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    Optoelectronic semiconductor element
    21.
    发明授权
    Optoelectronic semiconductor element 有权
    光电半导体元件

    公开(公告)号：US08351479B2

    公开(公告)日：2013-01-08

    申请号：US12293057

    申请日：2007-03-15

    申请人： Stephan Lutgen ,  Peter Brick ,  Tony Albrecht

    发明人： Stephan Lutgen ,  Peter Brick ,  Tony Albrecht

    IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/026 ,  H01S5/04

    CPC分类号： H01S5/18388 ,  H01S3/108 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/141 ,  H01S5/227 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031

    摘要： An optoelectronic semiconductor component has a semiconductor body (1) comprising a surface emitting vertical emitter region (2) comprising a vertical emitter layer (3), at least one pump source (4) provided for optically pumping the vertical emitter layer (3), and a radiation passage area (26) through which electromagnetic radiation (31) generated in the vertical emitter layer leaves the semiconductor body (1), wherein the pump source (4) and the vertical emitter layer (3) are at a distance from one another in a vertical direction.

    摘要翻译： 光电子半导体部件具有包括发射垂直发射极区域（2）的表面的半导体本体（1），所述表面发射垂直发射极区域包括垂直发射极层（3），设置用于光学泵浦垂直发射极层（3）的至少一个泵浦源（4） 和在垂直发射极层中产生的电磁辐射（31）离开半导体本体（1）的辐射通道区域（26），其中泵浦源（4）和垂直发射极层（3）距离一个距离 另一个在垂直方向。

    Method for production of a plurality of semiconductor chips, and a semiconductor component
    22.
    发明授权
    Method for production of a plurality of semiconductor chips, and a semiconductor component 有权
    用于制造多个半导体芯片的方法以及半导体部件

    公开(公告)号：US08178372B2

    公开(公告)日：2012-05-15

    申请号：US11541132

    申请日：2006-09-28

    申请人： Stephan Lutgen ,  Tony Albrecht ,  Wolfgang Reill

    发明人： Stephan Lutgen ,  Tony Albrecht ,  Wolfgang Reill

    IPC分类号： H01L21/78

    CPC分类号： H01S5/0425 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/641 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/041 ,  H01S5/14 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for production of a plurality of semiconductor chips (6) in a wafer composite. A semiconductor layer sequence (2) is grown on a growth substrate (1), metallization (3) is applied to the semiconductor layer sequence (2), a metal layer (4) is electrochemically deposited onto the metallization (3), and the semiconductor layer sequence (2) is then structured and separated to form individual semiconductor chips (6). The electrochemically applied metal layer (4) is particularly suitable for use as a heat spreader, for dissipation of the heat produced by the semiconductor chips (6).

    摘要翻译： 一种用于在晶片复合材料中制造多个半导体芯片（6）的方法。 在生长衬底（1）上生长半导体层序列（2），向半导体层序列（2）施加金属化（3），金属层（4）电化学沉积到金属化层（3）上， 半导体层序列（2）然后被构造和分离以形成单独的半导体芯片（6）。 电化学施加的金属层（4）特别适合用作散热器，用于散发由半导体芯片（6）产生的热量。

    Radiation-Emitting Semiconductor Body
    24.
    发明申请
    Radiation-Emitting Semiconductor Body 有权
    辐射发射半导体体

    公开(公告)号：US20100294957A1

    公开(公告)日：2010-11-25

    申请号：US12680620

    申请日：2008-08-28

    申请人： Tony Albrecht ,  Stefan Bader ,  Berthold Hahn

    发明人： Tony Albrecht ,  Stefan Bader ,  Berthold Hahn

    IPC分类号： H01L33/30

    CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Described is a radiation-emitting semiconductor body (1) with an active layer (2) for generation of radiation of a first wavelength (λ1) and a reemission layer (3) which comprises a quantum well structure (4) comprising a quantum layer structure (5) and a barrier layer structure (6). The reemission layer is intended for generation of incoherent radiation of a second wavelength (λ2) by absorption of the radiation of the first wavelength in the barrier layer structure.

    摘要翻译： 描述了具有用于产生第一波长（λ1）的辐射的有源层（2）和包括量子阱结构（4）的辐射发射半导体本体（1），所述量子阱结构（4）包括量子层结构 （5）和阻挡层结构（6）。 再发射层旨在通过吸收阻挡层结构中的第一波长的辐射来产生第二波长（λ2）的非相干辐射。

    Radiation-emitting-and-receiving semiconductor chip and method for producing such a semiconductor chip
    27.
    发明授权
    Radiation-emitting-and-receiving semiconductor chip and method for producing such a semiconductor chip 有权
    辐射发射和接收半导体芯片及其制造方法

    公开(公告)号：US07335922B2

    公开(公告)日：2008-02-26

    申请号：US10951525

    申请日：2004-09-28

    申请人： Glenn-Yves Plaine ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Marc Philippens

    发明人： Glenn-Yves Plaine ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Marc Philippens

    IPC分类号： H01L27/15

    CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L31/173

    摘要： A radiation-emitting-and-receiving semiconductor component has at least a first semiconductor layer construction (1) for emitting radiation and a second semiconductor layer construction (2) for receiving radiation, which are arranged in a manner spaced apart from one another on a common substrate (3) and have at least one first contact layer (4). The first semiconductor layer construction (1) has an electromagnetic-radiation-generating region (5) arranged between p-conducting semiconductor layers (6) and n-conducting semiconductor layers (7) of the first semiconductor layer construction (1). A second contact layer (8) is at least partially arranged on that surface of the first semiconductor layer construction (1) which is remote from the substrate (3) and that of the second semiconductor layer construction (2). The second semiconductor layer construction (2) has an electromagnetic-radiation-absorbing region (9), the composition of the radiation-generating region (5) being different from that of the radiation-absorbing region (9).

    摘要翻译： 辐射发射和接收半导体部件至少具有用于发射辐射的第一半导体层结构（1）和用于接收辐射的第二半导体层结构（2），所述第二半导体层结构（2）以彼此间隔开的方式布置 公共衬底（3）并且具有至少一个第一接触层（4）。 第一半导体层结构（1）具有布置在第一半导体层结构（1）的p导电半导体层（6）和n导电半导体层（7）之间的电磁辐射产生区域（5）。 第二接触层（8）至少部分地布置在远离基板（3）的第一半导体层结构（1）的表面和第二半导体层结构（2）的表面上。 第二半导体层结构（2）具有电磁辐射吸收区域（9），辐射产生区域（5）的组成与辐射吸收区域（9）的组成不同。

    Radiation-emitting semiconductor component
    29.
    发明申请
    Radiation-emitting semiconductor component 有权
    辐射发射半导体元件

    公开(公告)号：US20050207461A1

    公开(公告)日：2005-09-22

    申请号：US11047833

    申请日：2005-01-31

    申请人： Marc Philippens ,  Tony Albrecht

    发明人： Marc Philippens ,  Tony Albrecht

    IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01S3/10 ,  H01S5/026 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S5/40

    CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S2301/18

    摘要： A radiation-emitting semiconductor component comprising a semiconductor body (3) with a first active zone (1) and a second active zone (2) arranged above the first active zone, the first active zone being provided for generating a radiation having a first wavelength λ1 (11) and the second active zone being provided for generating a radiation having a second wavelength λ2 (22), the radiation having the first wavelength λ1 being coherent and the radiation having the second wavelength λ2 being incoherent.

    摘要翻译： 一种辐射发射半导体部件，包括具有第一有源区（1）的半导体本体（3）和布置在所述第一有源区上方的第二有源区（2），所述第一有源区被设置用于产生具有第一波长 λ11（11），并且第二有源区被提供用于产生具有第二波长λ2（22）的辐射，该辐射具有第一波长λ< 1＆lt; 1＆gt;是相干的，并且具有第二波长λ2的辐射是不相干的。