公开(公告)号：US20140001469A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13931697

申请日：2013-06-28

申请人： Samsung Display Co., Ltd. ,  SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.

发明人： Jaewoo PARK ,  Yoon Gyu LEE ,  Do-Hyun KIM ,  Dongjo KIM ,  Juok PARK ,  Insung SOHN ,  Sangwon YOON ,  Gunhyo LEE ,  Yongjin LEE ,  Woo-Seok JEON

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L29/78693 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414

摘要： A thin-film transistor includes a metal electrode and a zinc oxide-based barrier film that blocks a material from diffusing out of the metal electrode. The zinc oxide-based barrier film is made of zinc oxide doped with indium oxide, the content of the indium oxide ranging, by weight, 1 to 50 percent of the zinc oxide-based barrier film. A zinc oxide-based sputtering target for deposition of a barrier film of a thin-film transistor is made of zinc oxide doped with indium oxide, the content of the indium oxide ranging, by weight, 1 to 50 percent of the zinc oxide-based sputtering target.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括阻挡材料扩散出金属电极的金属电极和氧化锌基阻挡膜。 基于氧化锌的阻挡膜由掺杂有氧化铟的氧化锌制成，氧化铟的含量为氧化锌系阻挡膜的1〜50重量％。 用于沉积薄膜晶体管的阻挡膜的氧化锌基溅射靶由掺杂有氧化铟的氧化锌制成，氧化铟的含量为氧化锌基的1〜50重量％ 溅射靶。

公开(公告)号：US20160300860A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：US14881923

申请日：2015-10-13

申请人： Samsung Display Co., Ltd.

发明人： Jun Hyun PARK ,  Do-Hyun KIM

IPC分类号： H01L27/12 ,  C09D183/04 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343

CPC分类号： H01L27/1225 ,  B32B2457/202 ,  C08G77/16 ,  G02F1/133345 ,  G02F2001/136263 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L2021/775 ,  Y10T428/10

摘要： A thin film transistor array panel, including: a first insulating substrate; a gate line disposed on the first insulating substrate and including a gate electrode; a semiconductor layer disposed on the gate electrode; a data conductor layer disposed on the semiconductor layer, and including a data line crossing the gate line, a source electrode connected to the data line and exposing at least a part of the semiconductor layer, and a drain electrode facing the source electrode; a capping layer disposed on the data conductor layer, the semiconductor layer exposed between the source electrode and the drain electrode, and the entire surface of the first insulating substrate; and a first passivation layer disposed on the capping layer. The capping layer and the semiconductor layer include the same material.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：第一绝缘基板; 栅极线，设置在所述第一绝缘基板上并且包括栅电极; 设置在所述栅电极上的半导体层; 数据导体层，其设置在所述半导体层上，并且包括与所述栅极线交叉的数据线，与所述数据线连接并暴露所述半导体层的至少一部分的源电极以及面对所述源电极的漏极; 设置在数据导体层上的覆盖层，暴露在源电极和漏电极之间的半导体层以及第一绝缘基板的整个表面; 以及设置在所述封盖层上的第一钝化层。 覆盖层和半导体层包括相同的材料。

公开(公告)号：US20160148958A1

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：US15010497

申请日：2016-01-29

申请人： Samsung Display Co., Ltd.

发明人： Do-Hyun KIM ,  Yoon Ho KHANG ,  Dong-Hoon LEE ,  Sang Ho PARK ,  Se Hwan YU ,  Cheol Kyu KIM ,  Yong-Su LEE ,  Sung Haeng CHO ,  Chong Sup CHANG ,  Dong Jo KIM ,  Jung Kyu LEE

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor array panel includes: a gate wiring layer disposed on a substrate; an oxide semiconductor layer disposed on the gate wiring layer; and a data wiring layer disposed on the oxide semiconductor layer, in which the data wiring layer includes a main wiring layer including copper and a capping layer disposed on the main wiring layer and including a copper alloy.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列面板包括：设置在基板上的栅极布线层; 设置在所述栅极布线层上的氧化物半导体层; 以及数据布线层，其设置在所述氧化物半导体层上，所述数据布线层包括包含铜的主布线层和设置在所述主布线层上并包括铜合金的覆盖层。

公开(公告)号：US20160020331A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：US14858281

申请日：2015-09-18

申请人： Samsung Display Co., Ltd.

发明人： Ki-Won KIM ,  Kap-Soo YOON ,  Do-Hyun KIM ,  Hyun-Jung LEE

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

摘要： A display substrate is provided. The display substrate includes a gate interconnection disposed on an insulating substrate, an oxide semiconductor pattern disposed on the gate interconnection and including an oxide semiconductor, and a data interconnection disposed on the oxide semiconductor pattern to interconnect the gate interconnection. The oxide semiconductor pattern includes a first oxide semiconductor pattern having a first oxide and a first element and a second oxide semiconductor pattern having a second oxide.

摘要翻译： 提供显示基板。 显示基板包括布置在绝缘基板上的栅极互连，设置在栅极互连上并包括氧化物半导体的氧化物半导体图案，以及布置在氧化物半导体图案上以互连栅极互连的数据互连。 氧化物半导体图案包括具有第一氧化物和第一元素的第一氧化物半导体图案以及具有第二氧化物的第二氧化物半导体图案。

公开(公告)号：US20150340507A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：US14809372

申请日：2015-07-27

申请人： Samsung Display Co., Ltd.

发明人： Je-Hun LEE ,  Ki-Won KIM ,  Do-Hyun KIM ,  Woo-Geun LEE ,  Kap-Soo YOON

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L23/532 ,  H01L29/45 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A TFT array substrate includes a semiconductive oxide layer disposed on an insulating substrate and including a channel portion, a gate electrode overlapping the semiconductive oxide layer, a gate insulating layer interposed between the semiconductive oxide layer and the gate electrode, and a passivation layer disposed on the semiconductive oxide layer and the gate electrode. At least one of the gate insulating layer and the passivation layer includes an oxynitride layer, and the oxynitride layer has a higher concentration of oxygen than that of nitrogen in a location of the oxynitride layer closer to the semiconductive oxide layer.

摘要翻译： TFT阵列基板包括设置在绝缘基板上并包括沟道部分的半导体氧化物层，与半导体氧化物层重叠的栅极电极，插入在半导体氧化物层和栅电极之间的栅极绝缘层，以及设置在 半导体氧化物层和栅电极。 栅极绝缘层和钝化层中的至少一个包括氧氮化物层，并且氧氮化物层在氧氮化物层的位置更靠近半导体氧化物层的位置处具有比氮的浓度高的氧氮化物层。

公开(公告)号：US20150333183A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：US14687080

申请日：2015-04-15

申请人： SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

发明人： Chanwoo YANG ,  Do-Hyun KIM ,  Jeongju PARK ,  Junhyun PARK ,  Doohyoung LEE ,  Xinxing LI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/467 ,  H01L29/66 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/467 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor include a control electrode, a semiconductor layer on the control electrode, an input electrode, at least a portion of the input electrode being on the semiconductor layer, and an output electrode spaced apart from the input electrode, at least a portion of the output electrode being on the semiconductor layer. Each of the input electrode and the output electrode includes a wiring layer including a metal material, a dummy portion on a side part of the wiring layer, the dummy portion including an oxide of the metal material, and a protection layer on the wiring layer, the protection layer overlapping the wiring layer and the dummy portion.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括控制电极，控制电极上的半导体层，输入电极，半导体层上的输入电极的至少一部分和与输入电极间隔开的输出电极，至少一部分 的输出电极位于半导体层上。 所述输入电极和所述输出电极中的每一个包括布线层，所述布线层包括金属材料，所述布线层的侧部上的虚设部分，所述虚设部分包括所述金属材料的氧化物，以及所述布线层上的保护层， 保护层与布线层和虚拟部分重叠。

公开(公告)号：US20140209903A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US14230787

申请日：2014-03-31

申请人： Samsung Display Co., Ltd.

发明人： Pil-Sang YUN ,  Ki-Won KIM ,  Hye-Young RYU ,  Woo-Geun LEE ,  Seung-Ha CHOI ,  Jae-Hyoung YOUN ,  Kyoung-Jae CHUNG ,  Young-Wook LEE ,  Je-Hun LEE ,  Kap-Soo YOON ,  Do-Hyun KIM ,  Dong-Ju YANG ,  Young-Joo CHOI

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L29/41733 ,  H01L21/44 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/475 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor panel includes an insulating substrate, a gate insulating layer disposed on the insulating substrate, an oxide semiconductor layer disposed on the gate insulating layer, an etch stopper disposed on the oxide semiconductor layer, and a source electrode and a drain electrode disposed on the etch stopper.

摘要翻译： 薄膜晶体管面板包括绝缘基板，设置在绝缘基板上的栅极绝缘层，设置在栅极绝缘层上的氧化物半导体层，设置在氧化物半导体层上的蚀刻停止器，以及设置在源极电极和漏极上的 在蚀刻停止器上。

公开(公告)号：US20130168669A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13775777

申请日：2013-02-25

申请人： Samsung Display Co., Ltd.

发明人： Je-Hun LEE ,  Do-Hyun KIM ,  Tae-Hyung IHN

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： An oxide or nitride semiconductor layer is formed over a substrate. A first conductive layer including a first element and a second element, and a second conductive layer including the second element are formed over the semiconductor layer. The first element is oxidized or nitrogenized near an interface region between the first conductive layer and the oxide or nitride semiconductor layer by heat treatment or laser irradiation. The Gibbs free energy of oxide formation of the first element is lower than those of the second element or any element in the oxide or nitride semiconductor layer.

摘要翻译： 在衬底上形成氧化物或氮化物半导体层。 包括第一元件和第二元件的第一导电层和包括第二元件的第二导电层形成在半导体层上。 第一元件通过热处理或激光照射在第一导电层和氧化物或氮化物半导体层之间的界面区域附近被氧化或氮化。 第一元素的氧化物形成的吉布斯自由能低于第二元素或氧化物或氮化物半导体层中的任何元素的自由能。