公开(公告)号：US5144128A

公开(公告)日：1992-09-01

申请号：US649898

申请日：1991-02-01

申请人： Tsuyoshi Hasegawa ,  Sumio Hosaka ,  Shigeyuki Hosoki ,  Yukio Honda ,  Masakazu Ichikawa

发明人： Tsuyoshi Hasegawa ,  Sumio Hosaka ,  Shigeyuki Hosoki ,  Yukio Honda ,  Masakazu Ichikawa

IPC分类号： G01N23/00 ,  G01N27/00 ,  G01Q10/06 ,  G01Q20/00 ,  G01Q30/02 ,  G01Q30/16 ,  G01Q60/00 ,  G01Q70/02 ,  H01J37/252

CPC分类号： G01Q10/06 ,  B82Y35/00 ,  G01Q20/00 ,  G01Q30/16 ,  G01Q70/02 ,  Y10S977/852 ,  Y10S977/86 ,  Y10S977/861 ,  Y10S977/863 ,  Y10S977/873

摘要： An atomic force microscope is provided for sensing displacement of a cantilever based on scanning tunneling microscopy. The atomic force microscope includes a cantilever moving system which allows the cantilever to be moved or slipped between an STM tip and a sample. This results in the microscope being able to carry out atomic force microscopy and tunneling microscopy without changing a single STM tip and to control the very small force between the sample and the tip to be constant.

公开(公告)号：US06876602B2

公开(公告)日：2005-04-05

申请号：US10368012

申请日：2003-02-19

申请人： Masakazu Ichikawa ,  Isao Kitazawa ,  Masao Sakuyama ,  Tomio Okigami

发明人： Masakazu Ichikawa ,  Isao Kitazawa ,  Masao Sakuyama ,  Tomio Okigami

IPC分类号： G04G19/00 ,  G01R31/36 ,  G04C10/02 ,  G04C10/04 ,  H02J7/00

CPC分类号： G04C10/04 ,  G04C10/02 ,  Y10S320/21

摘要： A first voltage detector detects whether the voltage of a secondary cell has reached to 1.2V and a first timer counts a time duration for which the voltage is equal to or above 1.2V. If the time counted by the first timer reaches one hour, a second timer starts counting time for one hour. An amount of charge accumulated in the secondary cell is displays after counting of the one hour by the second timer is over. As a result, an accurate display of the amount of charge accumulated in the secondary cell can be achieved.

摘要翻译： 第一电压检测器检测二次电池的电压是否达到1.2V，并且第一定时器计数电压等于或高于1.2V的持续时间。 如果第一计时器计时的时间达到1小时，则第二计时器开始计时1小时。 在第二计时器的计数1小时结束之后，显示在二次电池中累积的电量。 结果，可以实现二次电池中累积的电荷量的精确显示。

公开(公告)号：US5940348A

公开(公告)日：1999-08-17

申请号：US66372

申请日：1998-06-08

申请人： Tomomi Murakami ,  Masakazu Ichikawa ,  Norio Miyauchi

发明人： Tomomi Murakami ,  Masakazu Ichikawa ,  Norio Miyauchi

IPC分类号： G04G13/02 ,  G04C10/04 ,  G04C21/02 ,  G04G19/08 ,  G04G19/12 ,  G04G99/00 ,  H02J1/00 ,  G04B47/06 ,  G04B9/00 ,  G04B23/02

CPC分类号： G04G19/08 ,  G04C10/04 ,  G04C21/02

摘要： An electronic timepiece in accordance with the present invention includes a time clocking circuit for counting reference signals from a reference signal generating circuit to provide time information as its output; a warning device for warning the user of a specific time, by use of vibrations or a buzzer, on the basis of time information derived from the time clocking circuit; and a timepiece state detection device for detecting the states of the temperature and the power source voltage of the timepiece and, if the detection values deviate from predetermined values, the detection device operates to stop the warning action of the warning means. The timings of time information derived from the time clocking circuit differ from each other between when the timepiece state detection device has detected a low temperature of the timepiece and when it has detected a low voltage at the power source, and differ from the time information timing at the normal state. This prevents any batteries' consumption which may otherwise be caused by the meaningless warning, and makes it possible to inform the user of the states of the timepiece through the movement of the hands.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP97 / 03034 Sec。 371日期：1998年4月30日 102（e）1998年4月30日PCT PCT 1997年8月29日PCT公布。 出版物WO98 / 09202 1998年3月5日根据本发明的电子钟表包括用于对来自参考信号发生电路的参考信号进行计数以提供时间信息作为其输出的时间计时电路; 基于来自时刻电路的时间信息，通过使用振动或蜂鸣器来警告用户特定时间的警告装置; 以及钟表状态检测装置，用于检测时钟的温度和电源电压的状态，并且如果检测值偏离预定值，则检测装置操作以停止警告装置的警告动作。 来自时钟电路的时间信息的定时在钟表状态检测装置已经检测到时钟的低温时和在电源处检测到低电压之间彼此不同，并且与时间信息定时不同 在正常状态。 这可以防止由无意义的警告引起的任何电池的消耗，并且可以通过手的移动来通知用户该钟表的状态。

公开(公告)号：US5746826A

公开(公告)日：1998-05-05

申请号：US347416

申请日：1994-12-02

申请人： Tsuyoshi Hasegawa ,  Shigeyuki Hosoki ,  Makiko Kohno ,  Masakazu Ichikawa ,  Hitoshi Nakahara ,  Toshiyuki Usagawa

发明人： Tsuyoshi Hasegawa ,  Shigeyuki Hosoki ,  Makiko Kohno ,  Masakazu Ichikawa ,  Hitoshi Nakahara ,  Toshiyuki Usagawa

IPC分类号： G01Q60/10 ,  G01Q60/58 ,  G01Q80/00 ,  H01L21/205 ,  C30B25/04

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  Y10S117/913 ,  Y10S977/855

摘要： Utilizing rugged pattern of atomic size present on a crystalline substrate of a semiconductor such as silicon or selenium or the like, a microstructure body is produced on the substrate by forming a layer of a first element of one monolayer or less by arranging at the position of the substrate most stable in energy formed by ruggedness the atoms of the first element such as gold, silver, copper, nickel, palladium, platinum or an element of group IV and then depositing successively atoms of at least one second element of group III, group IV and group V on only at a part of the surface of the substrate on which said layer of one monolayer or less by vapor deposition, sputtering or the like.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP94 / 00561 Sec。 371日期1994年12月2日第 102（e）1994年12月2日PCT PCT 1994年4月5日PCT公布。 公开号WO94 / 23445 日期1994年10月13日利用存在于诸如硅或硒等半导体的晶体衬底上的原子尺寸的粗糙图案，通过以下方式在基板上形成微结构体：通过形成一层单层或更小的第一元素层， 布置在基底最稳定的能量位置上，该能量由第一元素的原子如金，银，铜，镍，钯，铂或IV族元素的粗糙度形成，然后连续沉积至少一个第二元素的原子 仅在通过气相沉积，溅射等在其上存在一层或更少层的一层以上的基板表面的一部分上的III族，IV族和V族。

公开(公告)号：US5689494A

公开(公告)日：1997-11-18

申请号：US441700

申请日：1995-05-15

申请人： Masakazu Ichikawa ,  Shigeyuki Hosoki ,  Fumihiko Uchida ,  Shigeo Kato ,  Yoshihisa Fujisaki ,  Sumiko Fujisaki ,  Atsushi Kikugawa ,  Ryo Imura ,  Hajime Aoi ,  Kiyokazu Nakagawa ,  Eiichi Murakami

发明人： Masakazu Ichikawa ,  Shigeyuki Hosoki ,  Fumihiko Uchida ,  Shigeo Kato ,  Yoshihisa Fujisaki ,  Sumiko Fujisaki ,  Atsushi Kikugawa ,  Ryo Imura ,  Hajime Aoi ,  Kiyokazu Nakagawa ,  Eiichi Murakami

IPC分类号： B82B3/00 ,  G01Q60/00 ,  G01Q80/00 ,  G01Q90/00 ,  G11B9/00 ,  G11B11/08 ,  G11B33/14 ,  H01J37/30 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317 ,  G11B7/00

CPC分类号： G11B9/1436 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B11/08 ,  G11B33/14 ,  G11B9/00 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1418 ,  G11B9/1445 ,  G11B9/1463 ,  G11B9/1472 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3174 ,  G01Q80/00 ,  H01J2237/31738 ,  H01J2237/31759 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/947

摘要： A fine-fabrication method of solid surfaces relates to a new surface fabrication method allows a solid-device surface to be fabricated at an atomic scale so as to produce an ultra-fine device or a device for recording information at an ultra-high density. A probe is installed with a tip thereof facing to the surface of a specimen to undergo fabrication. A voltage for forming an electric field is applied between the probe and the specimen. The electric field is large enough to field-evaporate atoms constituting the specimen or the probe; the electric field field-evaporates atoms constituting the specimen, removing them from the surface of the specimen; and as another alternative, the electric field field-evaporates atoms constituting the probe, depositing them on the surface of the specimen. Further, in another surface atom fabrication method, while the surface of a specimen is observed at an atomic scale using a surface observation technique by means of a scanning tunnelling microscope, a pulsative voltage large enough for the field evaporation of atoms described above is applied between the probe and the specimen at any arbitrary desired positions on the surface of the specimen; and the pulsative voltage field-evaporates and, hence, eliminates atoms one by one from the surface of the specimen.

摘要翻译： 固体表面的精细制造方法涉及新的表面制造方法，可以以原子尺度制造固体器件表面，以便产生超细的器件或以超高密度记录信息的器件。 安装探针，其尖端面向样品的表面进行制造。 在探针和样品之间施加用于形成电场的电压。 电场足够大以使构成样品或探针的原子挥发蒸发; 电场场蒸发构成样品的原子，将其从试样的表面除去; 并且作为另一种替代方案，电场场蒸发构成探针的原子，将它们沉积在样品的表面上。 此外，在另一表面原子制造方法中，利用扫描隧道显微镜利用表面观察技术以原子尺度观察试样的表面，在上述原子的场蒸发之前足够大的脉动电压被施加在 探针和样品在样品表面上任意任意的位置; 并且脉动电压场蒸发，因此从样品的表面逐个消除原子。

公开(公告)号：US5416331A

公开(公告)日：1995-05-16

申请号：US934672

申请日：1992-09-11

申请人： Masakazu Ichikawa ,  Shigeyuki Hosoki ,  Fumihiko Uchida ,  Shigeo Kato ,  Yoshihisa Fujisaki ,  Sumiko Fujisaki ,  Atsushi Kikugawa ,  Ryo Imura ,  Hajime Aoi ,  Kiyokazu Nakagawa ,  Eiichi Murakami

发明人： Masakazu Ichikawa ,  Shigeyuki Hosoki ,  Fumihiko Uchida ,  Shigeo Kato ,  Yoshihisa Fujisaki ,  Sumiko Fujisaki ,  Atsushi Kikugawa ,  Ryo Imura ,  Hajime Aoi ,  Kiyokazu Nakagawa ,  Eiichi Murakami

IPC分类号： B82B3/00 ,  G01Q60/00 ,  G01Q80/00 ,  G01Q90/00 ,  G11B9/00 ,  G11B11/08 ,  G11B33/14 ,  H01J37/30 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317

CPC分类号： G11B9/1436 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B11/08 ,  G11B33/14 ,  G11B9/00 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1418 ,  G11B9/1445 ,  G11B9/1463 ,  G11B9/1472 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3174 ,  G01Q80/00 ,  H01J2237/31738 ,  H01J2237/31759 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/947

摘要： A fine-fabrication method of solid surfaces relates to a new surface fabrication method allows a solid-device surface to be fabricated at an atomic scale so as to produce an ultra-fine device or a device for recording information at an ultra-high density. A probe is installed with a tip thereof facing to the surface of a specimen to undergo fabrication. A voltage for forming an electric field is applied between the probe and the specimen. The electric field is large enough to field-evaporate atoms constituting the specimen or the probe; the electric field field-evaporates atoms constituting the specimen, removing them from the surface of the specimen; and as another alternative, the electric field field-evaporates atoms constituting the probe, depositing them on the surface of the specimen. Further, in another surface atom fabrication method, while the surface of a specimen is observed at an atomic scale using a surface observation technique by means of a scanning tunnelling microscope, a pulsative voltage large enough for the field evaporation of atoms described above is applied between the probe and the specimen at any arbitrary desired positions on the surface of the specimen; and the pulsative voltage field-evaporates and, hence, eliminates atoms one by one from the surface of the specimen.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP92 / 00015 Sec。 371日期：1992年9月11日 102（e）1992年9月11日PCT PCT 1991年1月10日PCT公布。 公开号WO92 / 12528 日期：1992年7月23日。固体表面的精细制造方法涉及新的表面制造方法，可以以原子尺度制造固体器件表面，以便制造超精细器件或用于记录信息的器件 超高密度。 安装探针，其尖端面向样品的表面进行制造。 在探针和样品之间施加用于形成电场的电压。 电场足够大以使构成样品或探针的原子挥发蒸发; 电场场蒸发构成样品的原子，将其从试样的表面除去; 并且作为另一种替代方案，电场场蒸发构成探针的原子，将它们沉积在样品的表面上。 此外，在另一表面原子制造方法中，利用扫描隧道显微镜利用表面观察技术以原子尺度观察试样的表面，在上述原子的场蒸发之前足够大的脉动电压被施加在 探针和样品在样品表面上任意任意的位置; 并且脉动电压场蒸发，因此从样品的表面逐个消除原子。