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    Methods of forming a semiconductor device including a metal silicon nitride layer
    22.
    发明授权
    Methods of forming a semiconductor device including a metal silicon nitride layer 有权
    形成包括金属氮化硅层的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08389408B2

    公开(公告)日：2013-03-05

    申请号：US12821924

    申请日：2010-06-23

    申请人： Young-Lim Park ,  Jinil Lee ,  Changsu Kim ,  Sugwoo Jung

    发明人： Young-Lim Park ,  Jinil Lee ,  Changsu Kim ,  Sugwoo Jung

    IPC分类号： H01L21/30

    CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/76843 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/16

    摘要： Provided are methods of forming a semiconductor device. The methods include providing a first precursor and a substitute gas into a reaction chamber having a substrate therein, the first precursor having a first substituent and further providing a second precursor into the reaction chamber. Either the first precursor or the second precursor includes a metal element and the other includes a silicon element, at least one of the first substituents of the first precursor are substituted with the substitute gas, the first precursor substituted with the substitute gas is adsorbed onto the substrate, and the second precursor is reacted with the adsorbed first precursor.

    摘要翻译： 提供了形成半导体器件的方法。 所述方法包括将第一前体和替代气体提供到其中具有基底的反应室中，第一前体具有第一取代基并进一步向反应室提供第二前体。 第一前体或第二前体包括金属元素，另一个包含硅元素，第一前体中的至少一个第一取代基被替代气体取代，被替代气体取代的第一前体被吸附到 底物，第二前体与吸附的第一前体反应。

    METHOD OF FORMING VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE
    25.
    发明申请
    METHOD OF FORMING VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE 有权
    形成可变电阻存储器件的方法

    公开(公告)号：US20110124174A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：US12953945

    申请日：2010-11-24

    申请人： Young-Lim Park ,  Jinil Lee ,  Dongho Ahn ,  Sihyung Lee ,  Gyuhwan Oh

    发明人： Young-Lim Park ,  Jinil Lee ,  Dongho Ahn ,  Sihyung Lee ,  Gyuhwan Oh

    IPC分类号： H01L21/285

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： Provided are a method of forming an electrode of a variable resistance memory device and a variable resistance semiconductor memory device using the method. The method includes: forming a heat electrode; forming a variable resistance material layer on the heat electrode; and forming a top electrode on the variable resistance material layer, wherein the heat electrode includes a nitride of a metal whose atomic radius is greater than that of titanium (Ti) and is formed through a thermal chemical vapor deposition (CVD) method without using plasma.

    摘要翻译： 提供了使用该方法形成可变电阻存储器件的电极和可变电阻半导体存储器件的方法。 该方法包括：形成热电极; 在所述加热电极上形成可变电阻材料层; 以及在所述可变电阻材料层上形成顶部电极，其中所述热电极包括原子半径大于钛（Ti）的金属的氮化物，并且通过热化学气相沉积（CVD）方法形成而不使用等离子体 。

    Phase-change material layers, methods of forming the same, phase-change memory devices having the same, and methods of forming phase-change memory devices
    27.
    发明授权
    Phase-change material layers, methods of forming the same, phase-change memory devices having the same, and methods of forming phase-change memory devices 失效
    相变材料层，其形成方法，具有该相变材料层的相变存储器件，以及形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US07807497B2

    公开(公告)日：2010-10-05

    申请号：US11826048

    申请日：2007-07-12

    申请人： Jin-II Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Young-Lim Park ,  Hye-Young Park

    发明人： Jin-II Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Young-Lim Park ,  Hye-Young Park

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： Example embodiments may provide phase-change material layers and a method of forming a phase-change material layer and devices using the same by generating a plasma including helium and/or argon in a reaction chamber, forming a first material layer on the object by introducing a first source gas including a first material, forming a first composite material layer on the object by introducing a second source gas including a second material into the reaction chamber, forming a third material layer on the first composite material layer by introducing a third source gas including a third material, and forming a second composite material layer on the first composite material layer by introducing a fourth source gas including a fourth material. Example embodiment phase-change material layers including carbon may be more easily and/or quickly formed at lower temperatures under the helium/argon plasma environment by providing the source gases for various feeding times. Example embodiments may also include memory devices using phase-change memory layers.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供相变材料层以及通过在反应室中产生包括氦和/或氩的等离子体来形成相变材料层的方法和使用该相变材料层的装置，通过引入在物体上形成第一材料层 包括第一材料的第一源气体，通过将包括第二材料的第二源气体引入反应室，在物体上形成第一复合材料层，通过引入第三源气体在第一复合材料层上形成第三材料层 包括第三材料，并且通过引入包括第四材料的第四源气体，在所述第一复合材料层上形成第二复合材料层。 示例性实施例包括碳的相变材料层可以在较低温度下在氦/氩等离子体环境下更容易地和/或快速地形成，方法是提供用于各种进料时间的源气体。 示例性实施例还可以包括使用相变存储器层的存储器件。

    METHOD OF FORMING A PHASE-CHANGEABLE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME
    30.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A PHASE-CHANGEABLE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME 审中-公开
    形成相变层的方法及使用其制造半导体存储器件的方法

    公开(公告)号：US20080096386A1

    公开(公告)日：2008-04-24

    申请号：US11876631

    申请日：2007-10-22

    申请人： Young-Lim PARK ,  Sung-Lae CHO ,  Byoung-Jae BAE ,  Jin-Il LEE ,  Hye-Young PARK ,  Ji-Eun LIM

    发明人： Young-Lim PARK ,  Sung-Lae CHO ,  Byoung-Jae BAE ,  Jin-Il LEE ,  Hye-Young PARK ,  Ji-Eun LIM

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L27/2436 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

    摘要： A phase-changeable layer and a method of forming the same are disclosed. In the method, a first hydrogen gas is introduced into a reaction chamber into which a substrate is loaded at a first flow rate to form first plasma. A primary cyclic CVD process is carried out using precursors in the reaction chamber to form a lower phase-changeable layer having a first grain size on the substrate. A second hydrogen gas is introduced into the reaction chamber at a second flow rate less than the first flow rate to form second plasma. A secondary cyclic CVD process is carried out using the precursors in the reaction chamber to form an upper phase-changeable layer having a second grain size smaller than the first grain size on the substrate, thereby forming a phase-changeable layer. Thus, the phase-changeable layer may have strong adhesion strength with respect to a lower layer and good electrical characteristics.

    摘要翻译： 公开了一种相变层及其形成方法。 在该方法中，将第一氢气引入反应室中，以第一流速将载体加载到反应室中以形成第一等离子体。 使用反应室中的前体进行初级循环CVD工艺，以在衬底上形成具有第一晶粒尺寸的下相变层。 将第二氢气以小于第一流量的第二流量引入反应室中以形成第二等离子体。 使用反应室中的前体进行二次循环CVD工艺，以形成具有比基板上的第一晶粒尺寸小的第二晶粒尺寸的上相变层，从而形成相变层。 因此，相变层可以具有相对于较低层的强粘合强度和良好的电特性。