公开(公告)号：US07296532B2

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：US10323950

申请日：2002-12-18

申请人： Yi-Lung Cheng ,  Mo-Chen Liao ,  Eric Tsai ,  Sze-Au Wu ,  Ying-Lung Wang

发明人： Yi-Lung Cheng ,  Mo-Chen Liao ,  Eric Tsai ,  Sze-Au Wu ,  Ying-Lung Wang

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509

摘要： A method and reactant gas bypass system for carrying out a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process with improved gas flow stability to avoid unionized reactant precursors and thickness non-uniformities the method including providing a semiconductor process wafer having a process surface within a plasma reactor chamber for carrying out at least one plasma process; supplying at least one reactant gas flow at a selected flow rate to bypass the plasma reactor chamber for a period of time to achieve a pre-determined flow rate stability; and, redirecting the at least one reactant gas flow into the plasma reactor chamber to carry out the at least one plasma process.

摘要翻译： 一种用于执行等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺的方法和反应物气体旁通系统，其具有改进的气体流动稳定性以避免未结合的反应物前体和厚度不均匀性，该方法包括提供具有等离子体内的工艺表面的半导体工艺晶片 反应室，用于进行至少一个等离子体工艺; 以选定的流速供应至少一个反应气体流以绕过等离子体反应器室一段时间以达到预定的流速稳定性; 以及将所述至少一个反应物气流重定向到所述等离子体反应器室中以执行所述至少一个等离子体过程。

公开(公告)号：US07253121B2

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US10937215

申请日：2004-09-09

申请人： Yi-Lung Cheng ,  Miao-Cheng Liao ,  Ying-Lang Wang

发明人： Yi-Lung Cheng ,  Miao-Cheng Liao ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L21/76807

摘要： A method for forming IMD films. A substrate is provided. A plurality of dielectric films are formed on the substrate, wherein each of the dielectric layers are deposited in-situ in one chamber with only one thermal cycle.

摘要翻译： 一种形成IMD膜的方法。 提供基板。 在基板上形成多个电介质膜，其中每个电介质层原位沉积在仅具有一个热循环的一个室中。

公开(公告)号：US07208415B2

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：US10882069

申请日：2004-06-30

申请人： Jane-Bai Lai ,  Yi-Lung Cheng

发明人： Jane-Bai Lai ,  Yi-Lung Cheng

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/76877

摘要： A plasma treatment method which is capable of extending the MTF (mean-time-to-failure) of metal interconnects fabricated on a semiconductor wafer substrate, is disclosed. The invention includes providing a trench typically in a dielectric layer on a substrate; depositing a metal in the trench; and exposing the metal to a nitrogen-based plasma. The plasma-treatment step accelerates grain growth and re-orients the grains in the metal to a closely-packed crystal orientation texture which approaches or approximates the crystal orientation texture of copper.

摘要翻译： 公开了一种等离子体处理方法，其能够延长制造在半导体晶片衬底上的金属互连的MTF（平均故障时间）。 本发明包括提供通常在基底上的电介质层中的沟槽; 在沟槽中沉积金属; 并将金属暴露于氮基等离子体。 等离子体处理步骤加速晶粒生长并将金属中的晶粒重新定位成接近或接近铜的<111>晶体取向纹理的紧密堆积的晶体取向纹理。

公开(公告)号：US20060166458A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11044814

申请日：2005-01-26

申请人： Yi-Lung Cheng ,  Szu-An Wu ,  Yi-Lang Wang

发明人： Yi-Lung Cheng ,  Szu-An Wu ,  Yi-Lang Wang

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/76224

摘要： A shallow trench isolation (STI) structure for semiconductor devices is formed using a deposited silicon layer formed over a polish stop layer formed over an oxide formed on a substrate. The polish stop layer may be nitride. An opening is formed extending through the deposited silicon layer and the nitride and oxide layers and extending into the substrate. A deposited oxide is formed filling the opening and extending over the top surface of deposited silicon layer. A chemical mechanical polishing operation polishes the deposited silicon layer at a rate faster than the deposited oxide layer to produce an STI with a convex portion extending above the nitride layer. Dishing problems are avoided and the structure may be subsequently planarized.

摘要翻译： 用于半导体器件的浅沟槽隔离（STI）结构使用形成在形成在衬底上的氧化物上形成的抛光停止层上的沉积硅层形成。 抛光停止层可以是氮化物。 形成延伸穿过沉积的硅层和氮化物和氧化物层并延伸到衬底中的开口。 形成沉积氧化物，填充开口并在沉积的硅层的顶表面上延伸。 化学机械抛光操作以比沉积的氧化物层更快的速率抛光沉积的硅层，以产生具有在氮化物层上方延伸的凸部的STI。 避免了抛光问题，并且可以随后平面化该结构。

公开(公告)号：US20060125090A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11338551

申请日：2006-01-24

申请人： Hsuch-Chung Chen ,  Yi-Lung Cheng ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng

发明人： Hsuch-Chung Chen ,  Yi-Lung Cheng ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L23/3677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure and method for dissipating heat away from a semiconductor device having a plurality of power lines is provided. The semiconductor structure includes a semiconductor substrate and a plurality of interconnect structures disposed on the substrate and in contact therewith and extending through the semiconductor device, the interconnect structures for dissipating heat to the substrate. Each of the plurality of interconnect structures comprises at least one via stack.

摘要翻译： 提供了一种半导体结构和方法，用于从具有多个电源线的半导体器件散发热量。 半导体结构包括半导体衬底和布置在衬底上并与其接触并延伸穿过半导体器件的多个互连结构，用于将热量散发到衬底的互连结构。 多个互连结构中的每一个包括至少一个通孔堆叠。

公开(公告)号：US20060003486A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US10882069

申请日：2004-06-30

申请人： Jane-Bai Lai ,  Yi-Lung Cheng

发明人： Jane-Bai Lai ,  Yi-Lung Cheng

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/76877

摘要： A plasma treatment method which is capable of extending the MTF (mean-time-to-failure) of metal interconnects fabricated on a semiconductor wafer substrate, is disclosed. The invention includes providing a trench typically in a dielectric layer on a substrate; depositing a metal in the trench; and exposing the metal to a nitrogen-based plasma. The plasma-treatment step accelerates grain growth and re-orients the grains in the metal to a closely-packed crystal orientation texture which approaches or approximates the crystal orientation texture of copper.

摘要翻译： 公开了一种等离子体处理方法，其能够延长制造在半导体晶片衬底上的金属互连的MTF（平均故障时间）。 本发明包括提供通常在基底上的电介质层中的沟槽; 在沟槽中沉积金属; 并将金属暴露于氮基等离子体。 等离子体处理步骤加速晶粒生长并将金属中的晶粒重新定位成接近或接近铜的<111>晶体取向纹理的紧密堆积的晶体取向纹理。

公开(公告)号：US06790778B1

公开(公告)日：2004-09-14

申请号：US10658270

申请日：2003-09-10

申请人： Yi-Lung Cheng ,  Ying-Lang Wang ,  We-Li Chen

发明人： Yi-Lung Cheng ,  Ying-Lang Wang ,  We-Li Chen

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  Y10S438/902 ,  Y10S438/906

摘要： A method for capping over a copper layer. A copper layer is deposited overlying a substrate. The copper surface is treated with hydrogen-containing plasma to remove copper oxides formed thereon, thereby suppressing copper hillock formation. The treated copper surface is treated again with nitrogen-containing plasma to improve adhesion of the copper surface. A capping layer is formed on the copper layer.

摘要翻译： 一种覆盖铜层的方法。 将铜层沉积在衬底上。 用含氢等离子体处理铜表面以除去其上形成的铜氧化物，从而抑制铜形成小丘。 处理的铜表面再次用含氮等离子体处理以改善铜表面的粘附。 在铜层上形成覆盖层。

公开(公告)号：US06602560B2

公开(公告)日：2003-08-05

申请号：US10196850

申请日：2002-07-16

申请人： Yi-Lung Cheng ,  Wen-Kung Cheng ,  Ming-Hwa Yoo ,  Szu-An Wu ,  Ying-Long Wang ,  Pei-Fen Chou

发明人： Yi-Lung Cheng ,  Wen-Kung Cheng ,  Ming-Hwa Yoo ,  Szu-An Wu ,  Ying-Long Wang ,  Pei-Fen Chou

IPC分类号： C23C1640

CPC分类号： C23C16/4405 ,  B08B7/0035

摘要： A method of removing residual fluorine present in a HDP-CVD chamber which includes a high pressure seasoning process, a dry-cleaning process, and a low-pressure deposition process.

摘要翻译： 一种除去存在于HDP-CVD室中的残余氟的方法，其包括高压调味处理，干洗处理和低压沉积工艺。

公开(公告)号：US07470584B2

公开(公告)日：2008-12-30

申请号：US11040307

申请日：2005-01-21

申请人： Yi-Lung Cheng ,  Hong-Jui Chang ,  Ying-Lang Wang

发明人： Yi-Lung Cheng ,  Hong-Jui Chang ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/76801 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76837

摘要： A TEOS deposition method. A mixture of gases is introduced into a process chamber, in which the mixture of gases comprises tetra-ethyl-ortho-silicate (TEOS) and N2. Compressive stress of a TEOS oxide film is increased by activating the mixture of gases.

摘要翻译： TEOS沉积法。 将气体混合物引入处理室，其中气体混合物包括四乙基原硅酸盐（TEOS）和N 2。 通过激活气体混合物来增加TEOS氧化膜的压缩应力。

公开(公告)号：US20070267737A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11383922

申请日：2006-05-17

申请人： Hsien-Wei Chen ,  Hsueh-Chung Chen ,  Yi-Lung Cheng

发明人： Hsien-Wei Chen ,  Hsueh-Chung Chen ,  Yi-Lung Cheng

IPC分类号： H01L23/15

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Packaged devices and methods of forming packaged devices are provided. At least one device is disposed on a substrate. The material layer encapsulates the device and covers at least a portion of the substrate, wherein the material layer comprises at least a first portion adjacent to the device and a second portion over the first portion. The second portion has a thermal conductivity higher than a thermal conductivity of the first portion.

摘要翻译： 提供了封装器件和形成封装器件的方法。 至少一个装置设置在基板上。 所述材料层封装所述装置并且覆盖所述基板的至少一部分，其中所述材料层包括至少邻近所述装置的第一部分和所述第一部分上的第二部分。 第二部分具有高于第一部分的热导率的导热率。