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    Assisting FGL oscillations with perpendicular anisotropy for MAMR
    23.
    发明授权
    Assisting FGL oscillations with perpendicular anisotropy for MAMR 有权
    为MAMR协助垂直各向异性的FGL振荡

    公开(公告)号：US08274811B2

    公开(公告)日：2012-09-25

    申请号：US12927699

    申请日：2010-11-22

    申请人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou

    发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou

    IPC分类号： G11B5/127 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H03B15/006 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3146 ,  G11B2005/0024 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/306 ,  H01L43/08 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T428/11 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/1171 ,  Y10T428/1193

    摘要： A spin transfer oscillator (STO) structure is disclosed that includes two assist layers with perpendicular magnetic anisotropy (PMA) to enable a field generation layer (FGL) to achieve an oscillation state at lower current density for MAMR applications. In one embodiment, the STO is formed between a main pole and write shield and the FGL has a synthetic anti-ferromagnetic structure. The STO configuration may be represented by seed layer/spin injection layer (SIL)/spacer/PMA layer 1/FGL/spacer/PMA layer 2/capping layer. The spacer may be Cu for giant magnetoresistive (GMR) devices or a metal oxide for tunneling magnetoresistive (TMR) devices. Alternatively, the FGL is a single ferromagnetic layer and the second PMA assist layer has a synthetic structure including two PMA layers with magnetic moment in opposite directions in a seed layer/SIL/spacer/PMA assist 1/FGL/spacer/PMA assist 2/capping layer configuration. SIL and PMA assist layers are laminates of (CoFe/Ni)x or the like.

    摘要翻译： 公开了一种自旋转移振荡器（STO）结构，其包括具有垂直磁各向异性（PMA）的两个辅助层，以使场产生层（FGL）能够在较低电流密度下实现用于MAMR应用的振荡状态。 在一个实施例中，STO形成在主极和写保护罩之间，并且FGL具有合成的反铁磁结构。 STO配置可以由种子层/自旋注入层（SIL）/间隔物/ PMA层1 / FGL /间隔物/ PMA层2 /覆盖层表示。 间隔物可以是用于巨磁阻（GMR）器件的Cu或用于隧道磁阻（TMR）器件的金属氧化物。 或者，FGL是单个铁磁层，并且第二PMA辅助层具有合成结构，其包括在籽晶层/ SIL /间隔物/ PMA辅助1 / FGL /间隔物/ PMA辅助2/2中具有相反方向的磁矩的两个PMA层， 覆盖层配置。 SIL和PMA辅助层是（CoFe / Ni）x等的层压体。

    Modified field generation layer for microwave assisted magnetic recording
    24.
    发明授权
    Modified field generation layer for microwave assisted magnetic recording 有权
    微波辅助磁记录修改场产生层

    公开(公告)号：US08208219B2

    公开(公告)日：2012-06-26

    申请号：US12927083

    申请日：2010-11-05

    申请人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou

    发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou

    IPC分类号： G11B5/127

    CPC分类号： G11B5/1278 ,  G11B5/3133 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0024

    摘要： A spin torque oscillator is described in which the conventional Field Generation Layer (FGL) is replaced by a bilayer, one of whose members exhibits perpendicular magnetic anisotropy while the other exhibits conventional in-plane anisotropy. Provided the layer with the perpendicular anisotropy is the one that is closest to the spacer layer, the device is able to generate microwaves at current densities as low as 1×108 A/cm2.

    摘要翻译： 描述了一种自旋扭矩振荡器，其中常规的场产生层（FGL）由双层代替，其中一个构件呈现垂直的磁各向异性，而另一个表现出常规的面内各向异性。 如果具有垂直各向异性的层是最接近间隔层的层，该器件能够产生低至1×108A / cm 2的电流密度的微波。

    Multilayer structure with high perpendicular anisotropy for device applications
    25.
    发明申请
    Multilayer structure with high perpendicular anisotropy for device applications 有权
    用于器件应用的具有高垂直各向异性的多层结构

    公开(公告)号：US20110293967A1

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：US12802091

    申请日：2010-05-28

    申请人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou

    发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou

    IPC分类号： G11B5/66 ,  B05D3/06

    CPC分类号： G11B5/84 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/66 ,  G11B5/732 ,  G11B5/7325 ,  G11B2005/0024 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  Y10T428/1114

    摘要： Perpendicular magnetic anisotropy and Hc are enhanced in magnetic devices with a Ta/M1/M2 seed layer where M1 is preferably Ti, and M2 is preferably Cu, and including an overlying (Co/Ni)X multilayer (x is 5 to 50) that is deposited with ultra high Ar pressure of >100 sccm to minimize impinging energy that could damage (Co/Ni)X interfaces. In one'embodiment, the seed layer is subjected to one or both of a low power plasma treatment and natural oxidation process to form a more uniform interface with the (Co/Ni)X multilayer. Furthermore, an oxygen surfactant layer may be formed at one or more interfaces between adjoining (Co/Ni)X layers in the multilayer stack. Annealing at temperatures between 180° C. and 400° C. also increases Hc but the upper limit depends on whether the magnetic device is MAMR, MRAM, a hard bias structure, or a perpendicular magnetic medium.

    摘要翻译： 在具有Ta优选为Ti的Ta / M1 / M2种子层的磁性装置中，垂直磁各向异性和Hc增强，并且M2优选为Cu，并且包括覆盖（Co / Ni）X多层（x为5至50）， 以超过100 sccm的超高Ar压力沉积，以尽量减少可能损坏（Co / Ni）X界面的冲击能量。 在一个实施例中，种子层经受低功率等离子体处理和天然氧化过程中的一种或两种以与（Co / Ni）X多层形成更均匀的界面。 此外，可以在多层叠层中的相邻（Co / Ni）X层之间的一个或多个界面处形成氧表面活性剂层。 在180°C至400°C的温度下退火也会增加Hc，但上限取决于磁性装置是MAMR，MRAM，硬偏压结构还是垂直磁介质。

    Spin injection layer robustness for microwave assisted magnetic recording
    27.
    发明申请
    Spin injection layer robustness for microwave assisted magnetic recording 有权
    微波辅助磁记录的自旋注入层鲁棒性

    公开(公告)号：US20130082787A1

    公开(公告)日：2013-04-04

    申请号：US13200844

    申请日：2011-10-03

    申请人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou ,  Soichi Oikawa ,  Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui

    发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yuchen Zhou ,  Soichi Oikawa ,  Hitoshi Iwasaki ,  Kenichiro Yamada ,  Katsuhiko Koui

    IPC分类号： H03B7/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  B05D5/00 ,  B05D3/02

    CPC分类号： H03B15/006 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  G11C5/005 ,  G11C11/161 ,  Y10T428/1114

    摘要： A spin transfer (torque) oscillator (STO) with a non-magnetic spacer formed between a spin injection layer (SIL) and a field generation layer (FGL), and with an interfacial layer comprised of Fe(100-V)CoV where v is from 5 to 100 atomic % formed between the SIL and non-magnetic spacer is disclosed. A composite seed layer made of Ta and a metal layer having a fcc(111) or hcp(001) texture is used to enhance perpendicular magnetic anisotropy (PMA) in the STO device. The interfacial layer quenches SIL oscillations and thereby stabilizes the SIL against FGL oscillations. The interfacial layer preferably has a thickness from 5 to 50 Angstroms and enhances amplitude (dR/R) in the STO device. The STO device may have a top SIL or bottom SIL configuration. The SIL is typically a laminated structure such as (Co/Ni)X where x is between 5 and 50.

    摘要翻译： 具有在自旋注入层（SIL）和场产生层（FGL）之间形成的非磁性间隔物的自旋转移（扭矩）振荡器（STO），以及由Fe（100-V）CoV组成的界面层，其中v 公开了在SIL和非磁性间隔物之间​​形成的5至100原子％。 使用由Ta制成的复合晶种层和具有fcc（111）或hcp（001）结构的金属层来增强STO器件中的垂直磁各向异性（PMA）。 界面层淬灭SIL振荡，从而使SIL稳定于FGL振荡。 界面层优选具有5至50埃的厚度，并且增强STO器件中的振幅（dR / R）。 STO设备可能具有顶部SIL或底部SIL配置。 SIL通常是诸如（Co / Ni）X的层压结构，其中x在5和50之间。