 , B82Y10/00 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1641 , H04Q2213/13003 , H04Q2213/1302 , H04Q2213/1304
摘要： An electrically actuated device comprises an active region disposed between a first electrode and a second electrode, a substantially nonrandom distribution of dopant initiators at an interface between the active region and the first electrode, and a substantially nonrandom distribution of dopants in a portion of the active region adjacent to the interface.
摘要翻译： 电驱动装置包括设置在第一电极和第二电极之间的有源区，在有源区和第一电极之间的界面处的掺杂剂引发剂的基本上非随机分布，以及在活性区的一部分中的掺杂剂的基本上非随机分布 邻近界面的区域。
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