公开(公告)号：US08264865B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12677404

申请日：2009-07-01

申请人： Satoru Mitani ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Takeshi Takagi

发明人： Satoru Mitani ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A nonvolatile memory element of the present invention comprises a first electrode (103), a second electrode (108); a resistance variable layer (107) which is interposed between the first electrode (103) and the second electrode (107) and is configured to switch a resistance value reversibly in response to an electric signal applied between the electrodes (103) and (108), and the resistance variable layer (107) has at least a multi-layer structure in which a first hafnium-containing layer having a composition expressed as HfOx (0.9≦x≦1.6), and a second hafnium-containing layer having a composition expressed as HfOy (1.8

摘要翻译： 本发明的非易失性存储元件包括第一电极（103），第二电极（108） 介于第一电极（103）和第二电极（107）之间的电阻变化层（107），其被配置为响应于施加在电极（103）和（108）之间的电信号可逆地切换电阻值， ，并且电阻变化层（107）具有至少多层结构，其中具有表示为HfO x（0.9＆nlE; x＆nlE; 1.6）的组成的第一含铪层和具有组成的第二含铪层 表示为HfOy（1.8

公开(公告)号：US08258493B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12515379

申请日：2007-11-13

申请人： Takumi Mikawa ,  Takeshi Takagi

发明人： Takumi Mikawa ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

摘要： A nonvolatile semiconductor memory apparatus (10) of the present invention comprises a substrate (10), lower-layer electrode wires (15) provided on the substrate (11), an interlayer insulating layer (16) which is disposed on the substrate (11) including the lower-layer electrode wires (15) and is provided with contact holes at locations respectively opposite to the lower-layer electrode wires (15), resistance variable layers (18) which are respectively connected to the lower-layer electrode wires (15); and non-ohmic devices (20) which are respectively provided on the resistance variable layers (18) such that the non-ohmic devices are respectively connected to the resistance variable layers (18). The non-ohmic devices (20) each has a laminated-layer structure including plural semiconductor layers, a laminated-layer structure including a metal electrode layer and an insulator layer, or a laminated-layer structure including a metal electrode layer and a semiconductor layer. One layer of the laminated-layer structure is embedded to fill each of the contact holes and the semiconductor layer or the insulator layer which is the other layer of the laminated-layer structure has a larger area than an opening of each of the contact holes and is provided on the interlayer insulating layer (16).

摘要翻译： 本发明的非易失性半导体存储装置（10）具备基板（10），设置在基板（11）上的下层电极布线（15），设置在基板（11）上的层间绝缘层（16） ），并且在分别与下层电极线（15）相对的位置设置接触孔，电阻变化层（18）分别与下层电极线（15）连接 15）; 和非欧姆器件（20），其分别设置在电阻变化层（18）上，使得非欧姆器件分别连接到电阻变化层（18）。 非欧姆装置（20）各自具有包括多个半导体层的层叠层结构，包括金属电极层和绝缘体层的层叠层结构，或者包括金属电极层和半导体层的层叠层结构 。 嵌入层叠层结构的一层以填充每个接触孔，作为层叠层结构的另一层的半导体层或绝缘体层的面积比每个接触孔的开口大， 设置在层间绝缘层（16）上。

公开(公告)号：US08094482B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12529466

申请日：2008-10-28

申请人： Zhiqiang Wei ,  Takeshi Takagi ,  Ken Kawai ,  Kazuhiko Shimakawa

发明人： Zhiqiang Wei ,  Takeshi Takagi ,  Ken Kawai ,  Kazuhiko Shimakawa

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2211/5646 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79

摘要： A nonvolatile memory apparatus and a nonvolatile data storage medium of the present invention, including nonvolatile memory elements each of which changes its resistance in response to electric pulses applied, comprises a first write circuit for performing first write in which a first electric pulse is applied to the nonvolatile memory element to switch a resistance value of the nonvolatile memory element from a first resistance value to a second resistance value and a second electric pulse which is opposite in polarity to the first electric pulse is applied to the nonvolatile memory element to switch the resistance value of the nonvolatile memory element from the second resistance value to the first resistance value.

摘要翻译： 本发明的非易失性存储装置和非易失性数据存储介质，包括各自根据施加的电脉冲改变其电阻的非易失性存储元件，包括用于执行第一写入的第一写入电路，其中施加第一电脉冲到 将非易失性存储元件的电阻值从第一电阻值切换到与第一电脉冲极性相反的第二电阻值和第二电脉冲的非易失性存储元件施加到非易失性存储元件，以将电阻 非易失性存储元件的值从第二电阻值到第一电阻值。

公开(公告)号：US08093578B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12513638

申请日：2007-11-16

申请人： Takeshi Takagi ,  Takumi Mikawa

发明人： Takeshi Takagi ,  Takumi Mikawa

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

摘要： The present invention is configured such that a resistance variable element (16) and a rectifying element (20) are formed on a substrate (12). The resistance variable element (16) is configured such that a resistance variable layer (14) made of a metal oxide material is sandwiched between a lower electrode (13) and an upper electrode (15). The rectifying element (20) is connected to the resistance variable element (16), and is configured such that a blocking layer (18) is sandwiched between a first electrode layer (17) located on a lower side of the blocking layer (18) and a second electrode layer (19) located on an upper side of the blocking layer (18). The resistance variable element (16) and the rectifying element (20) are connected to each other in series in a thickness direction of the resistance variable layer (14), and the blocking layer (18) is formed as a barrier layer having a hydrogen barrier property.

摘要翻译： 本发明被构造成使得在基板（12）上形成电阻可变元件（16）和整流元件（20）。 电阻可变元件（16）被构造为使得由金属氧化物材料制成的电阻变化层（14）夹在下电极（13）和上电极（15）之间。 整流元件（20）连接到电阻可变元件（16），并且被构造为使阻挡层（18）夹在位于阻挡层（18）的下侧的第一电极层（17）之间， 以及位于阻挡层（18）的上侧的第二电极层（19）。 电阻可变元件（16）和整流元件（20）在电阻变化层（14）的厚度方向上串联连接，并且阻挡层（18）形成为具有氢的阻挡层 屏障属性。

公开(公告)号：US20110294259A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13205408

申请日：2011-08-08

申请人： Yoshihiko KANZAWA ,  Koji Katayama ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Mitani ,  Ryoko Miyanaga ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhiko Shimakawa

发明人： Yoshihiko KANZAWA ,  Koji Katayama ,  Satoru Fujii ,  Shunsaku Muraoka ,  Koichi Osano ,  Satoru Mitani ,  Ryoko Miyanaga ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhiko Shimakawa

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

摘要： A nonvolatile memory element comprises a first electrode layer (103), a second electrode (107), and a resistance variable layer (106) which is disposed between the first electrode layer (103) and the second electrode layer (107), a resistance value of the resistance variable layer varying reversibly according to electric signals having different polarities which are applied between the electrodes (103), (107), wherein the resistance variable layer (106) has a first region comprising a first oxygen-deficient tantalum oxide having a composition represented by TaOx (0

摘要翻译： 非易失性存储元件包括设置在第一电极层（103）和第二电极层（107）之间的第一电极层（103），第二电极（107）和电阻变化层（106），电阻 电阻变化层的值根据施加在电极（103），（107）之间的具有不同极性的电信号而可逆地变化，其中电阻变化层（106）具有第一区域，该第一区域包括第一氧缺陷型氧化钽， 由TaOx（0

公开(公告)号：US20110233510A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13132058

申请日：2009-12-01

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Zhiqiang Wei ,  Takeshi Takagi ,  Koji Katayama

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Zhiqiang Wei ,  Takeshi Takagi ,  Koji Katayama

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A nonvolatile memory element of the present invention comprises a first electrode (103); a second electrode (109); and a resistance variable layer (106) disposed between the first electrode and the second electrode, resistance values of the resistance variable layer reversibly changing in response to electric signals applied between the first electrode and the second electrode; at least one of the first electrode and the second electrode including a platinum-containing layer (107) comprising platinum; the resistance variable layer including at least a first oxygen-deficient transition metal oxide layer (104) which is not physically in contact with the platinum-containing layer and a second oxygen-deficient transition metal oxide layer (105) which is disposed between the first oxygen-deficient transition metal oxide layer and the platinum-containing layer and is physically in contact with the platinum-containing layer; x

摘要翻译： 本发明的非易失性存储元件包括第一电极（103） 第二电极（109）; 以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的电阻变化层（106），所述电阻变化层的电阻值响应于施加在所述第一电极和所述第二电极之间的电信号而可逆地变化; 所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括含铂的含铂层（107） 所述电阻变化层至少包括不与所述含铂层物理接触的第一缺氧过渡金属氧化物层（104）和第二缺氧过渡金属氧化物层（105），所述第二缺氧过渡金属氧化物层（105）设置在所述第一 氧缺陷型过渡金属氧化物层和含铂层，并且与含铂层物理接触; 当第一缺氧过渡金属氧化物层中包含的缺氧过渡金属氧化物被表示为MOx时，x

公开(公告)号：US20110174708A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US13121872

申请日：2009-10-02

申请人： Shin-ichi Oota ,  Hidenari Yamagata ,  Takeshi Takagi ,  Koji Egawa

发明人： Shin-ichi Oota ,  Hidenari Yamagata ,  Takeshi Takagi ,  Koji Egawa

IPC分类号： B01F9/00 ,  B01D15/08 ,  B01L9/00

CPC分类号： G01N35/1097 ,  B01F11/0002 ,  B01F11/0037 ,  B01L9/06 ,  B01L2300/0851 ,  G01N30/06 ,  G01N2035/00524

摘要： A sample stirring device of the present invention includes a driving roller and two follower rollers for coming into contact with a sample container including a cylindrical portion for containing a sample to be stirred. The driving roller is driven for rotation to stir the sample contained in the sample container. The two follower rollers have rotation axes inclined with respect to an axial direction of the cylindrical portion. This arrangement allows the sample container such as a blood collection tube to be rotated stably.

摘要翻译： 本发明的样品搅拌装置包括驱动辊和两个从动辊，用于与包括用于容纳待搅拌样品的圆筒部分的样品容器接触。 驱动辊被驱动旋转以搅拌包含在样品容器中的样品。 两个从动辊具有相对于圆筒部的轴向倾斜的旋转轴。 这种布置允许诸如采血管的样品容器能够稳定地旋转。

公开(公告)号：US07801186B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11952647

申请日：2007-12-07

申请人： Sugio Wako ,  Atsushi Koyama ,  Xiongfei Zhang ,  Hiroshi Matsuura ,  Satoru Abe ,  Takeshi Takagi

发明人： Sugio Wako ,  Atsushi Koyama ,  Xiongfei Zhang ,  Hiroshi Matsuura ,  Satoru Abe ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： H01S3/30

CPC分类号： H01S3/09415 ,  G01N2201/06113 ,  G02B6/29317 ,  G02B6/29358 ,  H01S3/06708 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/08036 ,  H01S3/1062 ,  H01S3/1618

摘要： A spatial coupling provided between an amplified-light waveguide and an output-light waveguide includes a wavelength selecting element that selectively transmits a light having a desired wavelength band out of a spontaneous emission light generated in the amplified-light waveguide and a lens unit that couples the spontaneous emission light to the wavelength selecting unit. An input-side light reflecting unit provided between a semiconductor pumping laser and the amplified-light waveguide and an output-side light reflecting unit formed on an output side of the spatial coupling unit form a laser resonator.

摘要翻译： 提供在放大光波导和输出光波导之间的空间耦合包括波长选择元件，其选择性地透射在放大光波导中产生的自发发射光中具有期望波长带的光;以及透镜单元，其耦合 对波长选择单元的自发发射光。 设置在半导体泵浦激光器和放大光波导之间的输入侧光反射单元和形成在空间耦合单元的输出侧的输出侧光反射单元形成激光谐振器。

公开(公告)号：US20100148143A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12600793

申请日：2008-05-16

申请人： Satoru Fujii ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhiko Shimakawa

发明人： Satoru Fujii ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Takeshi Takagi ,  Kazuhiko Shimakawa

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1625

摘要： A nonvolatile semiconductor apparatus of the present invention comprises (103), a second electrode (105), and a resistance variable layer (104) disposed between the first electrode (103) and the second electrode (105), a resistance value of the resistance variable layer being switchable reversibly in response to an electric signal applied between the electrodes (103), (105), wherein the resistance variable layer (104) comprises an oxide containing tantalum and nitrogen.

摘要翻译： 本发明的非易失性半导体装置包括：（103），设置在第一电极（103）和第二电极（105）之间的第二电极（105）和电阻变化层（104），电阻值 可变层可响应施加在电极（103），（105）之间的电信号而可逆地切换，其中电阻变化层（104）包括含有钽和氮的氧化物。

公开(公告)号：US07729866B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11666055

申请日：2005-10-25

申请人： Koji Sugiyama ,  Takeshi Takagi

发明人： Koji Sugiyama ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G01N33/49 ,  G01N27/327 ,  C12Q1/26

CPC分类号： G01N27/3271

摘要： The present invention relates to a method for measuring the concentration of a particular component in a blood sample containing blood cells based on a variable correlated with the concentration of the particular component. In the present invention, a concentration (S) in blood plasma obtained by removing blood cell components from the blood sample, a concentration (DI) in the blood sample computed by a differential method and a concentration (EP) in the blood sample computed by an equilibrium point method are expressed by a relational expression which is unrelated to the proportion of the blood cell components in the blood sample, and the concentration of the particular component is computed by using the relational expression.

摘要翻译： 本发明涉及基于与特定成分的浓度相关的变量来测定含有血细胞的血液样品中特定成分的浓度的方法。 在本发明中，通过从血液样品中除去血细胞成分而获得的血浆中的浓度（S），通过微分法计算的血液样品中的浓度（DI）和血液样品中的浓度（EP） 平衡点法由与血样中血细胞成分比例无关的关系表达式表示，特定成分的浓度用关系式计算。