公开(公告)号：US08084187B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12410829

申请日：2009-03-25

申请人： Kazuyoshi Mizutani ,  Toru Tsuchihashi

发明人： Kazuyoshi Mizutani ,  Toru Tsuchihashi

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/028

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/113 ,  Y10S430/114

摘要： Provided is a resist composition including a compound having a molecular weight of 1,000 or less and containing at least one sulfonamide group (—SO2NH—).

摘要翻译： 提供了含有分子量为1000以下且含有至少一个磺酰胺基（-SO 2 NH-）的化合物的抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US20090253070A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12410829

申请日：2009-03-25

申请人： Kazuyoshi Mizutani ,  Toru Tsuchihashi

发明人： Kazuyoshi Mizutani ,  Toru Tsuchihashi

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/113 ,  Y10S430/114

摘要： Provided is a resist composition including a compound having a molecular weight of 1,000 or less and containing at least one sulfonamide group (—SO2NH—).

摘要翻译： 提供了含有分子量为1000以下且含有至少一个磺酰胺基（-SO 2 NH-）的化合物的抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US20100248146A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12672329

申请日：2008-08-01

申请人： Toru Tsuchihashi ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Shuji Hirano ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama

发明人： Toru Tsuchihashi ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Shuji Hirano ,  Jiro Yokoyama ,  Shinichi Sugiyama

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F8/12 ,  C08F12/22 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F2800/10 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/146 ,  C08F220/18 ,  C08F2220/1825 ,  C08F220/14

摘要： A positive resist composition comprising (A) a resin which contains all of the repeating units represented by formulae (I) to (III), and becomes soluble in an alkali developer by the action of an acid, and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; and a pattern forming method using the composition. A represents a group capable of decomposing and leaving by the action of an acid, each R1 independently represents hydrogen or a methyl group, R2 represents a phenyl group or a cyclohexyl group, m represents 1 or 2, and n represents an integer of 0 to 2. By virtue of this construction, a resist composition ensuring high resolution, good pattern profile, sufficient depth of focus, little defects after development, and sufficiently high plasma etching resistance is provided.

摘要翻译： 一种正型抗蚀剂组合物，其包含（A）含有由式（I）至（III）表示的所有重复单元的树脂，并且通过酸的作用变得可溶于碱性显影剂，和（B）能够 在用光化射线或辐射照射时产生酸; 以及使用该组合物的图案形成方法。 A表示能够通过酸的分解和离去的基团，每个R 1独立地表示氢或甲基，R 2表示苯基或环己基，m表示1或2，n表示0〜 通过这种结构，提供了确保高分辨率，良好的图案轮廓，足够的焦深，显影后的小缺陷以及足够高的耐等离子体耐蚀刻性的抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US20070218406A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11717618

申请日：2007-03-14

申请人： Kazuyoshi Mizutani ,  Kaoro Iwato ,  Kunihiko Kodama ,  Masaomi Makino ,  Toru Tsuchihashi

发明人： Kazuyoshi Mizutani ,  Kaoro Iwato ,  Kunihiko Kodama ,  Masaomi Makino ,  Toru Tsuchihashi

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： A resist composition, which comprises: (A) a resin containing a repeating unit represented by formula (I); and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation: wherein AR represents an aryl group; Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group; and A represents an atom or group selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group and an alkyloxycarbonyl group, and a pattern forming method using the resist composition.

摘要翻译： 一种抗蚀剂组合物，其包含：（A）含有由式（I）表示的重复单元的树脂; 和（B）能够在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物：其中AR表示芳基; Rn表示烷基，环烷基或芳基; A表示选自氢原子，烷基，卤素原子，氰基和烷氧基羰基的原子或基团，以及使用该抗蚀剂组合物的图案形成方法。

公开(公告)号：US08906600B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13561540

申请日：2012-07-30

申请人： Toru Tsuchihashi ,  Michihiro Shibata

发明人： Toru Tsuchihashi ,  Michihiro Shibata

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F1/68 ,  G03F7/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40 ,  B82Y40/00

CPC分类号： G03F1/68 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F8/14 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/405 ,  Y10T428/24802 ,  C08F212/14

摘要： A resist pattern forming method includes: in the following order, (1) a step of forming a film on a substrate by using a positive resist composition; (2) a step of exposing the film; and (4) a step of performing development by using an alkali developer after the exposing, wherein the positive resist composition contains (A) a polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (I) as defined in the specification, a thickness of the film formed in the step (1) is from 15 to 40 nm, and an alkali component concentration in the alkali developer is from 0.5 to 1.1 mass %.

摘要翻译： 抗蚀剂图形形成方法包括：按以下顺序，（1）通过使用正性抗蚀剂组合物在基板上形成膜的步骤; （2）曝光胶片的步骤; （4）通过使用曝光后的碱性显影剂进行显影的工序，其中正型抗蚀剂组合物含有（A）具有如本说明书中定义的下式（I）表示的重复单元的高分子化合物，其厚度 的步骤（1）中形成的膜为15〜40nm，碱显影剂中的碱成分浓度为0.5〜1.1质量％。

公开(公告)号：US08900791B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US13071153

申请日：2011-03-24

申请人： Tomotaka Tsuchimura ,  Koji Shirakawa ,  Toru Tsuchihashi ,  Hideaki Tsubaki

发明人： Tomotaka Tsuchimura ,  Koji Shirakawa ,  Toru Tsuchihashi ,  Hideaki Tsubaki

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/028 ,  C07C309/25 ,  C07C309/28 ,  C07C309/42 ,  C07C309/29 ,  C07C309/35 ,  C07C309/38 ,  C07C309/39 ,  C07C309/44 ,  C07C309/59 ,  C07C323/66 ,  C07C381/12 ,  C07D209/82 ,  C07D339/08 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： C07C309/42 ,  C07C309/25 ,  C07C309/29 ,  C07C309/35 ,  C07C309/38 ,  C07C309/39 ,  C07C309/44 ,  C07C309/59 ,  C07C323/66 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/02 ,  C07C2601/04 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2601/18 ,  C07C2602/28 ,  C07C2602/42 ,  C07C2602/44 ,  C07C2603/24 ,  C07C2603/28 ,  C07C2603/74 ,  C07D209/82 ,  C07D339/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/122

摘要： An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes any of the compounds of general formula (I) below; wherein: Ar represents an aromatic ring that may have a substituent other than the -(A-B) groups; n is an integer of 1 or greater; A represents any one, or a combination of two or more members selected from a single bond, an alkylene group, —O—, —S—, —C(═O)—, —S(═O)—, —S(═O)2— and —OS(═O)2—, provided that —C(═O)O— is excluded; B represents a group containing a hydrocarbon group having 4 or more carbon atoms wherein either a tertiary or a quaternary carbon atom is contained, when n is 2 or greater, the two or more -(A-B) groups may be identical to or different from each other; and M+ represents an organic onium ion.

摘要翻译： 光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物包含下列通式（I）的任何化合物; 其中：Ar表示可以具有除 - （A-B）基团以外的取代基的芳香环; n是1或更大的整数; A表示选自单键，亚烷基，-O - ， - S - ， - C（= O） - ， - S（= O） - ， - S（ ≡O）2-和-OS（ΟO）2-，条件是不包括-C（= O）O-; B表示含有具有4个以上碳原子的烃基，其中含有叔或季碳原子的基团，当n为2以上时，两个以上（AB）基可以相同或不同， 其他; M +表示有机鎓离子。

公开(公告)号：US20110287234A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US13146976

申请日：2010-01-29

申请人： Toru Tsuchihashi ,  Tadateru Yatsuo ,  Koji Shirakawa ,  Hideaki Tsubaki ,  Akira Asano

发明人： Toru Tsuchihashi ,  Tadateru Yatsuo ,  Koji Shirakawa ,  Hideaki Tsubaki ,  Akira Asano

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  B32B3/14 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/325

摘要： A resist pattern forming method including in the following order, (1) a step of forming a film by using a negative chemical-amplification resist composition capable of undergoing negative conversion by a crosslinking reaction, (2) a step of exposing the film, and (4) a step of developing the exposed film by using a developer containing an organic solvent; a developer and a negative chemical-amplification resist composition used therefor; and a resist pattern formed by the pattern forming method.

摘要翻译： 一种抗蚀剂图案形成方法，包括以下顺序：（1）通过使用能够通过交联反应进行负转化的负性化学增幅抗蚀剂组合物形成膜的步骤，（2）曝光所述膜的步骤，以及 （4）通过使用含有有机溶剂的显影剂使曝光的膜显影的步骤; 用于此的显影剂和负化学放大抗蚀剂组合物; 以及通过图案形成方法形成的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US06894108B1

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：US09926557

申请日：2000-09-20

申请人： Toshihiro Kasai ,  Toru Tsuchihashi

发明人： Toshihiro Kasai ,  Toru Tsuchihashi

IPC分类号： C08J3/12 ,  C08K3/00

CPC分类号： C08J3/122 ,  C08J3/12 ,  C08J2333/12

摘要： This invention relates to a fine particle of polymer for a plastisol free from halogen atoms and having a specific surface area of 0.6 to 20.0 m2/g as determined by nitrogen-gas adsorption and a non-halogenated plastisol composition therefrom. This invention can provide a non-halogenated plastisol composition which does not generate toxic substances during incineration, is suitable as a coating material or sealant, and has a low viscosity, resulting in good workability and processability.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于不含卤素原子并且通过氮气吸附测定的比表面积为0.6至20.0m 2 / g的增塑溶胶的聚合物微粒和非卤化增塑溶胶 组合物。 本发明可以提供在焚烧期间不产生有毒物质的非卤化增塑溶胶组合物，适合作为涂料或密封剂，并且具有低粘度，导致良好的加工性和加工性。

公开(公告)号：US08889339B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US14035484

申请日：2013-09-24

申请人： Toru Tsuchihashi ,  Tadateru Yatsuo ,  Koutarou Takahashi ,  Tomotaka Tsuchimura

发明人： Toru Tsuchihashi ,  Tadateru Yatsuo ,  Koutarou Takahashi ,  Tomotaka Tsuchimura

IPC分类号： G03F1/50 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  C08F8/14 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08J3/24 ,  G03F7/038 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/20 ,  C08F8/14 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08J3/24 ,  C08J2325/18 ,  G03F1/50 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/325 ,  Y10S430/143 ,  C08F212/32

摘要： A resist pattern forming method contains: in the following order, (1) forming a resist film by using a negative chemical amplification resist composition containing (A) a polymer compound having a repeating unit represented by formula (1) as defined in the specification, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation and (C) a crosslinking agent capable of crosslinking the polymer compound (A) by an action of an acid; (2) exposing the resist film, so as to form an exposed resist film; and (4) developing the exposed resist film by using a developer containing an organic solvent.

摘要翻译： 抗蚀剂图案形成方法包括：（1）通过使用含有（A）具有如说明书中定义的由式（1）表示的重复单元的高分子化合物的负性化学增幅抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜， （B）能够通过光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物和（C）能够通过酸的作用使高分子化合物（A）交联的交联剂; （2）使抗蚀剂膜曝光，形成曝光的抗蚀剂膜; 和（4）通过使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光的抗蚀剂膜。

公开(公告)号：US08546063B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13202389

申请日：2010-02-19

申请人： Hideaki Tsubaki ,  Koji Shirakawa ,  Toru Tsuchihashi

发明人： Hideaki Tsubaki ,  Koji Shirakawa ,  Toru Tsuchihashi

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/322

摘要： Provided is a pattern-forming method including, in the following order: (1) a process of forming a film with an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising a resin which contains an acid-decomposable repeating unit and is capable of decreasing the solubility in an organic solvent by the action of an acid; (2) a process of exposing the film with an electron beam or an EUV ray; and (4) a process of developing the film with a developer containing an organic solvent.

摘要翻译： 提供了一种图案形成方法，其包括以下顺序：（1）用含有光敏性或辐射敏感性树脂组合物形成膜的方法，所述树脂组合物包含含有酸可分解重复单元的树脂，并且能够 通过酸的作用降低有机溶剂中的溶解度; （2）用电子束或EUV射线曝光胶片的方法; 和（4）用含有机溶剂的显影剂显影该膜的方法。