公开(公告)号：US07473614B2

公开(公告)日：2009-01-06

申请号：US10987775

申请日：2004-11-12

申请人： Peter G. Tolchinsky ,  Martin D. Giles ,  Michael L. McSwiney ,  Mohamad Shaheen ,  Irwin Yablok

发明人： Peter G. Tolchinsky ,  Martin D. Giles ,  Michael L. McSwiney ,  Mohamad Shaheen ,  Irwin Yablok

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/26533 ,  H01L21/76243

摘要： Embodiments of a silicon-on-insulator (SOI) wafer having an etch stop layer overlying the buried oxide layer, as well as embodiments of a method of making the same, are disclosed. The etch stop layer may comprise silicon nitride, nitrogen-doped silicon dioxide, or silicon oxynitride, as well as some combination of these materials. Other embodiments are described and claimed.

公开(公告)号：US20070238281A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11391510

申请日：2006-03-28

申请人： Mantu Hudait ,  Mohamad Shaheen ,  Loren Chow ,  Peter Tolchinsky ,  Joel Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy Liu ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau

发明人： Mantu Hudait ,  Mohamad Shaheen ,  Loren Chow ,  Peter Tolchinsky ,  Joel Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy Liu ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02549

摘要： Lattice mismatch and polar to non-polar issues may lead to dislocations and other defects between silicon or germanium substrates and group III-V materials such as indium antimonide. The provision of lattice matching layers and buffer layers may enable these defects to be reduced.

摘要翻译： 晶格错配和极性到非极性问题可能导致硅或锗衬底和III-V族III族材料如铟锑离子之间的位错和其他缺陷。 提供晶格匹配层和缓冲层可以使得能够减少这些缺陷。

公开(公告)号：US20070215984A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11377475

申请日：2006-03-15

申请人： Mohamad Shaheen ,  Jack Kavlieros ,  Been-Yih Jin ,  Brian Doyle

发明人： Mohamad Shaheen ,  Jack Kavlieros ,  Been-Yih Jin ,  Brian Doyle

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/187 ,  H01L29/161

摘要： Embodiments of the invention provide a substrate with a first layer having a first crystal orientation on a second layer having a second crystal orientation different than the first crystal orientation. The first layer may have a uniform thickness.

摘要翻译： 本发明的实施例提供一种具有第一层的衬底，该第一层在第二层上具有第一晶体取向，其具有不同于第一晶体取向的第二晶体取向。 第一层可以具有均匀的厚度。

公开(公告)号：US20060001018A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US10883295

申请日：2004-06-30

申请人： Loren Chow ,  Mohamad Shaheen

发明人： Loren Chow ,  Mohamad Shaheen

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/267 ,  H01L29/456 ,  H01L29/517 ,  Y10S438/933

摘要： An assembly comprising a semiconductor substrate having a first lattice constant, an intermediate layer having a second lattice constant formed on the semiconductor substrate, and a virtual substrate layer having a third lattice constant formed on the intermediate layer. The intermediate layer comprises one of a combination of III-V elements and a combination of II-VI elements. The second lattice constant has a value that is approximately between the values of the first lattice constant and the third lattice constant.

摘要翻译： 一种组件，包括具有第一晶格常数的半导体衬底，在半导体衬底上形成的具有第二晶格常数的中间层以及形成在中间层上的第三晶格常数的虚拟衬底层。 中间层包括III-V族元素和II-VI族元素的组合中的一种。 第二晶格常数具有大致在第一晶格常数和第三晶格常数的值之间的值。

公开(公告)号：US20050048738A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10649958

申请日：2003-08-28

申请人： Mohamad Shaheen ,  Mark Liu ,  Mitchell Taylor

发明人： Mohamad Shaheen ,  Mark Liu ,  Mitchell Taylor

IPC分类号： B23K26/18 ,  B23K26/40 ,  H01L21/30 ,  H01L21/301 ,  H01L21/762

CPC分类号： B23K26/18 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/76254

摘要： Arrangements incorporating laser-induced cleaving.

摘要翻译： 结合激光诱导切割的布置。

公开(公告)号：US20060046488A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US11245781

申请日：2005-10-06

申请人： Ryan Lei ,  Mohamad Shaheen

发明人： Ryan Lei ,  Mohamad Shaheen

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76256

摘要： Methods of forming a germanium on insulator structure and its associated structures are described. Those methods comprise forming an epitaxial germanium layer on a sacrificial silicon layer, removing a portion of the epitaxial germanium layer, activating the epitaxial germanium layer and an oxide layer disposed on a silicon substrate in an oxygen plasma, and bonding the epitaxial germanium layer to the oxide layer to form a germanium on insulator structure.

公开(公告)号：US20060286771A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11509147

申请日：2006-08-23

申请人： Mohamad Shaheen ,  Ruitao Zhang ,  Ryan Lei

发明人： Mohamad Shaheen ,  Ruitao Zhang ,  Ryan Lei

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： A layer transfer technique in which a portion of a donor wafer is doped with positively charged hydrogen ions and positively charged helium ions before it is bonded to a portion of a handle wafer. Furthermore, the bonded wafers are annealed at one of two annealing temperatures, which determines whether the wafers are separated using a thermal cleave or a mechanical cleave process.

摘要翻译： 施主晶片的一部分在被接合到处理晶片的一部分之前掺杂有带正电荷的氢离子和带正电荷的氦离子的层转移技术。 此外，接合的晶片在两个退火温度中的一个退火温度下进行退火，这确定晶片是否使用热劈裂或机械劈裂工艺分离。

公开(公告)号：US20050042842A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10646681

申请日：2003-08-21

申请人： Ryan Lei ,  Mohamad Shaheen

发明人： Ryan Lei ,  Mohamad Shaheen

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L29/78684

摘要： A method of forming a germanium-on-insulator (GOI). An epitaxial germanium layer is formed on top of a first substrate. A first dielectric film is formed on top of the epitaxial germanium layer. A second substrate is provided. The first substrate is bonded to the second substrate by bonding the first dielectric film to the second substrate. The bonding resulted in a bonded wafer pair. The first substrate is removed after the bonding to expose epitaxial germanium layer to form the GOI substrate.

摘要翻译： 一种形成绝缘体锗（GOI）的方法。 在第一衬底的顶部上形成外延锗层。 第一电介质膜形成在外延锗层的顶部上。 提供第二基板。 第一衬底通过将第一电介质膜结合到第二衬底而结合到第二衬底。 键合导致键合晶片对。 在接合之后去除第一衬底以暴露外延锗层以形成GOI衬底。

公开(公告)号：US08535996B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12865838

申请日：2008-03-13

申请人： Mohamad Shaheen ,  Frederic Allibert ,  Gweltaz Gaudin ,  Fabrice Lallement ,  Didier Landru ,  Karin Landry ,  Carlos Mazure

发明人： Mohamad Shaheen ,  Frederic Allibert ,  Gweltaz Gaudin ,  Fabrice Lallement ,  Didier Landru ,  Karin Landry ,  Carlos Mazure

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7841 ,  H01L31/0248

摘要： Embodiments of the invention relate to substrates comprising a base wafer, an insulating layer and a top semiconductor layer, wherein the insulating layer comprises at least a zone wherein a density of charges is in absolute value higher than 1010 charges/cm2. The invention also relates to processes for making such substrates.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及包括基底晶片，绝缘层和顶部半导体层的基板，其中绝缘层至少包括电荷密度高于1010电荷/ cm 2的绝对值的区域。 本发明还涉及制造这种基材的方法。

公开(公告)号：US07202503B2

公开(公告)日：2007-04-10

申请号：US10883295

申请日：2004-06-30

申请人： Loren Chow ,  Mohamad Shaheen

发明人： Loren Chow ,  Mohamad Shaheen

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/267 ,  H01L29/456 ,  H01L29/517 ,  Y10S438/933

摘要： An assembly comprising a semiconductor substrate having a first lattice constant, an intermediate layer having a second lattice constant formed on the semiconductor substrate, and a virtual substrate layer having a third lattice constant formed on the intermediate layer. The intermediate layer comprises one of a combination of III–V elements and a combination of II–VI elements. The second lattice constant has a value that is approximately between the values of the first lattice constant and the third lattice constant.

摘要翻译： 一种组件，包括具有第一晶格常数的半导体衬底，在半导体衬底上形成的具有第二晶格常数的中间层以及形成在中间层上的第三晶格常数的虚拟衬底层。 中间层包括III-V族元素和II-VI族元素的组合中的一种。 第二晶格常数具有大致在第一晶格常数和第三晶格常数的值之间的值。