公开(公告)号：US20100207928A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12616604

申请日：2009-11-11

申请人： Jae-Hoon Lee ,  Jun-Yong Song ,  Hoi-Sik Moon ,  Yong-Soon Lee

发明人： Jae-Hoon Lee ,  Jun-Yong Song ,  Hoi-Sik Moon ,  Yong-Soon Lee

IPC分类号： G09G5/00

CPC分类号： G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  G11C19/184 ,  G11C19/28

摘要： A gate driving circuit includes a plurality of stages connected to each other. An m-th stage (‘m’ is a natural number) of the stages includes a pull-up part, a pull-down part, a first holding part and a second holding part. The pull-up part outputs a high voltage of a clock signal as a high voltage of an m-th gate signal in response to a high voltage applied to a first output control part. The pull-down part pulls down the high voltage of the m-th gate signal to a first low voltage in response to a high voltage of an (m+1)-th gate signal. The first holding part holds a voltage applied to the first output control part as a second low voltage having a level lower than the first low voltage. The second holding part holds a low voltage of the m-th gate signal to the first low voltage.

摘要翻译： 栅极驱动电路包括彼此连接的多个级。 第m级（“m”是自然数）级包括上拉部分，下拉部分，第一保持部分和第二保持部分。 响应于施加到第一输出控制部分的高电压，上拉部分输出作为第m门信号的高电压的时钟信号的高电压。 下拉部分响应于第（m + 1）门信号的高电压将第m门信号的高电压下拉到第一低电压。 第一保持部分将施加到第一输出控制部分的电压保持为具有低于第一低电压电平的第二低电压。 第二保持部将第m栅极信号的低电压保持为第一低电压。

公开(公告)号：US07674643B2

公开(公告)日：2010-03-09

申请号：US11443376

申请日：2006-05-31

申请人： Jae Hoon Lee ,  Jung Hee Lee ,  Je Won Kim

发明人： Jae Hoon Lee ,  Jung Hee Lee ,  Je Won Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12

摘要： A gallium nitride semiconductor LED includes a substrate for growing a GaN semiconductor material, an n-type GaN clad layer formed on the substrate and doped with Al, an active layer having a quantum well structure formed on the n-type GaN clad layer, and a p-type GaN clad layer formed on the active layer.

摘要翻译： 氮化镓半导体LED包括用于生长GaN半导体材料的衬底，在衬底上形成并掺杂有Al的n型GaN覆层，在n型GaN覆层上形成的具有量子阱结构的有源层，以及 形成在有源层上的p型GaN覆层。

公开(公告)号：US07660531B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11607700

申请日：2006-12-01

申请人： Jae-Hoon Lee ,  Seong-Taek Hwang ,  Byung-Jik Kim ,  Gyu-Woong Lee ,  Hoon Kim ,  Sang-Ho Kim ,  Yong-Gyoo Kim ,  Sung-Kee Kim ,  Han-Lim Lee

发明人： Jae-Hoon Lee ,  Seong-Taek Hwang ,  Byung-Jik Kim ,  Gyu-Woong Lee ,  Hoon Kim ,  Sang-Ho Kim ,  Yong-Gyoo Kim ,  Sung-Kee Kim ,  Han-Lim Lee

IPC分类号： H04B10/24 ,  H04J4/00 ,  H04M1/00

CPC分类号： H04B10/25758

摘要： A remote access unit (RAU) apparatus, coupled to a central station (CS) of an RoF network through at least one optical fiber, and which RAU apparatus includes at least one antenna, includes: first and second antenna ports coupled to the at least one antenna; first and second optical fiber ports coupled to the at least one optical fiber; a first coupler for decoupling a first downstream signal of a first duplexing method and a second downstream signal of a second duplexing method, which are input through the first optical fiber port; a circulator for outputting the first downstream signal input from the first coupler to the first antenna port and outputting a first upstream signal of the first duplexing method input from the first antenna port to the second optical fiber port; and a second coupler for outputting the second downstream signal input from the first coupler to the second antenna port and outputting a second upstream signal of the second duplexing method input from the second antenna port to the second optical fiber port.

摘要翻译： 一种远程接入单元（RAU）装置，其通过至少一个光纤耦合到RoF网络的中心站（CS），并且所述RAU设备包括至少一个天线，包括：耦合到所述至少一个天线的第一和第二天线端口 一个天线 耦合到所述至少一个光纤的第一和第二光纤端口; 用于去耦第一双工方法的第一下行信号和通过第一光纤端口输入的第二双工方法的第二下行信号的第一耦合器; 输出从第一耦合器输入的第一下行信号到第一天线端口的循环器，并输出从第一天线端口输入到第二光纤端口的第一双工方式的第一上行信号; 以及第二耦合器，用于将从第一耦合器输入的第二下行信号输出到第二天线端口，并输出从第二天线端口输入到第二光纤端口的第二双工方法的第二上行信号。

公开(公告)号：US20100021571A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US11816670

申请日：2006-03-30

申请人： Jacob M. Waugh ,  Jae Hoon Lee

发明人： Jacob M. Waugh ,  Jae Hoon Lee

IPC分类号： A61K36/534 ,  A61K31/60 ,  A61K36/00 ,  A61K36/28 ,  A61K36/48 ,  A61P17/10

CPC分类号： A61K36/605 ,  A61K8/922 ,  A61K8/97 ,  A61K31/192 ,  A61K31/522 ,  A61K31/60 ,  A61K36/14 ,  A61K36/185 ,  A61K36/28 ,  A61K36/45 ,  A61K36/484 ,  A61K36/53 ,  A61K36/534 ,  A61K36/539 ,  A61K36/61 ,  A61K45/06 ,  A61Q17/04 ,  A61Q19/00 ,  A61Q19/02 ,  A61K2300/00

摘要： This invention provides anti-acne kits that are useful for treating acne, especially severe cases of acne. The anti-acne kits include a vasoconstrictor and an anti-acne agent, and optionally one or more of a a skin lightening therapeutic, a sealing layer, a skin cleanser, an astringent, a skin penetration enhancer, a sunscreen, and nutritional supplements that promote healing of acne lesions. This invention also provides methods for treating acne using a vasoconstrictor in conjunction with an anti-acne agent.

摘要翻译： 本发明提供了抗痤疮试剂盒，其可用于治疗痤疮，特别是严重的痤疮病例。 抗痤疮试剂盒包括血管收缩剂和抗痤疮剂，以及可选地一种或多种促炎剂治疗剂，密封层，皮肤清洁剂，收敛剂，皮肤渗透增强剂，防晒剂和营养补充剂 愈合痤疮病变。 本发明还提供了使用血管收缩剂与抗痤疮剂联合治疗痤疮的方法。

公开(公告)号：US20100013788A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12327378

申请日：2008-12-03

申请人： Hyun-Sang PARK ,  Min-Koo HAN ,  Jae-Hoon LEE ,  Bong-Hyun YOU ,  Byoung-Jun LEE

发明人： Hyun-Sang PARK ,  Min-Koo HAN ,  Jae-Hoon LEE ,  Bong-Hyun YOU ,  Byoung-Jun LEE

IPC分类号： G06F3/045

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/044

摘要： A touch sensor configured to be disposed in a liquid crystal display panel includes a plurality of x-axis read-out lines crossing and insulated from a plurality of y-axis read-out lines and a plurality of sensor units. Each sensor unit includes a reset unit, a capacitance detector, a first output unit, and a second output unit. The reset unit outputs a first reset signal based on a first control signal. The capacitance detector changes the first reset signal based on a variation of a cell gap of the liquid crystal display panel caused by a touch event. The first output unit changes an electric potential of a corresponding x-axis read-out line in response to the first reset signal changed in the capacitance detector. The second output unit changes an electric potential of a corresponding y-axis read-out line in response to the first reset signal changed in the capacitance detector.

摘要翻译： 配置为设置在液晶显示面板中的触摸传感器包括与多个y轴读出线和多个传感器单元交叉并绝缘的多个x轴读出线。 每个传感器单元包括复位单元，电容检测器，第一输出单元和第二输出单元。 复位单元基于第一控制信号输出第一复位信号。 电容检测器基于由触摸事件引起的液晶显示面板的单元间隙的变化而改变第一复位信号。 响应于在电容检测器中改变的第一复位信号，第一输出单元改变对应的x轴读出线的电位。 响应于在电容检测器中改变的第一复位信号，第二输出单元改变对应的y轴读出线的电位。

公开(公告)号：US07648849B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US11933950

申请日：2007-11-01

申请人： Jae Hoon Lee ,  In Eung Kim ,  Yong Chun Kim ,  Hyun Kyung Kim ,  Moon Heon Kong

发明人： Jae Hoon Lee ,  In Eung Kim ,  Yong Chun Kim ,  Hyun Kyung Kim ,  Moon Heon Kong

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46

摘要： A flip chip-type nitride semiconductor light emitting diode includes a light transmittance substrate, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, a p-type nitride semiconductor layer and a mesh-type DBR reflecting layer. The mesh-type DBR reflecting layer has a plurality of open regions. The mesh-type DBR reflecting layer is composed of first and second nitride layers having different Al content. The first and second nitride layers are alternately stacked several times to form the mesh-type DBR reflecting layer. An ohmic contact layer is formed on the mesh-type DBR reflecting layer and on the p-type nitride semiconductor layer.

摘要翻译： 倒装芯片型氮化物半导体发光二极管包括透光性基板，n型氮化物半导体层，有源层，p型氮化物半导体层和网状DBR反射层。 网状DBR反射层具有多个开放区域。 网状DBR反射层由具有不同Al含量的第一和第二氮化物层组成。 第一和第二氮化物层交替堆叠几次以形成网状DBR反射层。 在网状DBR反射层和p-型氮化物半导体层上形成欧姆接触层。

公开(公告)号：US07642356B2

公开(公告)日：2010-01-05

申请号：US12065752

申请日：2006-09-15

申请人： Hyun Ik Shin ,  Bo Seung Choi ,  Jae Hoon Lee

发明人： Hyun Ik Shin ,  Bo Seung Choi ,  Jae Hoon Lee

IPC分类号： C07D211/72 ,  C07C381/00 ,  C07C205/00

CPC分类号： C07D213/61 ,  C07C67/343 ,  C07C69/738

摘要： The present invention relates to a process for preparing a beta-keto ester compound of formula (1), which is an intermediate for the synthesis of quinolone antibiotics. Particularly, the present invention is characterized by the reaction of an organo nitrile compound with a salt of mono-alkyl malonate in the presence of metal salt, and so the reaction is easy to control due to its endothermic nature, and is devoid of lachrymatory reagents with excellent reproducibility. Subsequent in situ hydrolysis in the presence of aqueous acid solution provided the compound of formula (1).

摘要翻译： 本发明涉及一种制备式（1）的β-酮酯化合物的方法，其是用于合成喹诺酮抗生素的中间体。 特别地，本发明的特征在于在金属盐存在下有机腈化合物与单烷基丙二酸盐的反应，因此由于其吸热性质，反应易于控制，并且没有氯仿试剂 具有极好的重复性。 在酸性水溶液存在下进行原位水解，得到式（1）化合物。

公开(公告)号：US07586358B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11771138

申请日：2007-06-29

申请人： Kee-Chan Park ,  Min-Koo Han ,  Woo-Jin Nam ,  Jae-Hoon Lee

发明人： Kee-Chan Park ,  Min-Koo Han ,  Woo-Jin Nam ,  Jae-Hoon Lee

IPC分类号： H03L5/00

CPC分类号： H03K3/35613 ,  G09G3/3611 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2310/0289 ,  G09G2310/08

摘要： A level shifter includes; a level conversion unit which receives a first input signal and a second input signal, wherein the second input signal is an inversion of the first input signal, and generates a first output signal having substantially a same phase of the first input signal and a voltage which is higher than the first input signal and a second output signal having substantially a same phase as the first input signal and a voltage which is lower than the first input signal; and wherein the level shifter further includes an amplifying unit which receives the first and second output signals and generates a third output signal having substantially a same phase as the first input signal and an amplitude which is greater than the first input signal.

摘要翻译： 电平转换器包括： 电平转换单元，其接收第一输入信号和第二输入信号，其中所述第二输入信号是所述第一输入信号的反相，并且产生具有与所述第一输入信号基本上相同相位的第一输出信号和 高于第一输入信号，第二输出信号具有与第一输入信号基本相同的相位和低于第一输入信号的电压; 并且其中所述电平移位器还包括放大单元，其接收所述第一和第二输出信号，并产生具有与所述第一输入信号基本相同的相位的第三输出信号和大于所述第一输入信号的幅度。

公开(公告)号：US20090216512A9

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US11888535

申请日：2007-08-01

申请人： Jae-Hoon Lee

发明人： Jae-Hoon Lee

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06F9/45

CPC分类号： G06F17/5009 ,  G06F2217/62 ,  G06F2217/66 ,  G06F2217/84

摘要： A method and an apparatus for indirectly simulating a semiconductor integrated circuit (IC) are described. A circle chain is formed using input pins and output pins to provide an intellectual property (IP) core model that substitutes for a real IP core circuit. A test bench for the IP core model is generated, the semiconductor IC that includes the IP core model is integrated using the generated test bench, and the semiconductor IC is simulated.

摘要翻译： 描述用于间接模拟半导体集成电路（IC）的方法和装置。 使用输入引脚和输出引脚形成环形链，以提供替代真实IP核心电路的知识产权（IP）核心模型。 生成IP核心模型的测试台，使用生成的测试台集成了包含IP核模型的半导体IC，模拟半导体IC。

公开(公告)号：US07479661B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11435751

申请日：2006-05-18

申请人： Jae Hoon Lee ,  Hee Seok Choi ,  Jeong Tak Oh ,  Su Yeol Lee

发明人： Jae Hoon Lee ,  Hee Seok Choi ,  Jeong Tak Oh ,  Su Yeol Lee

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/32

摘要： The invention provides a nitride semiconductor device and a manufacturing method thereof. In the invention, n-type and p-type nitride semiconductor layers are formed on a substrate, and an active layer is formed therebetween. The n-type nitride semiconductor layers include first and second n-type GaN layers disposed in the order of distance from the active layer. In addition, in the nitride semiconductor device of the invention, an AlxGal-xN layer, where 0

摘要翻译： 本发明提供一种氮化物半导体器件及其制造方法。 在本发明中，在衬底上形成n型和p型氮化物半导体层，并且在它们之间形成有源层。 n型氮化物半导体层包括以距离有源层的距离的顺序设置的第一和第二n型GaN层。 此外，在本发明的氮化物半导体器件中，在第一和第二n型GaN层之间插入有0