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    Low-pressure deposition of metal layers from metal-carbonyl precursors
    11.
    发明申请
    Low-pressure deposition of metal layers from metal-carbonyl precursors 有权
    金属 - 羰基前驱体金属层的低压沉积

    公开(公告)号：US20050070100A1

    公开(公告)日：2005-03-31

    申请号：US10673908

    申请日：2003-09-30

    申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

    发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert Leusink ,  Fenton McFeely ,  Sandra Malhotra

    IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/44

    CPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/28556

    摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process includes introducing a process gas containing a metal carbonyl precursor in a process chamber and depositing a metal layer on a substrate. The TCVD process utilizes a short residence time for the gaseous species in the processing zone above the substrate to form a low-resistivity metal layer. In one embodiment of the invention, the metal carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12 precursors. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing low-resistivity W layers at substrate temperatures below about 500° C., by utilizing a residence time less than about 120 msec.

    摘要翻译： 通过热化学气相沉积（TCVD）方法在金属层上沉积金属层的方法包括在处理室中引入含有羰基金属前驱体的工艺气体并在基底上沉积金属层。 TCVD工艺利用在衬底上方的处理区域中的气态物质的短暂停留时间以形成低电阻率金属层。 在本发明的一个实施方案中，金属羰基前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO）6，Co 2（CO）8，Rh 4（CO）12，Re 2 （CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）12前体）。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种通过利用小于约120毫秒的停留时间在低于约500℃的衬底温度下沉积低电阻W层的方法。

    Manufacturable high-k DRAM MIM capacitor structure
    16.
    发明授权
    Manufacturable high-k DRAM MIM capacitor structure 有权
    可制造的高k DRAM MIM电容器结构

    公开(公告)号：US08765570B2

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：US13494808

    申请日：2012-06-12

    申请人： Sandra Malhotra ,  Wim Deweerd ,  Hiroyuki Ode

    发明人： Sandra Malhotra ,  Wim Deweerd ,  Hiroyuki Ode

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

    摘要： A method for forming a capacitor stack is described. In some embodiments of the present invention, a first dielectric material is formed above a first electrode material. The first electrode material is rigid and has good mechanical strength and serves as a robust frame for the capacitor stack. The first dielectric material is sufficiently thin ( 3 nm) or lightly doped or non-doped so that it crystallizes after subsequent anneal treatments. A second electrode material is formed adjacent to the second dielectric material. The second electrode material has a high work function and a crystal structure that serves to promote the formation of the high k-value crystal structure of the second dielectric material.

    摘要翻译： 描述形成电容器堆叠的方法。 在本发明的一些实施例中，第一电介质材料形成在第一电极材料之上。 第一电极材料是刚性的并且具有良好的机械强度并且用作用于电容器叠层的坚固框架。 第一介电材料足够薄（<2nm）或高度掺杂，使得在随后的退火处理之后其保持非晶态。 在第一电介质材料上方形成第二电介质材料。 第二介电材料足够厚（> 3nm）或轻掺杂或未掺杂，使得其在随后的退火处理之后结晶。 与第二电介质材料相邻地形成第二电极材料。 第二电极材料具有高功函数和用于促进形成第二电介质材料的高k值晶体结构的晶体结构。

    Method of forming an ALD material
    18.
    发明授权
    Method of forming an ALD material 有权
    形成ALD材料的方法

    公开(公告)号：US08563392B2

    公开(公告)日：2013-10-22

    申请号：US13310980

    申请日：2011-12-05

    申请人： Sandra Malhotra ,  Wim Deweerd ,  Edward Haywood ,  Hiroyuki Ode

    发明人： Sandra Malhotra ,  Wim Deweerd ,  Edward Haywood ,  Hiroyuki Ode

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： C23C16/45534 ,  C23C16/405 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/60

    摘要： In some embodiments of the present invention, methods are developed wherein a gas flow of an electron donating compound (EDC) is introduced in sequence with a precursor pulse and alters the deposition of the precursor material. In some embodiments, the EDC pulse is introduced sequentially with the precursor pulse with a purge step used to remove the non-adsorbed EDC from the process chamber before the precursor is introduced. In some embodiments, the EDC pulse is introduced using a vapor draw technique or a bubbler technique. In some embodiments, the EDC pulse is introduced in the same gas distribution manifold as the precursor pulse. In some embodiments, the EDC pulse is introduced in a separate gas distribution manifold from the precursor pulse.

    摘要翻译： 在本发明的一些实施方案中，开发了一种方法，其中给电子化合物（EDC）的气流按前驱脉冲依次导入并改变前体材料的沉积。 在一些实施方案中，EDC脉冲依次与前体脉冲一起引入，其中吹扫步骤用于在引入前体之前从处理室去除未吸附的EDC。 在一些实施例中，使用蒸汽抽吸技术或起泡器技术引入EDC脉冲。 在一些实施例中，EDC脉冲被引入与前驱脉冲相同的气体分配歧管中。 在一些实施例中，EDC脉冲从前驱脉冲引入到单独的气体分配歧管中。