公开(公告)号：US20090045429A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US12076311

申请日：2008-03-17

申请人： Bo-soo Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  Young-soo Park ,  Myoung-jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Bo-soo Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  Young-soo Park ,  Myoung-jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L29/242 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/8618

摘要： Provided are a diode structure and a memory device including the same. The diode structure includes: a first electrode; a p-type Cu oxide layer formed on the first electrode; an n-type InZn oxide layer formed on the p-type Cu oxide layer; and a second electrode formed on the n-type InZn oxide.

摘要翻译： 提供二极管结构和包括该二极管结构的存储器件。 二极管结构包括：第一电极; 形成在所述第一电极上的p型Cu氧化物层; 形成在p型Cu氧化物层上的n型InZn氧化物层; 以及形成在n型InZn氧化物上的第二电极。

公开(公告)号：US20090184305A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12230223

申请日：2008-08-26

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： A resistive memory device includes a first electrode and a first insulation layer arranged on the first electrode. A portion of the first electrode is exposed through a first hole in the first insulation layer. A first variable resistance layer contacts the exposed portion of the first electrode and extends on the first insulation layer around the first hole. A first switching device electrically connects to the first resistive switching layer.

摘要翻译： 电阻式存储器件包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。 第一电极的一部分通过第一绝缘层中的第一孔露出。 第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分并在第一绝缘层周围在第一孔周围延伸。 第一开关装置电连接到第一电阻开关层。

公开(公告)号：US20090184396A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12289069

申请日：2008-10-20

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/441

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： Provided are resistive random access memories (RRAMs) and methods of manufacturing the same. A RRAM includes a storage node including a variable resistance layer, a switching device connected to the storage node, and a protective layer covering an exposed part of the variable resistance layer. The protective layer includes at least one of aluminum oxide and titanium oxide. The variable resistance layer is a metal oxide layer.

摘要翻译： 提供了电阻随机存取存储器（RRAM）及其制造方法。 RRAM包括存储节点，包括可变电阻层，连接到存储节点的开关装置和覆盖可变电阻层的暴露部分的保护层。 保护层包括氧化铝和氧化钛中的至少一种。 可变电阻层是金属氧化物层。

公开(公告)号：US20080296550A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12149809

申请日：2008-05-08

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253

摘要： Provided may be a resistive random access memory (RRAM) device and methods of manufacturing and operating the same. The resistive random access memory device may include at least one first electrode, at least one second electrode spaced apart from the at least one first electrode, a first structure including a first resistance-changing layer between the at least one first and second electrodes, and a first switching element electrically connected to the first resistance-changing layer, wherein at least one of the first and second electrodes include an alloy layer having a noble metal and a base metal.

摘要翻译： 提供可以是电阻随机存取存储器（RRAM）装置及其制造和操作方法。 电阻式随机存取存储器件可以包括至少一个第一电极，与至少一个第一电极间隔开的至少一个第二电极，包括在至少一个第一和第二电极之间的第一电阻变化层的第一结构，以及 电连接到第一电阻变化层的第一开关元件，其中第一和第二电极中的至少一个包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：US08853759B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US12230223

申请日：2008-08-26

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： A resistive memory device includes a first electrode and a first insulation layer arranged on the first electrode. A portion of the first electrode is exposed through a first hole in the first insulation layer. A first variable resistance layer contacts the exposed portion of the first electrode and extends on the first insulation layer around the first hole. A first switching device electrically connects to the first resistive switching layer.

摘要翻译： 电阻式存储器件包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。 第一电极的一部分通过第一绝缘层中的第一孔露出。 第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分并在第一绝缘层周围在第一孔周围延伸。 第一开关装置电连接到第一电阻开关层。

公开(公告)号：US08173989B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12149809

申请日：2008-05-08

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L47/00 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/76 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253

摘要： Provided may be a resistive random access memory (RRAM) device and methods of manufacturing and operating the same. The resistive random access memory device may include at least one first electrode, at least one second electrode spaced apart from the at least one first electrode, a first structure including a first resistance-changing layer between the at least one first and second electrodes, and a first switching element electrically connected to the first resistance-changing layer, wherein at least one of the first and second electrodes include an alloy layer having a noble metal and a base metal.

摘要翻译： 提供可以是电阻随机存取存储器（RRAM）装置及其制造和操作方法。 电阻式随机存取存储器件可以包括至少一个第一电极，与至少一个第一电极间隔开的至少一个第二电极，包括在至少一个第一和第二电极之间的第一电阻变化层的第一结构，以及 电连接到第一电阻变化层的第一开关元件，其中第一和第二电极中的至少一个包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：US08169053B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12289069

申请日：2008-10-20

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： Provided are resistive random access memories (RRAMs) and methods of manufacturing the same. A RRAM includes a storage node including a variable resistance layer, a switching device connected to the storage node, and a protective layer covering an exposed part of the variable resistance layer. The protective layer includes at least one of aluminum oxide and titanium oxide. The variable resistance layer is a metal oxide layer.

摘要翻译： 提供了电阻随机存取存储器（RRAM）及其制造方法。 RRAM包括存储节点，包括可变电阻层，连接到存储节点的开关装置和覆盖可变电阻层的暴露部分的保护层。 保护层包括氧化铝和氧化钛中的至少一种。 可变电阻层是金属氧化物层。

公开(公告)号：US07176488B2

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：US10748271

申请日：2003-12-31

申请人： Do-young Kim ,  Wan-jun Park ,  Young-soo Park ,  June-key Lee ,  Yo-sep Min ,  Jang-yeon Kwon ,  Sun-ae Seo ,  Young-min Choi ,  Soo-doo Chae

发明人： Do-young Kim ,  Wan-jun Park ,  Young-soo Park ,  June-key Lee ,  Yo-sep Min ,  Jang-yeon Kwon ,  Sun-ae Seo ,  Young-min Choi ,  Soo-doo Chae

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： In a thin film semiconductor device realized on a flexible substrate, an electronic device using the same, and a manufacturing method thereof, the thin film semiconductor device and an electronic device include a flexible substrate, a semiconductor chip, which is formed on the flexible substrate, and a protective cap, which seals the semiconductor chip. Durability of the thin film semiconductor device against stress due to bending of the substrate is improved by using the protective cap.

摘要翻译： 在柔性基板上实现的薄膜半导体器件，使用该薄膜半导体器件的电子器件及其制造方法中，薄膜半导体器件和电子器件包括柔性基板，形成在柔性基板上的半导体芯片 以及密封半导体芯片的保护盖。 通过使用保护盖，可以提高薄膜半导体器件对由于基板弯曲引起的应力的耐久性。

公开(公告)号：US08130530B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12591774

申请日：2009-12-01

申请人： Ung-hwan Pi ,  Young-soo Park ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Sung-chul Lee ,  Ji-young Bae

发明人： Ung-hwan Pi ,  Young-soo Park ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Sung-chul Lee ,  Ji-young Bae

IPC分类号： G11C19/00

CPC分类号： G11C19/0841 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

摘要： Provided are information storage devices using movement of magnetic domain walls and methods of operating information storage devices. An information storage device includes a magnetic track and an operating unit. The magnetic track includes a plurality of magnetic domains separated by magnetic domain walls. The size of the operating unit is sufficient to cover at least two adjacent magnetic domains. And, the operating unit may be configured to write/read information to/from a single magnetic domain as well as a plurality of magnetic domains of the magnetic track.

摘要翻译： 提供了使用磁畴壁移动的信息存储装置和操作信息存储装置的方法。 信息存储装置包括磁道和操作单元。 磁道包括由磁畴壁分开的多个磁畴。 操作单元的尺寸足以覆盖至少两个相邻的磁畴。 并且，操作单元可以被配置为向/从单个磁畴以及磁道的多个磁畴写入/读取信息。

公开(公告)号：US20070172999A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11702057

申请日：2007-02-05

申请人： Do-young Kim ,  Wan-jun Park ,  Young-soo Park ,  June-key Lee ,  Yo-sep Min ,  Jang-yeon Kwon ,  Sun-ae Seo ,  Young-min Choi ,  Soo-doo Chae

发明人： Do-young Kim ,  Wan-jun Park ,  Young-soo Park ,  June-key Lee ,  Yo-sep Min ,  Jang-yeon Kwon ,  Sun-ae Seo ,  Young-min Choi ,  Soo-doo Chae

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： In a thin film semiconductor device realized on a flexible substrate, an electronic device using the same, and a manufacturing method thereof, the thin film semiconductor device and an electronic device include a flexible substrate, a semiconductor chip, which is formed on the flexible substrate, and a protective cap, which seals the semiconductor chip. Durability of the thin film semiconductor device against stress due to bending of the substrate is improved by using the protective cap.

摘要翻译： 在柔性基板上实现的薄膜半导体器件，使用该薄膜半导体器件的电子器件及其制造方法中，薄膜半导体器件和电子器件包括柔性基板，形成在柔性基板上的半导体芯片 以及密封半导体芯片的保护盖。 通过使用保护盖，可以提高薄膜半导体器件对由于基板弯曲引起的应力的耐久性。